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威兆半導體推出的VS3510AD是一款面向 30V 低壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 TO-252 封裝，適配低壓電源的高側開關、負載控制等領域。

一、產品基本信息

器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
核心參數：
- 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P 溝道耐壓為負值，適配 30V 低壓場景）；
- 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型值10mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\)時典型值18mΩ，低壓場景下傳導損耗低；
- 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時50A，\(T=100^\circ\text{C}\)時降額為36A；
- 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：200A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時大電流沖擊。

參數	符號	數值（Rating）	單位
漏源極擊穿電壓	\(V_{DSS}\)	-30	V
柵源極電壓	\(V_{GS}\)	±20	V
二極管連續正向電流	\(I_S\)	50	A
連續漏極電流（\(V_{GS}=-10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 50；\(T=100^\circ\text{C}\): 36	A
脈沖漏極電流	\(I_{DM}\)	200	A
單脈沖雪崩能量	\(E_{AS}\)	43	mJ
最大功耗（結溫約束）	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 42；\(T=100^\circ\text{C}\): 1.25	W
結 - 殼熱阻	\(R_{thJC}\)	2.8	℃/W
工作 / 存儲溫度范圍	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+175	℃