新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關損耗與低通態電阻等優勢,同時有助于優化系統成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13
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在醫療設備、機器人關節或自動化裝置中,驅動電路的尺寸和可靠性同樣關鍵。SiLM2026EN-DG半橋門極驅動器,在僅3mm x 3mm的極小封裝內,提供了200V的耐壓和高效的驅動能力。它旨在
2025-12-27 09:27:00
,近期推出了全新的OptiMOS? 6 120 V功率MOSFET技術,為我們帶來了諸多驚喜。今天,我們就來深入探討這一技術及其在三相功率逆變器板上的應用。 文件下載: Infineon
2025-12-20 10:35:06
517 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板:技術解析與應用前景 在現代電力電子領域,MOSFET(金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管)是不可或缺的關鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03
225 探索 OptiMOS? 5 汽車功率 MOSFET IAUTN08S5N012L 的卓越性能 在汽車電子領域,功率 MOSFET 扮演著至關重要的角色。今天,我們將深入探討英飛凌(Infineon
2025-12-19 10:20:16
207 。今天就來詳細聊聊英飛凌的OptiMOS? 5 Linear FET 2,也就是型號為IPT017N10NM5LF2的這款100V MOSFET,看看它有哪些特性和優勢。 文件下載: Infineon
2025-12-19 09:35:06
504 ?在全球化的商業浪潮中,企業設備跨區域遷移、生產線對接國際標準、數據中心服務海外市場已成為常態。然而,一道現實的電力鴻溝常常橫亙眼前:當您價值不菲的精密設備遭遇200V或346V這類非標準三相
2025-12-19 08:35:26
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探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06
185 XD1187 是一款 2內置 200V/1A MOS 寬輸入電壓降壓型 DC-DC轉換器非隔離電源芯片。它提供了一個完整的電源解決方案,可實現高達 1A 的輸出電流 (IOUT),并在 20V 至
2025-12-17 16:16:46
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?在全球產業鏈布局與設備流動日益頻繁的今天,企業常常面臨一個看似基礎卻風險極高的難題:如何將設計運行于中國標準380V三相電環境下的核心設備,安全、穩定地遷移至使用日本等地標準200V三相電的工廠或
2025-12-17 11:13:33
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DFN3x3-8的小封裝。現在很多設計都在往小型化、高密度走,PCB空間寸土寸金,這種小封裝優勢就體現出來了,能省下不少布局空間。性能參數:
耐壓高:支持最高200V的母線電壓,VCC工作范圍10V-20V,通用性
2025-12-13 08:41:39
在電源轉換、電機驅動等功率開關應用中,選擇一款合適的MOSFET是電路穩定高效運行的基礎。南山電子代理的NCE0224K是新潔能推出的一款200V耐壓、24A電流的N溝道增強型功率MOS管,憑借
2025-12-11 17:21:54
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威兆半導體推出的VST012N20HS-G是一款面向200V中高壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB封裝,適配中高壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品
2025-12-09 10:49:57
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你是否也在高壓半橋驅動設計中遇到這些挑戰?在工業自動化、機器人關節控制或高頻開關電源設計中,常常會面臨到這樣的困境:既要滿足高壓(如200V)半橋驅動的可靠性,又要在極有限的PCB空間內實現高性能
2025-12-09 08:35:20
的設備,都能輕松適配,不占地方還靠譜。?
再看它的 “超能力”:內置 200V 耐壓 MOS,就像給電路裝了個 “高壓防火墻”,哪怕輸入電壓高達 180V 也能從容應對。不管你的電動車是 48V、60V
2025-12-08 10:06:04
欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達200V? 峰值輸出電流高達4A? 帶輸入互鎖和死區時間? 優異的傳輸延遲匹配? 較強的負瞬態電壓耐受能力? 更好的抗噪性
2025-12-05 17:38:01
0 和 HB 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。 使能關斷功能降低驅動器的功耗。特性:特性 描述? 懸浮電壓高達200V? 峰值輸出電流高達3.3A? 輸入互鎖? 低待機電流(7μA)? 優異的傳輸延遲匹配? 更好的抗噪性? DFN10-3*3 封裝
2025-12-05 16:18:47
0 VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達200V? 峰值輸出電流高達4.4A? 帶輸入互鎖和死區時間? 優異的傳輸延遲匹配? 較強的負瞬態電壓耐受能力? 更好的抗噪性
2025-12-05 15:47:55
0 還可以通過外部電阻調節死區時間。PC318C016M/ D 提供MSOP10 3mm*3mm 和DFN10 4mm*4mm 兩種封裝形式特性?? 可驅動高側和低測N溝道MOSFET ? HS懸浮電壓高達200V ? 峰值輸出電流高達1.2/1.8A ? VDD電源電壓范圍 5V-20V ? V
