5月6日，據韓國媒體The Elec與首爾經濟新聞報道，SK海力士在“AI時代，SK海力士藍圖和戰略”發布會上透露，其HBM4內存的量產日期已經提前至2025年。

SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協議，原本預計HBM4內存要等到2026年才會問世。

HBM4的提前量產反映了AI領域對于高性能內存的強烈需求，隨著AI處理器性能的提升，對內存帶寬的要求也越來越高。

The Elec預測，SK海力士將在HBM4內存中采用1cnm制程的DRAM芯片，相較之下，現有的HBM3E產品則是基于1bnm制程；此外，基礎裸片部分可能會采用臺積電7nm系列工藝。

SK海力士還在發布會上提到，基于MR-MUF鍵合技術的12層堆疊HBM3E內存將于本月開始樣品生產，并于第三季度實現量產，而未來的16層堆疊產品也將采用MR-RUF鍵合技術。