意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST) 推出首款完全符合衛(wèi)星和運(yùn)載火箭電子子系統(tǒng)質(zhì)量要求的功率系列產(chǎn)品。全新抗輻射功率MOSFET系列產(chǎn)品的額定輸出電流為6A至80A，由5款N溝道和P溝道產(chǎn)
2011-06-15 08:49:08
1736 ST擴(kuò)大采用第六代STripFET?技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
2011-06-20 09:02:431160 飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:041314 MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的縮寫，是一種用于電子電路中的半導(dǎo)體器件
2023-02-25 16:24:384206 、胸腔晶體管、雙極交接晶體管、金屬-氧化半導(dǎo)體外效晶體管和隔熱雙極晶體管的特性和使用。 Power Diode Diode Basics 在電子應(yīng)用中,二極管發(fā)揮簡(jiǎn)單的開關(guān)功能,只允許電流向一個(gè)方向流動(dòng),電極二極管擁有更大的動(dòng)力、電壓和當(dāng)前處理能力,在電
2023-08-15 17:17:321650 
? 2023 年 5 月 24 日，中國 —— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM
2023-05-26 14:11:201210 
家電應(yīng)用場(chǎng)景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? 該器件具備175℃最高結(jié)溫特性和優(yōu)異的熱阻系數(shù)，可確保30A額定電流下的高效散熱表現(xiàn)，在嚴(yán)苛工作環(huán)境中保持長期穩(wěn)定運(yùn)行。 ? 作為STPOWER產(chǎn)品組合，這是意法半導(dǎo)體第二代IH系列首款1600V電壓等級(jí)IGBT，采用先進(jìn)的溝槽柵場(chǎng)截止
2025-07-17 10:43:176620 意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調(diào)節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導(dǎo)體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
鼓勵(lì)其他大學(xué)的教授改編補(bǔ)充這套課程。 這套由8個(gè)自定進(jìn)度的教程組成的入門課程圍繞意法半導(dǎo)體的SensorTile設(shè)計(jì)。SensorTile是一個(gè)獨(dú)一無二的具有物聯(lián)網(wǎng)功能的實(shí)時(shí)嵌入式系統(tǒng)，集成在一個(gè)只有
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和設(shè)計(jì)靈活性，新增STM32F413/423兩個(gè)產(chǎn)品線意法半導(dǎo)體(ST)先進(jìn)圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機(jī)拍照不抖動(dòng)意法半導(dǎo)體傳感器通過阿里IoT驗(yàn)證，助力設(shè)備廠商更快推出新產(chǎn)品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關(guān)抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導(dǎo)體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅(qū)動(dòng)器提供26V的最大柵極驅(qū)動(dòng)輸出電壓，準(zhǔn)許用戶選擇獨(dú)立的導(dǎo)通/關(guān)斷輸出或內(nèi)部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個(gè)STLQ020和3個(gè)其它型號(hào)低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，售價(jià)9.68美元。相關(guān)新聞意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布世界領(lǐng)先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級(jí)六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進(jìn)的車載導(dǎo)航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年9月12日——意法半導(dǎo)體新推出的兩款STM8* Nucleo開發(fā)板，讓8位開發(fā)社區(qū)也能體驗(yàn)到STM32 * Nucleo系列開發(fā)板久經(jīng)驗(yàn)證的易用性和可擴(kuò)展功能。STM8 Nucleo
2018-09-12 16:06:37
中國，2018年10月10日——意法半導(dǎo)體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調(diào)試探針，進(jìn)一步改進(jìn)代碼燒寫及調(diào)試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲(chǔ)
2018-10-11 13:53:03
`中國，2018年6月22日——意法半導(dǎo)體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設(shè)備制造商設(shè)計(jì)更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動(dòng)電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
13日 – 針對(duì)重要的醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體采用其經(jīng)過驗(yàn)證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數(shù)字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
解決方案·低壓伺服驅(qū)動(dòng)解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會(huì)議程
▌參會(huì)福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報(bào)名預(yù)約【意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023
2023-09-11 15:43:36
新聞意法半導(dǎo)體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設(shè)計(jì)進(jìn)程意法半導(dǎo)體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設(shè)計(jì)變得更快捷意法半導(dǎo)體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機(jī)一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，對(duì)于內(nèi)存來說太大的單個(gè)層可以分為兩個(gè)步驟。之前的MLPerf Tiny結(jié)果顯示，與標(biāo)準(zhǔn)CMSIS-NN分?jǐn)?shù)相比，意法半導(dǎo)體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢(shì)。STM32CubeAI開發(fā)云還將支持意法半導(dǎo)體即將推出的微控制器，包括內(nèi)部開發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡(jiǎn)化手機(jī)與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)，為
