伦伦影院久久影视,天天操天天干天天射,ririsao久久精品一区 ,一本大道香蕉大久在红桃,999久久久免费精品国产色夜,色悠悠久久综合88,亚洲国产精品久久无套麻豆,亚洲香蕉毛片久久网站,一本一道久久综合狠狠老

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

MOSFET的導通電阻的概念及應用場合介紹

TI視頻 ? 作者:工程師郭婷 ? 2018-08-14 00:12 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

MOSFET的導電是單一導體,這也就等同于電阻導電的性質,那么如果想要耐壓越高就得把做厚,越厚的話導通電阻就會越大,TI 的低導通電阻系列的 MOSFET 開關,我們選擇導通電阻小于 1.7mΩ,MOSFET衡量它的導通,是個導通電阻的概念,MOSFET它特別適用于低壓場合,因為低壓時候它的導通電阻可以做得非常小,小到只有 1mΩ,那么這個時候它的損耗就特別有優勢。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電阻
    +關注

    關注

    88

    文章

    5801

    瀏覽量

    179766
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    10197

    瀏覽量

    234397
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    Onsemi ECH8690功率MOSFET:低通電阻的理想之選

    Onsemi ECH8690功率MOSFET:低通電阻的理想之選 在電子設計領域,功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件,其性能直接影響到電路的效率和穩定性。今天,我們來深入了解Ons
    的頭像 發表于 04-02 10:25 ?91次閱讀

    onsemi ECH8315 P溝道功率MOSFET:設計與應用解析

    onsemi ECH8315 P溝道功率MOSFET:設計與應用解析 在電子設計領域,功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件,尤其是在需要低通電阻的應
    的頭像 發表于 04-02 09:55 ?48次閱讀

    SGM25117A:超低通電阻的先進負載管理開關

    SGM25117A:超低通電阻的先進負載管理開關 在電子設備的設計中,負載管理開關起著至關重要的作用。今天我們要介紹的 SGM25117A 就是一款具有超低
    的頭像 發表于 03-24 17:25 ?515次閱讀

    SGM3718:超低通電阻雙 SPDT 模擬開關的卓越之選

    SGM3718:超低通電阻雙 SPDT 模擬開關的卓越之選 在電子設計領域,模擬開關是不可或缺的元件,它在信號切換、多路復用等方面發揮著重要作用。今天要給大家介紹的 SGM3718 雙 SPDT
    的頭像 發表于 03-17 09:40 ?344次閱讀

    SGM3003:超低通電阻、低壓單刀雙擲模擬開關的卓越之選

    擲(SPDT)模擬開關,看看它有哪些獨特的性能和應用場景。 文件下載: SGM3003.pdf 一、SGM3003概述 SGM3003是一款雙向、TTL/CMOS兼容的模擬開關,采用1.8V至5.5V單電源供電。它具有低通電阻
    的頭像 發表于 03-17 09:30 ?406次閱讀

    深入剖析SGM2267:超低通電阻雙路SPDT模擬開關

    )推出的SGM2267,一款超低通電阻的雙路單刀雙擲(SPDT)模擬開關。 文件下載: SGM2267.pdf 一、產品概述 SGM2267是一款工作在1.8V至4.2V單電源下的雙路SPDT模擬開關。它具有超低
    的頭像 發表于 03-17 09:25 ?345次閱讀

    MAX14634:超低壓通電阻雙向電池開關的卓越之選

    MAX14634/MAX14680:超低壓通電阻雙向電池開關的卓越之選 在電子設備設計領域,電池管理至關重要,尤其是對于高容量電池應用,高效且可靠的電池開關不可或缺。今天,我們就來深入探討
    的頭像 發表于 02-09 16:55 ?298次閱讀

    芯源的MOSFET采用什么工藝

    采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的,用于改善通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低通電阻,并提高MOS管開關速度,
    發表于 01-05 06:12

    MOSFET通電阻Rds

    (1)Rds(on)和通損耗直接相關,RDSON越小,功率MOSFET通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。 (2)Rds(on)時正溫度系數,會隨著MOSFET溫度升高而變大,
    發表于 12-23 06:15

    關于0.42mΩ超低通電阻MOSFET的市場應用與挑戰

    在電源管理系統和高效電池管理系統(BMS)設計中,MOSFET作為開關元件,扮演著重要角色。由于其通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生,因此低
    的頭像 發表于 12-16 11:01 ?400次閱讀
    關于0.42mΩ超低<b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的市場應用與挑戰

    MDD MOS通電阻對BMS系統效率與精度的影響

    在電池管理系統(BMS)中,MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件,其通電阻(RDS(on))參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE,在支持客戶調試或可
    的頭像 發表于 11-12 11:02 ?592次閱讀
    MDD MOS<b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b>對BMS系統效率與精度的影響

    TPS22995低通電阻負載開關技術解析與應用指南

    Texas Instruments TPS22995通電阻負載開關支持可配置上升時間,以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET,并且支持3.8A的最大連續電
    的頭像 發表于 09-02 14:57 ?958次閱讀
    TPS22995低<b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b>負載開關技術解析與應用指南

    CoolSiC? MOSFET G2通特性解析

    問題。今天的文章將會主要聚集在G2的通特性上。在MOSFET設計選型過程中,工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極通電阻RDS(on)作
    的頭像 發表于 06-16 17:34 ?892次閱讀
    CoolSiC? <b class='flag-5'>MOSFET</b> G2<b class='flag-5'>導</b>通特性解析

    MOSFET通電阻參數解讀

    通電阻(RDSON)指的是在規定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態時(工作在線性區),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映
    的頭像 發表于 05-26 15:09 ?4888次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>導</b><b class='flag-5'>通電阻</b>參數解讀

    新潔能Gen.4超結MOSFET 800V和900V產品介紹

    電壓的平衡。另超結MOSFET具有更低的通電阻和更優化的電荷分布,因此其開關速度通常比普通MOSFET更快,有助于減少電路中的開關損耗。由于其出色的高壓性能和能效比,超結
    的頭像 發表于 05-06 15:05 ?1800次閱讀
    新潔能Gen.4超結<b class='flag-5'>MOSFET</b> 800V和900V產品<b class='flag-5'>介紹</b>