威兆半導體推出的VS2646ACL是一款面向 20V 低壓小電流場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用 SOT23 小型封裝,適配低壓小型化電路的電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):20V,適配低壓供電場景;
- 導通電阻(\(R_{DS(on)}\)):\(V_{GS}=4.5V\)時典型值16mΩ,\(V_{GS}=2.5V\)時典型值20mΩ,低壓小電流場景下?lián)p耗可控;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=4.5V\)):
- \(T_a=25^\circ\text{C}\)時6A;\(T_a=70^\circ\text{C}\)時降額為4.8A;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):24A(\(T_a=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時小電流沖擊需求。
二、核心特性
- 小型封裝:采用 SOT23 封裝,適配小型化、高密度電路板設(shè)計;
- 低導通電阻:16~20mΩ 阻性表現(xiàn),適配低壓小電流場景的能效需求;
- 環(huán)保合規(guī):滿足無鹵及 RoHS 標準,適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說明)
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 20 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±12 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 1 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=4.5V\)) | \(I_D\) | \(T_a=25^\circ\text{C}\): 6;\(T_a=70^\circ\text{C}\): 4.8 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 24 | A |
| 最大功耗 | \(P_D\) | \(T_a=25^\circ\text{C}\): 1;\(T_a=70^\circ\text{C}\): 0.7 | W |
| 結(jié) - 引腳熱阻(Typ/Max) | \(R_{thJL}\) | 58 / 70 | ℃/W |
| 工作 / 存儲溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+150 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場景
- 封裝形式:SOT23 表面貼裝封裝,包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷,適配小型化電路設(shè)計;
- 典型應(yīng)用:
- 低壓小型化電源管理:如便攜設(shè)備的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器開關(guān)管;
- 小功率負載開關(guān):消費電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低功耗負載通斷管理。
五、信息來源
威兆半導體官方產(chǎn)品手冊(注:以上參數(shù)基于手冊標注整理,實際應(yīng)用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。)
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