伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      標(biāo)簽　>　功率MOSFET

      功率MOSFET

      +關(guān)注 0人關(guān)注

      功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

      文章： 242 個(gè)
      視頻： 8 個(gè)
      瀏覽： 23124 次
      帖子： 10 個(gè)
      • 詳情
      • 知識(shí)
      • 相關(guān)內(nèi)容

      功率MOSFET簡(jiǎn)介

      　　功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

      　　工作原理

      　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。

      　　導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

      　　當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

      功率MOSFET百科

      　　功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

      　　工作原理

      　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無電流流過。

      　　導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

      　　當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

      查看詳情

      功率mosfet知識(shí)

      展開查看更多

      功率mosfet技術(shù)

      深入解析CSD16410Q5A N-Channel NexFET? Power MOSFET

      深入解析CSD16410Q5A N-Channel NexFET? Power MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET是至關(guān)重要的元件，它在電源...

      2026-03-06 標(biāo)簽：電子設(shè)計(jì)功率MOSFETCSD16410Q5A 584 0

      探索 CSD16407Q5 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能

      探索 CSD16407Q5 N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET 的卓越性能 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是不可或缺的關(guān)鍵元件，其性能直...

      2026-03-06 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率MOSFETCSD16407Q5 194 0

      探索CSD16409Q3 N-Channel NexFET? Power MOSFETs的卓越性能

      探索CSD16409Q3 N-Channel NexFET? Power MOSFETs的卓越性能 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率MOSFET...

      2026-03-06 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換功率MOSFETCSD16409Q3 177 0

      CSD16401Q5 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET：高效能功率轉(zhuǎn)換解決方案

      CSD16401Q5 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET：高效能功率轉(zhuǎn)換解決方案 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率...

      2026-03-06 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換功率MOSFETCSD16401Q5 149 0

      探索CSD16404Q5A N-Channel NexFET? Power MOSFET的卓越性能

      探索CSD16404Q5A N-Channel NexFET? Power MOSFET的卓越性能 在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域，MOSFET一直扮演著關(guān)鍵角色。...

      2026-03-06 標(biāo)簽：功率MOSFETCSD16404Q5AN-Channel NexFET 156 0

      CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET 技術(shù)剖析

      CSD16411Q3 25-V N-Channel NexFET? Power MOSFET 技術(shù)剖析 一、引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率 MOSFET 是...

      2026-03-06 標(biāo)簽：功率MOSFET技術(shù)剖析CSD16411Q3 173 0

      探秘CSD16325Q：N溝道NexFET功率MOSFET的卓越性能與應(yīng)用解析

      探秘CSD16325Q5：N溝道NexFET功率MOSFET的卓越性能與應(yīng)用解析 在如今的電子世界中，功率MOSFET作為關(guān)鍵的電子元件，廣泛應(yīng)用于各種...

      2026-03-06 標(biāo)簽：功率MOSFET應(yīng)用解析CSD16325Q5 139 0

      探索CSD17307Q5A：30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能

      探索CSD17307Q5A：30V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能 在電子工程師的日常工作中，功率MOSFET是電路設(shè)計(jì)里的常客。今天我...

      2026-03-06 標(biāo)簽：功率MOSFET電子應(yīng)用CSD17307Q5A 165 0

      30V N - Channel NexFET? Power MOSFET CSD17310Q5A：性能與應(yīng)用解析

      30V N-Channel NexFET? Power MOSFET CSD17310Q5A：性能與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率MOSFET作為關(guān)鍵元...

      2026-03-06 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換功率MOSFETCSD17310Q5A 190 0

      CSD17301Q5A：30V N-Channel NexFET?功率MOSFET深度解析

      CSD17301Q5A：30V N-Channel NexFET?功率MOSFET深度解析 在電子工程師的日常工作中，功率MOSFET是電路設(shè)計(jì)里極為關(guān)...

      2026-03-06 標(biāo)簽：電子元件功率MOSFETCSD17301Q5A 147 0

      查看更多>>

      功率mosfet資訊

      MOT1126T 為N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

      MOT 1126T高壓MOSFET：100V耐壓/2.3mΩ導(dǎo)通電阻/250A大電流，TOLL封裝實(shí)現(xiàn)高效散熱與穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)，是電動(dòng)摩托車和工業(yè)電源系統(tǒng)的功...