2011-11-24 14:57:16
不同的是，用于放大或?qū)?關(guān)斷的偏置電流會(huì)流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱為“導(dǎo)通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時(shí)是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導(dǎo)通電阻”這個(gè)參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達(dá)順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-05-06 05:00:17
半導(dǎo)體元器件晶體管領(lǐng)域。功率半導(dǎo)體元器件的特點(diǎn)除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。根據(jù)其分別可支持的開關(guān)速度
2019-03-27 06:20:04
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進(jìn)一步提升。從下一篇開始，將單獨(dú)介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點(diǎn):?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點(diǎn)，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
和Velankani的Prysm?智能電表特別展覽，請(qǐng)于3月6-8日印度2018年智能電網(wǎng)周參觀印度新德里Manekshaw Centre會(huì)展中心的L22 & L23號(hào)意法半導(dǎo)體展臺(tái)。編者注
2018-03-08 10:17:35
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
產(chǎn)品和解決方案，共同構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應(yīng)對(duì)各種挑戰(zhàn)和新機(jī)遇，滿足世界對(duì)可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導(dǎo)體的技術(shù)讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)技術(shù)應(yīng)用更廣泛。意法半導(dǎo)體承諾將于2027年實(shí)現(xiàn)碳中和。
2022-12-12 10:02:34
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)淼氖?b class="flag-6" style="color: red">意法半導(dǎo)體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關(guān)的資料手冊(cè)，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
溝道和 N 溝道類型。
場(chǎng)效應(yīng)管
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是所有類型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個(gè)端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠(yuǎn)超過硅組件，空乏型砷化鎵場(chǎng)效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關(guān)的半導(dǎo)體器件。晶體管是調(diào)節(jié)計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運(yùn)行的基本構(gòu)件。由于其高響應(yīng)和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關(guān)、穩(wěn)壓器、信號(hào)
2023-02-03 09:36:05
功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡(jiǎn)寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
`吉時(shí)利——半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案半導(dǎo)體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管等，是組成集成電路的基礎(chǔ)。 直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
的MOSFET。下圖是在空調(diào)的PFC電路中評(píng)估Hybrid MOS、SJ MOSFET、IGBT效率的例子。效率曲線表示前面介紹的各晶體管的特征。Hybrid MOS在低負(fù)載時(shí)實(shí)現(xiàn)了遠(yuǎn)超IGBT的效率，而且
2018-11-28 14:25:36
法半導(dǎo)體的SLLIMM-nano產(chǎn)品家族新增兩種不同的功率開關(guān)技術(shù)： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內(nèi)置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場(chǎng)截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種改變電場(chǎng)來控制固體材料導(dǎo)電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
抗飽和晶體管的作用 羅姆應(yīng)用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場(chǎng)，在銷售員的帶領(lǐng)下走了幾家節(jié)能燈制造廠，我發(fā)現(xiàn)市場(chǎng)上對(duì)深愛半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因，但我認(rèn)為
2009-12-17 10:27:07
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
，hFE20-200電壓 vGS 3-10VVoltage, vGE 4-8V輸入阻抗低高高輸出阻抗低中等低切換速度慢快速中等成本低中等高我們已經(jīng)看到，絕緣柵極雙極性晶體管是一種半導(dǎo)體開關(guān)器件，具有雙極性
2022-04-29 10:55:25
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達(dá)到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
意法半導(dǎo)體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
STM8S003F3U6TR是意法半導(dǎo)體推出的一款8位微控制器(MCU)產(chǎn)品,屬于STM8S系列的主流超值系列。它具有以下特點(diǎn):8KB Flash程序存儲(chǔ)器1KB RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器20引
2024-04-14 23:03:01
半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量
一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?