2025-12-05 15:45:04
2 VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性:? 懸浮電壓高達200V? 峰值輸出電流1A? 帶輸入互鎖和死區時間? 優異的傳輸延遲匹配?
2025-12-05 15:39:41
0 VDD 欠壓鎖定和輸入 直通防止功能。特性? 懸浮電壓高達200V? 峰值輸出電流1A? 帶輸入互鎖和死區時間? 優異的傳輸延遲匹配
2025-12-05 15:37:46
0 在設計機器人關節電機、高精度醫療器械或自動化設備時,你是否也會面臨這樣的挑戰:
如果你的電路需要在最高200V的母線電壓下工作,又要將驅動電路塞進極其緊湊的空間里,什么樣的驅動器才能同時滿足高壓
2025-12-02 08:22:11
一、產品概述SLM2004SCA-13GTR是一款采用先進高壓集成電路技術打造的半橋驅動芯片,專為中高壓應用場景優化設計。該芯片基于鎖存免疫CMOS工藝,具備完整的半橋驅動能力,支持高達200V
2025-11-27 08:23:38
11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導體
2025-11-26 09:32:50
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高達200V的工作電壓(完全運行時電壓高達200V),兼容3.3V至5V的邏輯輸入電平。其獨特的浮動通道設計支持自舉操作,配合1A/1.5A的強大驅動電流,能夠為功率開關器件提供快速、可靠的驅動
2025-11-26 08:20:51
SiLM2024CA-DG是一款采用先進HVIC和鎖存免疫CMOS技術的高壓半橋驅動器,專為功率MOSFET和IGBT驅動設計。支持高達200V的工作電壓,提供290mA/600mA的非對稱驅動
2025-11-22 10:50:13
H6253HV 是惠海半導體推出的 200V 耐壓規格 DC-DC 降壓恒壓芯片,聚焦寬電壓適配與穩定輸出需求,適配多場景電源應用。
核心技術參數
輸入電壓適配范圍為 8V-180V,覆蓋中高壓輸入
2025-11-15 10:07:41
仁懋電子(MOT)推出的MBR30200W是一款30A規格的肖特基勢壘整流二極管,憑借200V耐壓、低正向壓降及高頻整流特性,適用于開關電源、逆變器、電池充電器等高頻整流場景。一、產品基本信息器件
2025-11-13 09:35:58
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【2025年11月5日, 德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車應用標準的氮化鎵(GaN)晶體管系列
2025-11-05 14:31:05
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及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續)和455V(瞬態)的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59
297 【2025年10月30日, 德國慕尼黑訊】 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出48V智能eFuse系列產品,以及
2025-10-30 15:25:03
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中科微電深耕功率半導體領域11年,依托深厚的技術積淀與項目經驗,推出的ZK200G120P N 溝道MOS管,以200V耐壓、129A大電流、SGT屏蔽柵工藝及TO-220封裝的黃金組合,不僅打破了傳統器件在高功率場景下的性能瓶頸,更重新定義了中高壓MOS管的應用標準,成為多領域設備升級的關鍵選擇。
2025-10-25 11:10:14
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當來自中國的精密數控機床抵達大阪工廠,面對日本獨特的200V工業電網,一道電力鴻溝成為設備啟動前必須跨越的障礙。 聯、席呂/生/150-1909-3116 近日,一批專門針對日本電網標準
2025-10-25 08:32:06
186 電子發燒友網綜合報道 ?近日,英飛凌推出首款符合 AEC-Q101 標準的 100V CoolGaN?汽車晶體管系列,并已經開始提供符合AEC-Q101標準的預生產產品系列樣品,包括高壓
2025-10-24 09:12:11
9040 三星COG材質電容的耐壓值通常覆蓋6.3V至500V,常見規格包括50V、100V、250V及500V,具體取決于封裝尺寸與產品系列。以下為詳細分析: 一、耐壓值范圍與典型規格 基礎耐壓值 COG
2025-10-13 14:38:59