      2026-03-12 標(biāo)簽：功率MOSFET 184 0

      探索CSD85312Q3E：雙20V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能

      探索CSD85312Q3E：雙20V N溝道NexFET?功率MOSFET的卓越性能 在電子設(shè)備不斷追求小型化、高效化的今天，功率MOSFET作為關(guān)鍵的...

      2026-03-05 標(biāo)簽：功率MOSFET電子應(yīng)用CSD85312Q3E 1.1k 0

      深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng)：物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制

      深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng)：物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制

      深度解析SiC碳化硅功率MOSFET米勒效應(yīng)：物理機(jī)制、動(dòng)態(tài)影響與橋式電路中的串?dāng)_抑制 BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級(jí)代理商傾佳電...

      2026-01-26 標(biāo)簽：SiC功率MOSFET碳化硅 349 0

      探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用

      探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術(shù)：從原理到應(yīng)用 在電子工程領(lǐng)域，功率MOSFET技術(shù)的不斷創(chuàng)新推動(dòng)著各類電力電子設(shè)備向更高效率、更高功率密...

      2025-12-20 標(biāo)簽：英飛凌功率MOSFET 811 0

      120V低IQ理想二極管典型應(yīng)用與極限參數(shù)

      120V低IQ理想二極管典型應(yīng)用與極限參數(shù)

      產(chǎn)品描述： PC2781 是高邊驅(qū)動(dòng)控制器配合 N?溝道功率MOSFET?控制器，?在應(yīng)用時(shí)與外部 N?溝道功率MOSFET、電容儲(chǔ)存器共同使用，實(shí)現(xiàn)二...

      2025-12-18 標(biāo)簽：二極管功率MOSFET 389 0

      SMAG1116LX N溝道功率MOSFET | 低導(dǎo)通電阻1.6mΩ

      SMAG1116LX N溝道功率MOSFET | 低導(dǎo)通電阻1.6mΩ

      本文詳細(xì)介紹了晟朗微推出的高性能N溝道功率MOSFET——SMAG1116LX。該產(chǎn)品采用先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻（1.6mΩ@Vgs=10V）...

      2025-12-17 標(biāo)簽：N溝道功率MOSFET 232 0

      安森德半導(dǎo)體以功率MOSFET賦能無人機(jī)新未來

      安森德半導(dǎo)體以功率MOSFET賦能無人機(jī)新未來

      2024年，“低空經(jīng)濟(jì)”首次被寫入政府工作報(bào)告，標(biāo)志著這一新興產(chǎn)業(yè)正式上升為國家戰(zhàn)略。根據(jù)預(yù)測(cè)，2024年中國低空經(jīng)濟(jì)市場(chǎng)規(guī)模將突破6700億元，202...

      2025-11-12 標(biāo)簽：功率MOSFET無人機(jī) 506 0

      BD9B500MUV 功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器文檔介紹

      BD9B500MUV 功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器文檔介紹

      BD9B500MUV是內(nèi)置低導(dǎo)通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。最大可輸出5A的電流。采用輕負(fù)載時(shí)進(jìn)行低消耗動(dòng)作的獨(dú)有恒定時(shí)間控制方式...

      2025-10-05 標(biāo)簽：功率MOSFET同步整流降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器 1.7k 0

      一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的H橋電流控制驅(qū)動(dòng)器

      一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成的H橋電流控制驅(qū)動(dòng)器

      SS6952T有一路H橋驅(qū)動(dòng)，可提供較大峰值電流7A，可驅(qū)動(dòng)一個(gè)刷式直流電機(jī)，或者螺線管或者其它感性負(fù)載。

      2025-08-13 標(biāo)簽：功率MOSFET控制驅(qū)動(dòng)器 826 0

      瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

      瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

      近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和...

