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      電子發燒友網>汽車電子>英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性

      英飛凌推出面向汽車應用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進導通電阻、提升開關效率和設計魯棒性

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      2020-08-09 10:33:002538

      揚杰科技發布N40-150V SGT功率MOSFET新品，全面提升開關和導通特性

      產品特點 1、優異的開關特性和導通特性； 2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性； 3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統效率和功率密度； 4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
      2020-11-26 14:54:434615

      英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術革新，為高開關頻率應用樹立全新行業標桿

      OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 （FOM）。
      2021-12-03 10:50:381562

      英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

      英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
      2022-02-15 13:51:382671

      降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法

      在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
      2022-03-17 09:35:333704

      什么是OptiMOS MOSFET？

      OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
      2022-08-19 15:05:056088

      東芝推出具有低導通電阻的新款功率器件

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
      2022-09-01 15:37:531079

      東芝新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET支持車載大電流設備

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
      2023-02-04 18:31:453725

      EN系列：保持低導通電阻與開關速度，改善噪聲性能

      超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到第二代。
      2023-02-10 09:41:071710

      資料下載 | 低導通電阻 Nch 功率MOSFET（銅夾片型）產品參考資料

      近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現該系列
      2023-05-17 13:35:021478

      ME3121AM6G 高效率 40V輸入 1A負載同步整流DC-DC降壓轉換器

      ME3121是一款高效率的同步整流降壓DC-DC轉換器芯片，輸入電壓最高可達40V，內部集成兩顆低導通電阻的NMOSFET功率開關，低側開關導通電阻170mΩ，高側開關導通電阻410mΩ，可支持1A
      2023-05-22 14:42:404292

      CMS4070M 40V N-Channel SGT MOSFET：高速開關和改進的dv/it能力

      摘要：CMS4070M是一款40V N-Channel SGT MOSFET，采用SGT IV MOSFET技術。它具有快速開關和改進的dv/it能力，適用于MB/VGA、POL應用和DC-DC轉換器等領域。本文將介紹CMS4070M的特點、應用領域以及關鍵性能參數。
      2023-06-08 14:28:282140

      英飛凌推出OptiMOS 7技術的40V車規MOSFET產品系列

      采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
      2023-07-03 16:11:121765

      東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

      東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
      2023-08-24 11:19:101596

      納芯微推出首款車規級40V/單通道90mΩ智能低邊開關NSE11409系列

      納芯微推出首款車規級40V/單通道90mΩ智能低邊開關NSE11409系列 納芯微全新推出首款業界領先的NSE11409系列智能低邊開關芯片，該款芯片是專門針對驅動高可靠性負載應用而設計的，廣泛應用于驅動汽車和工業場景中的繼電器、執行閥、照明和加熱電阻絲等負載元件。
      2022-10-27 13:42:501862

      英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產品陣容

      全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
      2023-10-13 16:25:121705

      魯棒性的含義以及如何提高模型的魯棒性？

      魯棒性的含義以及如何提高模型的魯棒性？ 什么是魯棒性？ 魯棒性是指一個系統或模型面對輸入或參數的變化時所表現出的穩定性和可靠性。在機器學習中，魯棒性是指模型在面對輸入數據的變化時能夠保持穩定的表現
      2023-10-29 11:21:535518

      具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

      ROHM 推出“RS6xxxxBx/ RH6xxxxBx系列”共13款 Nch MOSFET*1產品(40V/60V/80V/100V/150V)， 這些產品非常適合驅動以24V 、36V 、48V
      2023-11-20 01:30:561063

      面向汽車和工業應用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩壓器

      電子發燒友網站提供《面向汽車和工業應用的40V輸入、3.5A Silent Switcher μModule穩壓器.pdf》資料免費下載
      2023-11-23 09:39:280

      英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET

      英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
      2023-12-29 12:30:491820

      昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件

      近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
      2024-01-04 14:37:571617

      英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術，提升電力效率與可靠性

      另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
      2024-03-10 12:32:411774

      英飛凌推出新一代OptiMOS? MOSFET技術封裝

      全球半導體行業的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術，專為滿足汽車電子產品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
      2024-04-15 15:49:331566

      英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

      英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
      2024-05-07 15:08:071440

      英飛凌推出CoolMO S7T和S7TA SJ MOSFET

      英飛凌推出的CoolMOS? S7T和S7TA SJ MOSFET，集成了先進的溫度傳感器技術，專為工業和汽車領域設計，顯著提升了結溫測量的精準度與穩定性。這一創新不僅簡化了溫度監測流程，還增強了功能安全性，為低頻大電流開關應用樹立了新標桿。
      2024-09-03 14:51:391102

      意法半導體推出40V STripFET F8 MOSFET晶體管

      意法半導體近期推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強化版溝槽柵技術的優勢，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應用場
      2024-12-11 14:27:00971

      瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領域應用

      近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
      2025-01-13 11:41:38958

      CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

      CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設計用于最小化功率轉換應用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導通電阻（RDS(ON)），適用于次級側同步整流和電機控
      2025-04-15 16:23:11775

      CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET，單 TO-220,1.7mOhm數據手冊

      電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC，有助于減少開關損耗。 ? 低導通電阻 ?：RDS(on)（漏源導通電阻）在VGS=10V時為1.4mΩ，有助于降低傳導損耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻
      2025-04-16 10:13:57766

      CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

      mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品概述 ? 型號 ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?：低導通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
      2025-04-16 10:54:00758

      揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產品

      揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
      2025-06-27 09:43:531352

      MDD MOS導通電阻對BMS系統效率與精度的影響

      在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可靠性
      2025-11-12 11:02:47339

      選型手冊：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術、低導通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關、PWM應用、電源管理等領域。一、產品
      2025-11-19 15:25:38253

      選型手冊：MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

      仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導通電阻、高雪崩穩定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等領域
      2025-11-25 15:23:16209

      選型手冊：VS4020AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等領域。一
      2025-11-26 14:55:52232

      選型手冊：VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等
      2025-11-28 12:03:51205

      選型手冊：VS4620GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域
      2025-12-01 15:07:36169

      選型手冊：VS4610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

      威兆半導體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品
      2025-12-02 09:32:01256

      關于0.42mΩ超低導通電阻MOSFET的市場應用與挑戰

      在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統
      2025-12-16 11:01:13198

      探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破

      探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
      2025-12-18 14:30:06188

      探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用

      探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用 在電子工程領域，功率MOSFET技術的不斷創新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統可靠性邁進。英飛凌作為行業的領軍者
      2025-12-20 10:35:06518

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