據報道，SK海力士明年將分配約10萬億韓元用于設施投資，與今年相比增長約50%。此舉是對“半導體寒冬”的積極應對，旨在保持在包括高帶寬存儲器（HBM）在內的先進半導體市場的領導地位。

據電子行業人士11月9日消息，SK海力士決定在2024年撥出約10萬億韓元用于資本支出(CAPEX)。這比今年預計的設施投資增加了約3萬億至4萬億韓元6萬億至7萬億韓元。

該計劃的重點是投資擴大設施，以滿足人工智能（AI）時代不斷增長的需求。我們將集中精力擴建 HBM 相關設施，增加對 HBM 生產關鍵組成部分硅通孔 (TSV) 技術的投資。此外，資金還將用于DDR5和LPDDR5等高附加值DRAM的生產設施。另一方面，據透露，預計明年上半年之前仍將面臨赤字的NAND閃存領域的投資將被最小化。

SK 海力士對 HBM 的關注繼續其勝利的步伐，并實現了全面售空。在 10 月 26 日的第三季度財報電話會議上，SK 海力士 DRAM 營銷副總裁 Park Myoung-soo 表示：“明年第四代 HBM3 產品和第五代 HBM3E 產品的供應量都在增加。”已完全售空。與客戶和合作伙伴就 2025 年 HBM 產量進行生產和供應的討論也在進行中。” SK海力士相關人士表示，明年的設施投資計劃尚未最終確定。

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。

然而，面對尖端半導體HBM產品的稀缺，SK海力士決定明年比今年大幅增加投資。HBM 已顯示出完全售罄的跡象，不僅是明年的產量，而且是 2025 年的預期產量。

為了擴大HBM的產能，SK海力士正在大幅增加對TSV技術的投資。TSV 是 HBM 生產中使用的一項技術，涉及創建孔以垂直連接堆疊的 DRAM。半導體設施也在擴建，重點關注先進 DRAM，例如 10 納米第四代 (1a) 和第五代 (1b)。

SK海力士相信，它可以利用內部現金資源輕松應對這項投資。截至9月底，該公司的現金和現金等價物高達8.53萬億韓元（65億美元）。9月底的負債率為84.8%，處于適度水平。此外，如果需要，還有進一步借款的空間。

現金流表現也出現改善。盡管今年第三季度出現經營虧損，SK海力士報告同期的息稅折舊攤銷前利潤（EBITDA）為1.54萬億韓元（11.7億美元）。EBITDA是反映實際現金流量的指標，不包括折舊費用，僅在紙面上核算。

隨著DRAM價格的反彈，預計SK海力士明年將扭虧為盈。根據市場研究公司TrendForce的數據，10月份DRAM固定合約價格環比上漲15.4%，達到1.50美元。這標志著DRAM價格自2021年7月以來兩年零三個月以來首次出現上漲趨勢。SK海力士明年營業利潤的共識預計為8.44萬億韓元。