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飛兆、英飛凌擴展功率MOSFET封裝兼容協議

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2025-12-10 09:54:11255

選型手冊:VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:P溝道增強型
2025-12-10 09:44:34249

選型手冊:VST012N20HS-G N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品
2025-12-09 10:49:57228

選型手冊:VS1602GTH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS1602GTH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-09 10:43:32213

選型手冊:VS1602GFH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS1602GFH是一款面向100V中壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220F封裝,適配中壓DC/DC轉換器、電源管理、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-09 10:29:22276

選型手冊:VS4802GPHT-IG N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息
2025-12-09 10:26:37255

選型手冊:VS1891GMH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS1891GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝,適配中壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品
2025-12-09 10:12:07262

選型手冊:VS3618AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS3618AS是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用SOP8封裝,適配小型化低壓電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-08 11:10:47237

選型手冊:VS6604GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS6604GP是一款面向60V中低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中低壓大電流DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-08 10:59:34252

選型手冊:VS6614DS 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS6614DS是一款面向65V中低壓場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET,采用SOP8封裝,適配中低壓雙路電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:雙通道N
2025-12-08 10:43:06235

選型手冊:VS4401AKH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TOLL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-05 11:41:32236

芯與凝思軟件簽署戰略合作協議

11月26日,上海芯集成電路股份有限公司(簡稱“芯”)與北京凝思軟件股份有限公司(簡稱“凝思軟件”)戰略合作協議簽約儀式在北京圓滿舉行。在芯副總經理張健與凝思軟件副總經理彭志航的共同見證下,
2025-12-05 10:39:451259

選型手冊:VS2646ACL N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS2646ACL是一款面向20V低壓小電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低壓小型化電路的電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-04 09:43:35202

選型手冊:VS40200AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借超低導通電阻與200A大電流承載能力,適配低壓超大電流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296

選型手冊:VS1602GMH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263封裝,憑借1.9mΩ極致低導通電阻與170A大電流承載能力,適用于中壓大電流DC
2025-12-03 09:23:07264

選型手冊:VS4401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借1.4mΩ極致低導通電阻與400A大電流承載能力,適用于低壓大電流
2025-12-01 11:10:07189

選型手冊:VS1401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

選型手冊:VS1401ATHN溝道增強型功率MOSFET晶體管威半導體推出的VS1401ATH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借
2025-11-28 12:14:04237

選型手冊:VS8402ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,憑借超低導通電阻與160A大電流承載能力,適用于中壓DC/DC轉換器、電源
2025-11-28 12:10:55175

英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導體
2025-11-26 09:32:50568

功率MOSFET管的應用問題分析

,PCB布局,特別是貼片封裝功率MOSFET管,要在源極、漏極管腳充分敷設銅皮進行散熱。功率MOSFET管數據表的熱阻測量通常有一定限制條件,如元件裝在1平方英2OZ銅皮電路板上進行測量,實際應用中,源
2025-11-19 06:35:56

英飛凌推出專為高功率與計算密集型應用而設計的400V和440V MOSFET

及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續)和455V(瞬態)的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59297

英飛凌推出采用全新 EasyPACK? C 封裝的碳化硅功率模塊,助力提升工業應用的能效與使用壽命

功率循環能力以及較長的使用壽命有著極高的要求。為滿足這些需求,全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFN
2025-10-29 17:02:571075

互通有無擴展生態,英飛凌與羅姆達成碳化硅功率器件封裝合作

9 月 28 日消息,兩家重要功率半導體企業德國英飛凌 Infineon 和日本羅姆 ROHM 本月 25 宣布雙方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。 根據這份協議,雙方
2025-09-29 18:24:361709

羅姆與英飛凌攜手推進SiC功率器件封裝兼容性,為客戶帶來更高靈活度

發電、儲能系統及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作,推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來,用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產品,既能靈活滿足客戶的各類應用需求,亦可輕松實現產品切換。此
2025-09-29 10:46:22303

請問IIC的設備驅動兼容SMbus協議嗎?

請問IIC的設備驅動兼容SMbus協議么?
2025-09-29 09:53:55

有哪些方法可以確保硬件加速與通信協議兼容性?

安全風險。以下是具體可落地的方法,按實施階段和優先級排序: 一、硬件選型階段:優先選擇 “協議原生支持” 的硬件方案 硬件加速的兼容性根基在選型階段奠定,需明確硬件對目標通信協議的 核心特性、版本、擴展字段 的支持能力,
2025-08-27 10:07:40797

英飛凌CoolSiC? MOSFET Gen2:性能全面升級,工業應用的理想選擇!

功率半導體領域,英飛凌最新推出的CoolSiCMOSFETGen2系列產品,單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產品相比,英飛凌全新
2025-08-19 14:45:005067

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的優勢和應用領域

AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優勢和應用領域的深度分析: 一、T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的核心優勢 頂面散熱設計 熱管理優化
2025-08-10 15:11:061220

英飛凌推出采用Q-DPAK 封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2,將工業應用功率密度提升至新高度

【2025年8月1日,德國慕尼黑訊】全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日推出了采用頂部散熱(TSC)Q-DPAK封裝
2025-08-01 17:05:091506

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc

電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

英飛凌推出全新緊湊型CoolSET封裝系統(SiP),可在寬輸入電壓范圍內提供最高60 W高效功率輸出

【2025年5月28日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出新型CoolSET?封裝系統(SiP
2025-05-30 16:55:05489

使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅動器的功率吸收路徑, 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎? 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?
2025-05-28 06:51:33

高效2.5kW空調電源 英飛凌ICE3PCS01G搭配IGBT

英飛凌推出2.5kW功率因數校正(PFC)評估板,展示TO-247 4針CoolMOS? C7 MOSFET的高效能表現。該評估板集成PFC控制器、MOSFET驅動器和碳化硅二極管,專為電源電子工程師設計,用于評估4針封裝在效率和信號質量上的優勢。
2025-05-19 13:49:001208

科士達與英飛凌深入合作,全棧創新方案引領高頻大功率UPS市場新趨勢

?MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅動器等全套功率半導體解決方案,助力科士達大功率高頻UPS系統實現技術突破。英飛凌與科士達已共同攜手三十余年,
2025-04-16 10:26:26826

MOSFET與IGBT的區別

半導體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產品族)。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

新品 | 兩款先進的MOSFET封裝方案,助力大電流應用

Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出兩款先進的表面貼片封裝選項,擴展其行業領先的高功率MOSFET產品組合。全新的 GTPAK
2025-03-13 13:51:461305

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出,標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC MOSFET 650 V G2

公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758

芯CPU近期兼容適配匯總

近期,基于開先KX-7000、開勝KH-40000系列等自主處理器平臺,芯攜手產業伙伴持續推進軟硬件生態建設,順利完成包括DPU擴展卡、數據庫、服務器操作系統、安全瀏覽器、隔離網閘、數據庫加密
2025-02-11 16:35:571380

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