目前，兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經公布了新NAND Flash 產品的發展規劃。其中，三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外，SK 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK 海力士日前在一場會議上就公布了公司的規劃，預計在2030 年推出800+ 層的NAND Flash，屆時將可輕松打造出100 到200TB 容量的SSD。

在日前舉行的? Flash Memory Summit ? 大會上，SK 海力士公布旗下新產品的規劃以及公司的相關布局。根據內容指出，目前SK 海力士正在開發128 層堆疊的4D NAND Flash，其量產時間將落在2019 年第4 季。另外， SK 海力士還展示了一款「PE8030」的全新SSD，采用PCIe 4.0×4 介面連接，提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB 容量，連續讀寫速度最高可達6200MB/s、3300MB/s ，而4KB 隨機讀寫最高可達950K IOPS、260K IOPS。

在研發發展方面，目前SK 海力士正在研發176 層NAND Flash，而其他產品的發展，包括72 層堆疊的4D NAND Flash 目前大規模量產中，96 層堆疊的4D NAND Flash 目前也在大規模量產中，而且未來產能即將超越72 層堆疊的4D NAND Flash。128 層堆疊的4D NAND Flash 將于2019 年第4 季量產，176 層堆疊產品2020 年問世、500 層堆疊產品則將于2025 年問世，其TB/wafer 容量比將可提升30%。而800+ 堆疊的4D NAND Flash 則是預計2030 年問世，TB/wafer 容量比提升到100 到200TB 的

據了解，目前SK 海力士生產的128 層堆疊NAND Flash 核心容量是1Tbit，176 層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit，預計500 層堆疊時核心容量可達3.9Tbit，到800 層堆疊時則會高達6.25Tbit，是現在的6 倍多。而若以當前SSD 固態硬碟的容量計算，目前最大容量約在15 到16TB 左右。而依照6 倍核心容量的成長幅度來計算，未來SSD 容量可達200TB 左右，這個容量要比當前的HDD 還要更大。