01產(chǎn)品介紹
揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品,產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,同時(shí)提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應(yīng)用于高功率密度和高效率電力電子變換系統(tǒng)。
02產(chǎn)品特點(diǎn)
1、產(chǎn)品采用優(yōu)化的SGT工藝, 產(chǎn)品內(nèi)阻低,開關(guān)特性優(yōu);
2、耐高溫特性,工作溫度175℃,出色的散熱性能,有著優(yōu)異的溫升表現(xiàn);
3、產(chǎn)品采用TOLL、TO-263等封裝,適用于BMS等大功率應(yīng)用;
4、針對工控應(yīng)用的各種工作狀態(tài), 優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS能力,提高產(chǎn)品的可靠性

更多產(chǎn)品請?jiān)斠姽倬W(wǎng)
03典型應(yīng)用
BMS
DC-DC
儲能
光伏微逆
關(guān)于揚(yáng)杰
揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化(IDM)的杰出廠商。產(chǎn)品線含蓋分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模塊、SiC、整流器件、保護(hù)器件、小信號等,為客戶提供一攬子產(chǎn)品解決方案。
公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車電子、清潔能源、工控、5G通訊、安防、AI、消費(fèi)電子等諸多領(lǐng)域。
公司于2014年1月23日在深交所上市,證券代碼300373,相信在您的關(guān)懷支持下,我們一定能夠成為世界信賴的功率半導(dǎo)體伙伴。
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10393瀏覽量
234648 -
清潔能源
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
309瀏覽量
19284 -
揚(yáng)杰科技
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
158瀏覽量
12381
原文標(biāo)題:SGT工藝N60V MOSFET新品,點(diǎn)亮清潔能源新效能
文章出處:【微信號:yangjie-300373,微信公眾號:揚(yáng)杰科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
Onsemi FQD2N60C/FQU2N60C MOSFET:高性能N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET深度解析
深入解析 onsemi FQD2N60C/FQU2N60C N 溝道 MOSFET
Onsemi FCP380N60E和FCPF380N60E MOSFET:特性與應(yīng)用解析
Onsemi FCP190N60和FCPF190N60 MOSFET:高性能開關(guān)利器
Onsemi FCPF7N60與FCP7N60 MOSFET深度解析
Onsemi FCP20N60與FCPF20N60 MOSFET技術(shù)解析
Onsemi FCP190N60E與FCPF190N60E MOSFET深度解析
FCP130N60 N-溝道 SuperFET? II MOSFET:高性能功率器件解析
FCH041N60F:N溝道MOSFET的卓越之選
深入剖析CSD18535KTT 60V N-Channel NexFET? Power MOSFET
揚(yáng)杰科技PCIM Asia 2025圓滿落幕
揚(yáng)杰科技推出新一代To-247PLUS封裝1200V IGBT單管
揚(yáng)杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產(chǎn)品
揚(yáng)杰科技亮相PCIM Europe 2025 以硬核技術(shù)驅(qū)動能源變革
揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品
評論