SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面，HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM，還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位，這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）。

1高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲器，通過垂直互聯多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數據處理速度。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開發。

本系列第二篇文章，將回顧全體成員齊心協力推動HBM技術創新的驅動力——“一個團隊”協作精神的閃耀時刻，并深入探討HBM背后的成功、失敗，以及團隊合作帶來的成果。

16年專注于HBM研發

SK海力士16年專注HBM研發，躍居HBM市場第一

這場技術革命的起點可追溯至21世紀初期興起的TSV2（硅通孔技術）。作為實現HBM、突破儲存器性能局限與制程工藝微細化限制的關鍵技術，TSV備受業界關注。然而，由于支持該項技術的基礎設施建設難度高且投資回報難以預測，當時沒有企業敢于率先投入開發。當整個行業都在權衡投資潛力和追求穩定的十字路口觀望時，SK海力士率先采取了行動。公司前瞻性地預判了TSV與晶圓級封裝3（WLP）等后端工藝技術的顛覆性潛力，并于2009年前后啟動了相關研發，由此開啟了長達16年的技術攻堅之路。

2硅通孔技術（TSV, Through Silicon Via）：一種在DRAM芯片上鉆數千個細孔，通過垂直穿透電極連接芯片上下兩層的互聯技術。

3晶圓級封裝（WLP, Wafer-Level Package）:在傳統封裝工藝中，晶圓被切割成芯片后再進行封裝。而這項技術則是在晶圓級別時就完成封裝，并制造最終產品。

TSV技術的正式應用始于2013年。這一時期，市場對與GPU（圖形處理器）協同使用的近內存4（Near Memory）解決方案的需求逐漸顯現。基于此，公司通過整合TSV和WLP技術，成功研發出全球首款HBM（第一代）。然而，首次嘗試并未取得預期成果，無關成功與否，而是時機未到。當時的HPC（高性能計算）市場尚未成熟，不足以支撐HBM成為主流技術。受限于市場環境，HBM的開發一度遭遇瓶頸，其開發部門甚至也被貼上了“邊緣”的標簽，市場對HBM技術的期待也開始逐步下降。

4近內存（Near-memory）：靠近計算設備（處理器）的存儲器，可提升數據處理速度。

盡管如此，SK海力士從未放棄，因為公司堅信：“HPC時代即將到來，屆時能夠提供頂尖產品的公司將占據市場先機”。此外，公司在過往發展中積累的核心技術實力，也成為繼續推進HBM項目的重要支撐。因此，團隊成員以“開發最高性能的HBM”為共同目標，再次凝聚力量，全力以赴投入研發工作。

2020年，市場格局終于發生了根本性轉變。憑借對HBM2E（第三代）和HBM3（第四代）的持續投入，公司在AI時代來臨之際成功實現了戰略逆轉。這一轉變得益于AI和HPC需求的增長，以及HBM市場的爆發式擴張所帶來的契機。憑借持續積累的技術優勢，SK海力士迅速提升市場份額，一舉躍居HBM市場第一。這一成就不僅體現了2009以來公司對行業趨勢的精準洞察與堅定執行力，更是前道工序團隊（負責DRAM產品研發）與后道封裝團隊（負責包括TSV等封裝技術）緊密協作、秉持“一個團隊”協作精神的理念共同努力的結果。

全球最強HBM3E，

化不可能為可能的團隊力量

“一個團隊”協作精神代代相傳，不斷突破技術瓶頸，鞏固市場主導地位

憑借HBM2E確立HBM技術主導地位僅是一個開端。2021年，SK海力士通過每秒可處理819GB（千兆字節）數據的HBM3，進一步驗證了其技術領先性，并逐步穩固了市場第一的地位。特別是在DRAM芯片堆疊層數的持續創新方面，公司不斷刷新最高容量紀錄。2023年4月，SK海力士成功推出36GB的12層堆疊HBM3，這標志著在技術突破上邁出了重要一步。

2023年8月，SK海力士正式發布HBM3E（第五代），再次引發業界的廣泛關注。這一成果是在成功開發12層HBM3僅4個月后取得的。憑借每秒1.15TB的數據處理速度，HBM3E迅速在面向AI的存儲器市場中占據了主導地位。

推動SK海力士HBM產品系列持續領先的背后，離不開批量回流模制底部填充5 （MR-MUF）技術的支持。首次應用于HBM2E的MR-MUF技術采用了特殊封裝工藝，實現了性能提升、散熱優化以及量產能力增強等三方面的突破。在此基礎上，公司進一步研發了先進MR-MUF技術，并成功將其應用于12層堆疊HBM3中。該技術采用更薄芯片的無變形堆疊工藝以及新型保護材料，顯著增強了散熱特性，再次將SK海力士的HBM產品推向行業頂尖水平。

5批量回流模制底部填充(MR-MUF, Mass Reflow Molded Underfill)：在堆疊半導體芯片后，在空隙之間注入并固化液態保護材料，以保護芯片之間的電路的工藝。

當時，HBM開發團隊設定了“每一代產品性能提升50%，同時保持功耗不變”的宏偉目標。為達成這一極具挑戰性的目標，封裝部門與HBM開發部門及所有部門緊密協作，各領域專家共同參與問題解決與技術創新。正是這種高度協同的“一個團隊”協作精神，使得SK海力士的HBM3E脫穎而出，成為定義行業新標準的標桿產品。

以“一個團隊”協作精神

領航全球面向AI的存儲器市場

HBM4將繼續展現“一個團隊”協作精神的協同效應，引領市場新一輪變革

2025年，SK海力士在全球面向AI的市場中持續鞏固其領先地位。今年3月，公司率先向客戶提供了全球首款12層堆疊HBM4樣品（第六代）[相關報道]。這一成果得益于公司在該領域長達16年的持續創新與技術積累。

在HBM4的研發過程中，SK海力士不僅大幅縮短了開發周期，還成功實現了卓越的性能表現。該產品具備每秒處理2TB數據的能力，相當于能夠在1秒內完成超過400部全高清（FHD，Full-HD）電影（約5GB/部）的數據傳輸，其性能較前一代產品提升了60%。由此，公司再次達成了“每一代產品性能提升50%，同時保持功耗不變”的目標。

這一成就的背后，依然源于“一個團隊”協作精神。各團隊成員緊密合作，共同攻克技術難題，并通過共享解決方案進一步提升研發效率。此外，SK海力士還將團隊協作理念擴展至企業間的合作層面，計劃在基礎裸片（Base-Die）中引入全球領先晶圓代工廠的邏輯（Logic）制程，以進一步優化HBM產品的性能與能效。這種內部協作與外部合作相結合的模式，再次為技術創新奠定了堅實基礎。

HBM4將繼續展現“一個團隊”協作精神的協同效應，預計將于今年下半年正式投入量產。通過這一舉措，SK海力士將進一步鞏固其在面向AI的存儲器市場的技術領導地位。業界正密切關注，SK海力士的HBM4及其它面向AI的存儲器產品，將為市場帶來怎樣的新一輪變革。