威兆半導體推出的VS4518AD是一款面向 - 40V 中壓場景的 P 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：P 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P 溝道耐壓為負值，適配 40V 中壓場景）；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-10V\)時典型值 26mΩ、\(V_{GS}=-4.5V\)時 42mΩ，中壓場景下傳導損耗可控；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=-10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 - 33A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 - 23A，承載能力較強；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：-132A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時大電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅動（P 溝道通過拉低柵極電壓導通），簡化中壓電路設計；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 168mJ，感性負載開關穩定性強；
• 環保合規：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規格為 2500pcs / 卷，適配中功率密度電路設計；
• 典型應用：
  • 40V 級中壓電源的高側負載開關；
  • 工業設備、儲能系統的電源通路控制；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）