據韓媒報道，SK海力士將在2020年進行一系列的人事調動和業務重組，其中會將DRAM和NAND Flash兩大開發部門整合在一起，實現從開發、制造，以及業務的后期處理等統一的管理。

Jin Kyo-won出生于1962年，畢業于首爾國立大學物理系，曾在2014年7月擔任NAND部門負責人，并于同年12月擔任NAND開發部門負責人，2016年出任質量保證主管，質量監控，2018年負責DRAM開發，2019年12月提升為開發制造總裁。

DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關人士表示：SK海力士首席執行官（CEO) Lee Seok-hee一直強調從半導體早期的研發到批量生產要形成一套高效運行的系統。重組后，SK海力士首席半導體技術專家Jin Kyo-won將提升為開發制造總裁，負責DRAM和NAND Flash從開發到批量生產，提高運營效率。

同業者之間競爭加劇，SK海力士需保持技術領先的優勢

SK海力士是重要的NAND Flash和DRAM供應商，據中國閃存市場ChinaFlashMarket數據，2019年Q3季度，SK海力士DRAM市場占有率28.4%，全球排名第二；NAND Flash市場占有率9.6%，全球排名第六。

作為全球第二大DRAM供應商，SK海力士于2019年10月宣布采用第三代10nm級（1znm）工藝開發出16Gbit DDR4，與第二代（1ynm）產品相比，生產率提高了約27%，計劃將與2020年開始全面供應，積極響應市場需求。

與之競爭的是三星和美光，其中三星早在2019年3月就宣布于下半年采用1znm工藝技術量產8Gb DDR4，生產率提高20%以上；美光也在8月份大規模生產1znm 16Gb DDR4產品。三星、SK海力士、美光DRAM都已進入第三代10nm級制程技術，隨著技術的不斷提高，量產的難度也加大，再往后發展將用到EUV工藝，能否順利過渡是穩固市場的關鍵。

在NAND Flash市場上，三星、SK海力士均已宣布新一代128層3D TLC NAND已開始量產或送樣，2020年西部數據、鎧俠、美光等128層3D NAND也將面世，英特爾甚至將在2020年推出144層QLC NAND，同業者之間的競爭如火如荼。

此外，中國芯片國產化進程的加速，隨著新晉者的加入，戰局再度升溫，對于SK海力士而言，一定程度上將刺激在NAND Flash和DRAM戰略布局上加快步伐。

存儲產業周期性變化加速，獲利變得更加艱難

近幾年存儲產業可謂跌宕起伏，行情瞬息萬變，周期性變化速度加快。以NAND Flash為例，在經歷2016年和2017年NAND Flash價格大幅上漲后，2018年和2019上半年價格再度下滑，截止到第三季度，三星、鎧俠、西部數據、美光、SK海力士、英特爾等Q3季度的NAND Flash銷售雖環比增加， 但在獲利方面依然表現同比下滑，西部數據和鎧俠甚至虧損嚴重。

SK海力士同樣面臨著同樣的挑戰，在2019年三季度，其營收達6.8兆韓元，同比下滑40%；凈利潤0.495兆韓元，同比大減89%，更創2016年第二季以來的新低紀錄，其中DRAM收入占77%，NAND Flash收入占20%。

不僅要面對產業周期性變化，DRAM和NAND Flash技術的推進，也使得企業投入的資金增加，獲利變得更加艱難。隨著NAND Flash價格的觸底，以及對看旺2020年市場需求，近期NAND Flash行情已出現轉機，中國閃存市場ChinaFlashMarket分析，不僅渠道市場價格上漲，企業級需求旺盛，原廠已對2020年Q1部分產品宣布漲價，PC OEM市場價格或也將開始上漲，而手機端產品價格2020年Q2或有漲價反應。

在下一波存儲行情上行之前，SK海力士將DRAM和NAND Flash研發部門合并，不僅有助于提高技術研發水平，穩固市場地位，更能有效的配合、響應存儲市場周期性變化，提高企業獲利的能力。