389 SiLM2026是一款200V半橋門極驅動芯片,采用DFN3×3-8小型封裝,專為高壓、高開關頻率的應用場景設計。該產品基于先進的HVIC和鎖存免疫CMOS技術,具備高集成度和優異的抗干擾能力,可
2025-09-15 09:12:42
在工業自動化、機器人技術迅猛發展的今天,高效、緊湊、可靠的電機驅動方案成為提升設備性能的關鍵。SiLM2026EN-DG高壓半橋柵極驅動器,200V耐壓、強勁驅動電流(290mA/600mA) 以及
2025-09-04 08:22:55
國硅集成NSG2000 250V、快速、高壓側NMOS靜態開關常導通柵極驅動芯片一、概述NSG2000是一款快速、高壓側N溝道MOSFET柵極驅動器,采用高達250V的輸入電壓工作。該器件可以實現一
2025-08-29 14:26:42
電流傳感器產品型號AN1V 50 PB512AN1V 100 PB512AN1V 150 PB512AN1V 200 PB512AN1V 250 PB512AN1V 300 PB512本傳感器的原邊
2025-08-25 14:48:41
1 在工業電機控制和功率轉換領域,一款能夠提供智能相位管理的高壓驅動器對系統架構設計至關重要。SiLM2023CA-DG 正是這樣一款專為200V應用設計的創新型半橋驅動器。采用標準SOP8封裝,該芯片
2025-08-25 08:33:30
的要求, PFR20200CTF產品質量穩定,PFR20200CTF運用于充電器,小家電,電源,LED燈等電子產品
PTR20100CTF規格參數:
參數名稱屬性值
直流反向耐壓(Vr):200V
2025-08-20 14:53:50
惠海半導體針對高耐壓的應用推出了高性能低功耗且快速動態響應的降壓恒壓芯片H6251L,H6251L是一款輸入高達200V的高壓降壓開關控制器,可以向負載提供高達6.5A的連續電流。
H6251L產品
2025-08-20 09:10:28
在如今的科技發展浪潮中,電力電子器件的性能對眾多領域的發展至關重要。隨著1500V 光儲系統的廣泛應用,1000V/800V 新能源汽車架構平臺的蓬勃發展,高壓兆充的快速布局,森國科及時推出
2025-08-16 15:44:47
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宿舍空調作為典型制冷設備,出口日本時需面對三相 200V 與國內 380V、單相 100V 與國內 220V 的電壓差異。東莞卓爾凡電力科技有限公司推出的 200V 變 380V、100V 變 220V 專用變壓器,為這一適配難題提供專業解決方案。本文從技術原理出發,解析制冷設備出口日本
2025-08-07 10:20:11
820 
該TPS7H6101是一款耐輻射的 200V e 模式 GaN 功率 FET 半橋,集成柵極驅動器;e模式氮化鎵FET和柵極驅動器的集成簡化了設計,減少了元件數量,并減少了電路板空間。支持半橋和兩個獨立的開關拓撲、可配置的死區時間和可配置的直通互鎖保護,有助于支持各種應用和實現。
2025-08-06 16:44:48
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在現代電子設備和電氣系統中,電路保護至關重要,而保險絲作為最常用的保護元件之一,發揮著不可替代的作用。良勝保險絲 5*20 15A 250V 憑借其出色的性能和可靠的質量,成為眾多領域保障電路安全的理想選擇。
2025-08-04 18:08:43
826 特性:
- 200V浮動通道:支持高邊N-MOSFET/IGBT自舉操作,耐受負壓瞬變
- 寬電壓兼容:10-20V驅動供電,3.3V/5V/15V邏輯全兼容
- 智能防護:集成欠壓鎖定(UVLO
2025-08-01 08:40:59
該TPS65133設計用于為任何需要±5.0V電源軌的系統供電。 每個輸出可提供高達 250 mA 的輸出電流。輸入電源電壓范圍合適 用于鋰離子電池或固定 3.3V 電源。
對于大多數
2025-07-31 13:44:47
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,提供單芯片驅動高邊和低邊N溝道MOSFET或IGBT的能力,最高工作電壓可達 200V。
核心優勢:
200V 高壓浮動通道: 專為自舉操作設計,輕松驅動高邊開關管,簡化拓撲結構。
卓越的抗干擾性
2025-07-30 08:49:53
電子發燒友網綜合報道 200V低壓MOSFET數據中心電源、BLDC電機驅動、新能源等領域應用廣泛,在低壓領域MOSFET,SGT MOSFET由于其性能優勢,正在獲得快速增長,逐步取代傳統
2025-07-12 00:15:00
3191 。
惠海半導體MOS管包含20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-220的全系列NMOS和PMOS
2025-07-10 14:03:45
面對工業電源、BLDC電機驅動、新能源轉換系統對功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設備向小型化、高頻化、高可靠進化!