1、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理
2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的
2010-10-29 17:09:12
35 意法半導(dǎo)體ST推出250A功率MOSFET，封裝和制程同步升級(jí)，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)能效
中國，2008年7月16日 —— 以降低電動(dòng)汽車等電動(dòng)設(shè)備的運(yùn)營成本和環(huán)境影
2008-07-29 14:13:02918 半導(dǎo)體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測(cè)量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、了解半導(dǎo)體特性圖示儀的基本原理2、學(xué)習(xí)使用半導(dǎo)體特性圖示儀測(cè)量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:0915283 
意法半導(dǎo)體推出具備高可靠性閃存的低功耗處理器芯片
意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布一款低功耗處理器芯片ST32-M，整合高可靠性的閃存和先進(jìn)的ARM Cortex-M3處理器，并可與ST的ST32 S
2009-12-22 08:39:46726 Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴(kuò)充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392762 意法半導(dǎo)體：娛樂功能新創(chuàng)意、綠色方案更節(jié)能
意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）日前以“娛樂功能新創(chuàng)意、綠色方
2010-03-25 13:41:31504 意法半導(dǎo)體發(fā)布超低功耗整流二極管
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出新的高能效功率整流二極管
2010-04-06 13:29:521162 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出新系列射頻(RF)功率晶體管。
2011-10-12 11:35:112156 意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場(chǎng)上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:102989 
汽車動(dòng)力操控（Power Steering）系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案。快捷半導(dǎo)體公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品可協(xié)助設(shè)計(jì)者應(yīng)對(duì)這
2012-12-05 09:12:221338 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）擴(kuò)大采用第六代STripFET技術(shù)的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設(shè)計(jì)人員在提高各種應(yīng)用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。 最新的STripFET
2017-12-01 11:47:03433 意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器，集成一個(gè)1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET，使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-18 15:24:513098 高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID推出的高溫40V N溝道功率MOSFET晶體管，保證在-55°C至+ 225°C的溫度范圍內(nèi)工作。這些名為CHT-NMOS4005，CHT-NMOS4010和CHT-NMOS4020的新器件的額定最大漏極電流分別為5A，10A和20A。
2020-11-12 11:29:541439 基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì)，意法半導(dǎo)體推出了MasterGaN2，作為新系列雙非對(duì)稱氮化鎵（GaN）晶體管的首款產(chǎn)品，是一個(gè)適用于軟開關(guān)有源鉗位反激拓?fù)涞腉aN集成化解決方案。 2021
2021-01-20 11:20:443769 意法半導(dǎo)體的MasterGaN4*功率封裝集成了兩個(gè)對(duì)稱的225mΩ RDS(on)、650V氮化鎵(GaN)功率晶體管，以及優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器和電路保護(hù)功能，可以簡(jiǎn)化高達(dá)200W的高能效電源變換
2021-04-16 14:41:043668 ，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。 意法半導(dǎo)體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級(jí)結(jié)晶體管技術(shù)樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉?biāo)桿。MDmesh K6 的RDS（on） x
2021-10-28 10:41:252244 意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件，提升了產(chǎn)品性能和可靠性，保持慣有領(lǐng)先地位，更加適合電動(dòng)汽車和高能效工業(yè)應(yīng)用
2022-01-17 14:13:294628 意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 （SMPS）。
2022-05-19 14:41:472191 意法半導(dǎo)體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗，同時(shí)優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431804 **氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。
他們也有各自
2023-02-03 14:34:204023 
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄生參數(shù)小等。
他們也有各自
2023-02-03 14:35:402638 
40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904
2023-02-17 19:13:050 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904MB
2023-02-21 18:31:530 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AQA