      2025-01-13 標(biāo)簽：MOSFET功率MOSFET瑞薩電子 1.2k 0

      查看更多>>

      功率mosfet數(shù)據(jù)手冊(cè)

      相關(guān)標(biāo)簽

      相關(guān)話題

      換一批
      • 電池
        電池
        +關(guān)注
        電池（Battery）指盛有電解質(zhì)溶液和金屬電極以產(chǎn)生電流的杯、槽或其他容器或復(fù)合容器的部分空間，能將化學(xué)能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。具有正極、負(fù)極之分。隨著科技的進(jìn)步，電池泛指能產(chǎn)生電能的小型裝置。如太陽能電池。電池的性能參數(shù)主要有電動(dòng)勢(shì)、容量、比能量和電阻。
      • Littelfuse
        Littelfuse
        +關(guān)注
      • Arrow
        Arrow
        +關(guān)注
        Arrow Electronics 是向工業(yè)和商業(yè)電子元器件和企業(yè)運(yùn)算解決方案用戶提供產(chǎn)品、服務(wù)和解決方案的全球供應(yīng)商，2016 年銷售額達(dá) 23.8 億美元。Arrow 作為供應(yīng)渠道合作伙伴，通過遍布全球 90 多個(gè)國家和地區(qū)的 465 多個(gè)地點(diǎn)構(gòu)成的全球網(wǎng)絡(luò)，為超過 125,000 家原始設(shè)備制造商、合約制造商和商業(yè)客戶提供服務(wù)。
      • 充電樁
        充電樁
        +關(guān)注
        充電樁其功能類似于加油站里面的加油機(jī)，可以固定在地面或墻壁，安裝于公共建筑（公共樓宇、商場(chǎng)、公共停車場(chǎng)等）和居民小區(qū)停車場(chǎng)或充電站內(nèi)，可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)為各種型號(hào)的電動(dòng)汽車充電。
      • e絡(luò)盟
        e絡(luò)盟
        +關(guān)注
        e絡(luò)盟是電子元器件分銷商，授權(quán)經(jīng)銷3500余家半導(dǎo)體、連接器、光電和顯示產(chǎn)品、無源、電源和機(jī)電產(chǎn)品、軟件等產(chǎn)品，為電子行業(yè)的設(shè)計(jì)工程師和采購專員提供服務(wù)。
      • 博世
        博世
        +關(guān)注
      • 智能眼鏡
        智能眼鏡
        +關(guān)注
        智能眼鏡，也稱智能鏡，是指“像智能手機(jī)一樣，具有獨(dú)立的操作系統(tǒng)，智能眼鏡可以由用戶安裝軟件、游戲等軟件服務(wù)商提供的程序。
      • Vivado
        Vivado
        +關(guān)注
        　　Vivado設(shè)計(jì)套件，是FPGA廠商賽靈思公司2012年發(fā)布的集成設(shè)計(jì)環(huán)境。包括高度集成的設(shè)計(jì)環(huán)境和新一代從系統(tǒng)到IC級(jí)的工具，這些均建立在共享的可擴(kuò)展數(shù)據(jù)模型和通用調(diào)試環(huán)境基礎(chǔ)上。
      • 科大訊飛
        科大訊飛
        +關(guān)注
        科大訊飛股份有限公司（IFLYTEK CO.,LTD.），前身安徽中科大訊飛信息科技有限公司，成立于1999年12月30日，2014年4月18日變更為科大訊飛股份有限公司，專業(yè)從事智能語音及語言技術(shù)研究、軟件及芯片產(chǎn)品開發(fā)、語音信息服務(wù)及電子政務(wù)系統(tǒng)集成。擁有靈犀語音助手，訊飛輸入法等優(yōu)秀產(chǎn)品。
      • Silicon Labs
        Silicon Labs
        +關(guān)注
        Silicon Labs是由Nav Sooch、Dave Welland和Jeff Scott在1996年于美國德州奧斯汀 (Austin, Texas) 成立，專門開發(fā)世界級(jí)的混合信號(hào)器件。今天，公司已成為營運(yùn)、銷售和設(shè)計(jì)活動(dòng)遍及世界各地資本額約5億美元的上市跨國公司，并且在各種混合信號(hào)產(chǎn)品領(lǐng)域居于領(lǐng)先地位。
      • 全志
        全志
        +關(guān)注
        全志科技是領(lǐng)先的智能應(yīng)用處理器SoC和智能模擬芯片設(shè)計(jì)廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應(yīng)用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團(tuán)隊(duì)及技術(shù)實(shí)力，全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進(jìn)工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領(lǐng)先水平，是全球平板電腦、高清視頻、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及智能電源管理等市場(chǎng)領(lǐng)域的主流供應(yīng)商之一。公司總部設(shè)于中國珠海。
      • iPhone5
        iPhone5
        +關(guān)注
        iPhone5是蘋果公司（Apple）在2012年9月推出的一款手機(jī)，已于2012年9月21日正式上市。
      • Nordic
        Nordic
        +關(guān)注
        Nordic是一家無晶圓半導(dǎo)體公司，專長(zhǎng)是開發(fā)短距離無線技術(shù)和低功耗蜂窩物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。該公司率先推出超低功耗無線技術(shù)，并幫助開發(fā)廣泛采用的低功耗藍(lán)牙(Bluetooth Low Energy)無線技術(shù)。
      • 西部數(shù)據(jù)
        西部數(shù)據(jù)
        +關(guān)注