2025-07-03 18:03:35
1094 
當設備遠渡重洋,電力標準差異成隱雷!日本、部分東南亞、中東等地區采用三相200V電壓(50Hz/60Hz),普通UPS無法兼容,輕則宕機停產,重則損傷精密設備!優比施三相200V專用UPS——為全球
2025-06-26 13:36:03
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H6259A DCDC 降壓恒壓芯片
功能特性
高耐壓與寬輸入電壓范圍:內置 200V 耐壓 MOS,支持輸入高達 180V 的高壓,可適應 24V、48V、60V、80V、100V、150V
2025-06-25 09:18:48
,H6201L 的寬輸入電壓范圍(8V - 200V)能很好地適應這種情況,確保為汽車充電器、車載儀表等設備提供穩定的電源。例如在汽車啟動時,電源電壓可能會瞬間下降,H6201L 憑借其穩定的電壓輸出特性
2025-06-17 09:13:52
類比半導體(AnalogySemi)推出支持高側或者低側通用電流檢測放大器,其通常用于優化系統精密電流測量或者電流環路控制電路。該系列產品供電電壓范圍2.7V-5.5V,-0.3V-40V輸入共模
2025-06-13 10:36:10
1771 
-200V/50mΩ 高壓MOSFET。這款采用TO-247封裝的P溝道功率器件,以55A連續電流承載能力和超低導通電阻,填補了國產高壓MOSFET在工業電源、新能源及汽車電子領域的空白,標志著中國功率
2025-05-29 17:44:06
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LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 驅動器,專為超高頻、高效率應用而設計,具有可調死區時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側低側匹配,可優化系統效率。該器件還具有一個內部 LDO,無論電源電壓如何,都能確保 5V 的柵極驅動電壓。
2025-05-24 15:53:00
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INA200、INA201 和 INA202 器件是具有電壓輸出和集成比較器的高側電流分流監控器。INA20x 器件能夠在 -16V 至 +80V 范圍內的共模電壓下感測分流器兩端的壓降
2025-05-22 11:27:13
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范圍內的壓降,與電源電壓無關。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。
2025-05-18 10:11:11
864 
范圍內的壓降,與電源電壓無關。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。
2025-05-18 09:37:07
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范圍內的壓降,與電源電壓無關。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。
2025-05-18 09:26:57
885 
范圍內的壓降,與電源電壓無關。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。
2025-05-16 15:38:34
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范圍內的壓降,與電源電壓無關。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。
2025-05-16 14:57:25
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TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V
2025-05-15 18:14:26
720 
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率和大電流應用而設計。該系列包括 TPS7H6005(200V 額定值
2025-05-15 13:41:50
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過流檢測、電壓反饋控制環路或用作功率監控器。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流檢測。
2025-05-14 16:32:55
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分流電阻器上的電壓降。共有三種固定增益可供選擇:50V/V、100V/V 和200V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。這些器件由
2025-05-14 10:30:47
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,和 200V/V。零漂移架構的低偏移能夠實現整個分流器上最大壓降低至 10mV 滿量程的電流感測,或者具有超過 1000:1 的寬動態范圍。
2025-05-12 10:16:47
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過流檢測、電壓反饋控制環路或用作功率監控器。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流檢測。
2025-05-12 10:13:42
788 
/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過流檢測、電壓反饋控制環路或用作功率監控器。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流檢測。
2025-04-30 09:20:25
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范圍內的壓降,與電源電壓無關。共有六種固定增益可供選擇:50V/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 或 1000V/V。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流感應。
2025-04-29 09:54:32
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/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過流檢測、電壓反饋控制環路或用作功率監控器。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流檢測。
2025-04-25 14:41:39
748 
/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過流檢測、電壓反饋控制環路或用作功率監控器。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流檢測。
2025-04-25 14:34:58
820 
/V、75V/V、100V/V、200V/V、500V/V 和 1000V/V。該系列器件通常用于過流檢測、電壓反饋控制環路或用作功率監控器。零漂移架構的低偏移使得該器件能夠在分流器上的最大壓降低至 10mV(滿量程)的情況下進行電流檢測。
2025-04-25 14:17:01
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LT3580在5V出入的情況下,如何修改匝數比和反饋電阻,輸出200V電壓
2025-04-24 06:12:45
的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中感測電流檢測電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個固定增益器件選項中集成了匹配的電阻器增益網絡:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-21 11:27:33
1074 
