電子發燒友網綜合報道，據韓媒報道，存儲行業巨頭SK海力士正全力攻克一項全新的性能瓶頸技術高帶寬存儲HBS。

SK海力士研發的這項HBS技術采用了創新的芯片堆疊方案。根據規劃，該技術將通過一種名為垂直導線扇出（VFO）的封裝工藝，實現最多16層DRAM與NAND芯片的垂直堆疊，這種高密度的堆疊方式將大幅提升數據處理速度，為移動設備的AI運算提供強有力的存儲支撐。

根據早前報道，移動HBM通過堆疊和連接LPDDR DRAM來增加內存帶寬，也同樣采用了VFO技術。SK 海力士正在開發的VFO技術選擇銅線而非銅柱。DRAM 以階梯式方式堆疊，然后將環氧樹脂注入空白處以使其硬化，來實現移動DRAM芯片的堆疊，并通過垂直柱狀線/重新分布層連接到基板。

SK 海力士的 VFO 技術結合FOWLP（晶圓級封裝）和 DRAM 堆疊兩項技術，VFO 技術通過垂直連接，大幅縮短了電信號在多層 DRAM 間的傳輸路徑，將線路長度縮短至傳統內存的 1/4 以下，將能效提高 4.9%。這種方式雖然增加1.4% 的散熱量，但是封裝厚度卻減少27%。

在移動HBM領域，三星也在開發VCS技術，該技術將DRAM 芯片以臺階形狀堆疊起來，用環氧材料使其硬化，再在其上鉆孔并用銅填充。三星表示，VCS 先進封裝技術相較于傳統引線鍵合，I/O 密度和帶寬分別提升 8 倍和 2.6 倍；相比 VWB 垂直引線鍵合，VCS 技術生產效率提升 9 倍。

與移動內存LPDDR5X 相比，新款移動HBM LPW DRAM的I/O速度預計將提高166%，同時功耗降低54%。預計搭載LPW DRAM內存的首款移動產品將在2028 年上市。

就HBS存儲來看，VFO封裝摒棄了傳統的彎曲導線連接方式，采用直線直接連接堆疊的DRAM和NAND芯片。這一改進不僅大幅縮短布線距離，更有效減少信號傳輸過程中的損耗與延遲，同時還能支持更多的I/O通道，從多個維度推動整體數據處理性能的大幅提升。

此外，HBS無需采用HBM所依賴的硅通孔TSV工藝，不僅降低制造成本，還能有效提升產品良率。未來HBS將采用與手機芯片組協同封裝的模式，再一同安裝到設備主板上，實現硬件層面的高效適配。

目前，SK海力士尚未公布 HBS 技術的具體量產時間表，但相關研發進展已引發行業廣泛關注。HBS 技術的成功研發與量產，將為智能手機、平板電腦等設備帶來更強大的本地AI處理能力，推動AI應用從云端向終端普及。市場預計，隨著技術的不斷成熟與完善，HBS存儲有望在未來2-3 年內實現商業化應用，成為移動終端存儲的新一代標桿產品。