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威兆半導(dǎo)體推出的VS3508AS是一款面向 - 30V 低壓場(chǎng)景的 P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，支持 5V 邏輯電平控制，采用 SOP8 封裝，適配低壓電源的高側(cè)開(kāi)關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

器件類型：P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
核心參數(shù)：
- 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P 溝道耐壓為負(fù)值，適配 30V 低壓場(chǎng)景）；
- 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時(shí) 8.0mΩ、\(V_{GS}=-4.5V\)時(shí) 15mΩ，低壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗低；
- 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) - 13A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) - 8A，滿足低壓負(fù)載的電流需求；
- 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-52A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)大電流沖擊。

二、核心特性

5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅(qū)動(dòng)（P 溝道通過(guò)拉低柵極電壓導(dǎo)通），簡(jiǎn)化低壓電路設(shè)計(jì)；
低導(dǎo)通電阻：8.0~15mΩ 的阻性表現(xiàn)，降低低壓場(chǎng)景的傳導(dǎo)損耗；
環(huán)保合規(guī)：滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值（Rating）	單位
漏源極擊穿電壓	\(V_{DSS}\)	-30	V
二極管連續(xù)正向電流	\(I_S\)	-13	A
連續(xù)漏極電流（\(V_{GS}=-10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): -13；\(T=100^\circ\text{C}\): -8	A
脈沖漏極電流	\(I_{DM}\)	-52	A
單脈沖雪崩能量	\(E_{AS}\)	31	mJ
最大功耗	\(P_D\)	2.1	W
工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

封裝形式：SOP8 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 3000pcs / 卷，適配小型化電路板設(shè)計(jì)；
典型應(yīng)用：
- 30V 級(jí)低壓電源的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)；
- 消費(fèi)電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的低壓電源通路控制；
- 低壓電源管理模塊。

五、信息來(lái)源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊(cè)為準(zhǔn)。）

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