的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中檢測電流檢測電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網絡,支持四個固定增益器件選項:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網絡可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-21 11:20:51
957 
的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中感測電流檢測電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個固定增益器件選項中集成了匹配的電阻器增益網絡:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-18 14:29:57
911 
的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中檢測電流檢測電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網絡,支持四個固定增益器件選項:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網絡可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-18 14:21:34
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的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中檢測電流檢測電阻器上的壓降。INAx180 集成了匹配的電阻增益網絡,支持四個固定增益器件選項:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網絡可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-18 09:23:19
808 
的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中感測電流檢測電阻器上的壓降。INAx181 系列器件在四個固定增益器件選項中集成了匹配的電阻器增益網絡:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可最大限度地減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-18 09:19:35
872 
),可在獨立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內的共模電壓中感測電流檢測電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個固定增益器件選項中集成了匹配的電阻器增益網絡:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-17 15:28:04
844 
)的一部分,可在獨立于電源電壓的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中檢測電流檢測電阻器上的壓降。INAx180 -Q1 集成了匹配的電阻增益網絡,支持四個固定增益器件選項:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網絡可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-17 15:04:57
901 
),可在獨立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內的共模電壓中感測電流檢測電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個固定增益器件選項中集成了匹配的電阻器增益網絡:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-17 10:54:24
775 
)的一部分,可在獨立于電源電壓的 –0.2V 至 +26V 范圍內的共模電壓中檢測電流檢測電阻器上的壓降。INAx180 -Q1 集成了匹配的電阻增益網絡,支持四個固定增益器件選項:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。該匹配的增益電阻網絡可更大程度地減少增益誤差,并降低了溫度漂移。
2025-04-15 18:13:20
1051 
電阻器上的壓降。INA185 集成了匹配的電阻增益網絡,支持四個固定增益器件選項:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可盡可能減少增益誤差,并降低溫度漂移。
2025-04-15 11:15:33
980 
),可在獨立于電源電壓的 –0.2V 至 26V 范圍內的共模電壓中感測電流檢測電阻器上的壓降。INAx181-Q1 系列器件在四個固定增益器件選項中集成了匹配的電阻器增益網絡:20V/V、50V/V、100V/V 或 200V/V。此匹配的增益電阻網絡可更大限度地減少增益誤差,并降低溫漂。
2025-04-15 11:11:10
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200KVA的隔離變壓器 480V變200V輸出端應該選用多大的電纜線?? 在電力系統中,變壓器輸出端電纜線的正確選擇至關重要。對于卓爾凡電源的 200KVA 480V 變 200V 隔離變壓器而言
2025-04-03 08:36:30
1172 ? 電路設計痛點終結者來了! ?
無論是高壓嚴苛環境還是低壓精密控制,?惠海半導體20-250V系列MOS管****? 以強性能橫掃行業難題,為您的項目注入高效、穩定、持久的動力
2025-03-27 17:13:20
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2025-02-27 00:58:00
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公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52
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、TO-252、SOP-8、SOT23、SOT89-3、TO-22****0**
我司有20V 30V 40V 60V 100V 150V 200V 250V的不同電壓值的PDFN33、PDFN56
2025-02-20 11:07:53
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2025-02-19 11:16:55
811 、±130V、±150V、±160V、±180V、±200VDC、±220VDC、±230VDC、±240VDC、±250VDC等,具有功率密度大,輸出功率高,應用范圍廣等優點。
2025-02-14 15:57:12
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2025-02-13 10:17:28
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2025-02-12 08:23:07
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英飛凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模塊(EasyPACK3B封裝以及62mm封裝)憑借其市場領先的產品設計以及卓越的性能,榮獲2024年全球電子成就獎
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基于英特爾 vPro 平臺的全新英特爾 酷睿 Ultra 200V系列移動處理器,為企業提供 AI 驅動的生產力和提升的IT管理能力1。該產品不僅擁有卓越的性能、效率和非凡的商務計算能力,還有先進的安全性和可管理性,為現代工作場所提供強大的平臺。
2025-01-20 09:21:13
1795 概述
SL3049 是一款外驅MOSFET管可設定輸出電流的同步降壓型開關轉換器,可工作在寬輸入電
壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓11V至250V可提供最大10A以上的輸出電流
2025-01-08 15:15:12
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