        西部數(shù)據(jù)公司（Western Digital Corp）是一家全球知名的硬盤廠商，成立于1970年，目前總部位于美國加州，在世界各地設(shè)有分公司或辦事處，為全球五大洲用戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
      • 羅德與施瓦茨
        羅德與施瓦茨
        +關(guān)注
        羅德與施瓦茨公司于1985年起在北京正式開展技術(shù)服務(wù)并設(shè)立了第一家代表處，是在中國最早設(shè)立代表機(jī)構(gòu)的100家外資企業(yè)之一。目前還設(shè)有中國培訓(xùn)中心、研發(fā)中心、校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室、開放實(shí)驗(yàn)室等。2002年在北京設(shè)立了獨(dú)資子公司—北京羅博施通信技術(shù)有限公司，提供系統(tǒng)集成與開發(fā)、維修與校準(zhǔn)、技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等一系列全方位的技術(shù)服務(wù)，獲得了ISO9001:2008國際質(zhì)量認(rèn)證體系的認(rèn)證。
      • All Programmable
        All Programmable
        +關(guān)注
        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
      • ASML
        ASML
        +關(guān)注
      • 通信芯片
        通信芯片
        +關(guān)注
        據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）日前發(fā)布的一份預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)未來三年將保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)，這份報(bào)告還表明，全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒，近年來通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長(zhǎng)，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。
      • SK海力士
        SK海力士
        +關(guān)注
      • 半導(dǎo)體行業(yè)
        半導(dǎo)體行業(yè)
        +關(guān)注
        　　半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè)，屬于硬件產(chǎn)業(yè)，以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來的一個(gè)產(chǎn)業(yè)。
      • 前沿技術(shù)
        前沿技術(shù)
        +關(guān)注
        前沿技術(shù)是指高技術(shù)領(lǐng)域中具有前瞻性、先導(dǎo)性和探索性的重大技術(shù)，是未來高技術(shù)更新?lián)Q代和新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)，是國家高技術(shù)創(chuàng)新能力的綜合體現(xiàn)。
      • 可再生能源
        可再生能源
        +關(guān)注
      • GlobalFoundries
        GlobalFoundries
        +關(guān)注
        格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
      • 華虹半導(dǎo)體
        華虹半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        華虹集團(tuán)在建設(shè)運(yùn)營我國第一條深亞微米超大規(guī)模8英寸集成電路生產(chǎn)線的同時(shí)，逐步發(fā)展成 為以芯片制造業(yè)務(wù)為核心，集成電路系統(tǒng)集成和應(yīng)用服務(wù)、芯片制造工藝研發(fā)、電子元 器件貿(mào)易、海內(nèi)外風(fēng)險(xiǎn)投資等業(yè)務(wù)平臺(tái)共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
      • Siri
        Siri
        +關(guān)注
        Siri是蘋果公司在其產(chǎn)品iPhone4S，iPad 3及以上版本手機(jī)和Mac上應(yīng)用的一項(xiàng)智能語音控制功能。
      • WiFi芯片
        WiFi芯片
        +關(guān)注
        wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實(shí)際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號(hào)轉(zhuǎn)換成無線信號(hào)，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
      • 基帶芯片
        基帶芯片
        +關(guān)注
        基帶芯片是指用來合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說，就是發(fā)射時(shí)，把語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
      • 世強(qiáng)
        世強(qiáng)
        +關(guān)注
      • 任正非
        任正非
        +關(guān)注
        任正非是華為技術(shù)有限公司主要?jiǎng)?chuàng)始人、總裁。
      • MRAM
        MRAM
        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
      換一批

      關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(0人)

      編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題