2023-02-21 18:40:240 40 V、600 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT2222AMB
2023-02-21 18:40:450 40 V、200 mA NPN 開關(guān)晶體管-PMBT3904QA
2023-02-21 18:53:340 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 40 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PZT4403
2023-02-27 18:15:590 40 V、600 mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT4403
2023-02-27 18:16:440 40V、600mA、PNP 開關(guān)晶體管-PMBT2907
2023-02-27 18:17:040 40 V、600 mA PNP 開關(guān)晶體管-PMST4403
2023-03-01 18:40:170 40 V、600 mA NPN/PNP 通用晶體管-NMB2227A
2023-03-01 18:47:590 具有 N 溝道溝槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶體管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 40V、600mA雙PNP開關(guān)晶體管-PMBT4403YS
2023-03-02 23:12:530 顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。
2023-03-14 11:22:393149 中國—— 意法半導(dǎo)體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導(dǎo)通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:231110 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體管。意法半導(dǎo)體GaN技術(shù)的開關(guān)頻率比傳統(tǒng)硅 MOSFET更高，使適配器能夠提供更高的功率密度和符合最新生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011 
安建半導(dǎo)體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認(rèn)證的全部測(cè)試。
2023-09-06 17:48:451376 2023 年 9 月 6 日，中國 ——意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)用對(duì)寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護(hù)的更高要求。
2023-09-07 10:12:132054 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:001184 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:111438 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01691 【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:412183 
該陪審員同意了普度的意見，即電動(dòng)汽車用充電器及其他產(chǎn)品使用的碳化物金屬氧化物半導(dǎo)體電場(chǎng)效果晶體管（mosfet）侵害了高電壓電源應(yīng)用（high power power application）使用的晶體管的專利。
2023-12-06 13:55:231405 意法半導(dǎo)體近日推出了兩款全新的線性穩(wěn)壓器——LDH40和LDQ40，這兩款產(chǎn)品不僅具備出色的能效，還在設(shè)計(jì)上展現(xiàn)了極高的靈活性。
2024-05-11 10:31:42970 意法半導(dǎo)體近期推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管系列。該系列晶體管融合了強(qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，并具備出色的抗噪能力，專為非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)
2024-12-11 14:27:00971 參考設(shè)計(jì)，旨在加速緊湊、高效工業(yè)電源的實(shí)現(xiàn)。 MasterGaN-SiP是意法半導(dǎo)體的創(chuàng)新之作，它將GaN功率晶體管與經(jīng)過優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器完美整合于一個(gè)封裝內(nèi)。這一設(shè)計(jì)不僅顯著提升了電源的性能和可靠性，還通過高度集成的方式，極大地加快了設(shè)計(jì)速度，并有效節(jié)省了PCB電路板空間。 與傳統(tǒng)
2024-12-25 14:19:481143 意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-01-16 13:28:271022 STripFET F8與上一代產(chǎn)品相比，品質(zhì)因數(shù) (FoM) 提高了40%，有助于工程師設(shè)計(jì)出更緊湊、功率密度更高的功率級(jí)，適用于計(jì)算機(jī)和外設(shè)應(yīng)用、數(shù)據(jù)中心、電信、太陽能、電源、電池充電器、家用和專業(yè)電器、游戲、無人機(jī)等領(lǐng)域。
2025-10-10 09:34:20468 STMicroelectronics STL120N10F8100V N溝道增強(qiáng)模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技術(shù)，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。它確保極低的導(dǎo)通電
2025-10-25 09:55:21933 
意法半導(dǎo)體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術(shù)，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。 STL325N4LF8AG可確保非常低的導(dǎo)通電阻。該器件還降低內(nèi)部電容和柵極電荷，實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。
2025-10-29 15:34:56476 
意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。 該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低
2025-10-29 15:48:51509 
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新型 40V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術(shù)實(shí)現(xiàn)卓越的品質(zhì)因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時(shí)，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的 PowerFLAT 5x6 封裝。
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