国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

電子發燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>新品快訊>飛兆半導體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

飛兆半導體推出型號為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦
熱點推薦

ROHM車載低耐壓MOSFET新增HPLF5060封裝產品

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)宣布,適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓(40V/60VMOSFET產品陣容中,又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封裝產品。
2026-01-04 15:10:42169

選型手冊:VS4020AS N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用小型封裝(圖中未明確具體型號,推測為SOP類小封裝),適配低壓小型電源管理、電機驅動等領域。一、產品
2025-12-31 17:30:401613

選型手冊:VS4618AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN3333封裝,適配低壓小型高功率密度電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道
2025-12-31 17:20:351311

選型手冊:VS4604AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-31 17:14:451192

TPS929120AQPWPRQ1 12 通道 40V 高側 LED 驅動器

TPS929120AQPWPRQ112通道40V高側LED驅動器產品型號:TPS929120AQPWPRQ1產品品牌:TI/德州儀器產品封裝:HTSSOP24產品功能:12通道40V高側LED驅動器TPS929120AQPWPRQ1特征●高電流精度:5–75mA時
2025-12-30 11:23:3472

龍騰半導體推出新一代150V G3平臺SGT MOSFET產品LSGT15R032

隨著新能源汽車電驅系統與電池管理(BMS)對高效率、高可靠性功率器件需求的不斷攀升,功率半導體技術正面臨新一輪革新。為應對市場對更低損耗、更高功率密度解決方案的迫切需求,龍騰半導體正式推出
2025-12-29 10:18:56619

選型手冊:VSP020P06MS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型:P溝道增強型
2025-12-26 12:01:16108

選型手冊:VS4518AD P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型:P溝道增強型功率
2025-12-23 11:39:03236

選型手冊:VS4080AI N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用DIPPAK封裝,適配低壓中功率電源管理、負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率
2025-12-23 11:18:11195

40V、1.5kW BLDC電機驅動逆變器REF_40VDC_1.5KW_SAW設計解析

40V、1.5kW BLDC電機驅動逆變器REF_40VDC_1.5KW_SAW設計解析 在電子工程師的日常工作中,電機驅動設計是一個關鍵且富有挑戰性的領域。今天,我們就來深入探討一下
2025-12-18 14:50:10454

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅動的新突破

探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET:電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中,為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185

選型手冊:VS40200AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-17 18:24:11158

選型手冊:VS4603GPMT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18205

選型手冊:VS40200ATD 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,采用TO-263封裝,適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉換器等領域
2025-12-17 18:13:5497

選型手冊:VS4603GPHT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15161

東芝推出全新TCKE6系列40V eFuse IC產品

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,在其支持多種供電線路保護功能的電子保險絲/熔斷器(eFuse IC)產品線中新增五款40V“TCKE6系列”產品——“TCKE601RA
2025-12-15 15:52:14322

選型手冊:VS40200AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型:N
2025-12-15 10:49:09204

選型手冊:VS4603DM6 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-263-RL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-11 11:52:34195

選型手冊:VS3540AC P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS3540AC是一款面向-30V低壓小電流場景的P溝道增強型功率MOSFET,采用SOT23小型封裝,適配低壓負電源切換、小型負載開關等領域。一、產品基本信息器件類型:P溝道增強型
2025-12-10 09:44:34249

選型手冊:VS4802GPHT-IG N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用PDFN5x6封裝,適配低壓超大電流DC/DC轉換器、電源管理等領域。一、產品基本信息
2025-12-09 10:26:37255

選型手冊:VS4401AKH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TOLL封裝,適配低壓大電流DC/DC轉換器、電源管理、高功率負載開關等領域。一、產品基本信息
2025-12-05 11:41:32236

選型手冊:VS40200AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借超低導通電阻與200A大電流承載能力,適配低壓超大電流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296

探索 NTMFS7D5N15MC:高性能N溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET 的卓越表現

在電子工程領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著各類電源和電路的效率與穩定性。今天,我們就來深入了解一款由 onsemi 推出的 N 溝道屏蔽柵 PowerTrench MOSFET——NTMFS7D5N15MC,看看它在實際應用中能為我們帶來哪些驚喜。
2025-12-02 14:31:27327

選型手冊:VS4610AE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品
2025-12-02 09:32:01253

選型手冊:VS4620GP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高可靠性,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域
2025-12-01 15:07:36169

選型手冊:VS4401ATH N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封裝,憑借1.4mΩ極致低導通電阻與400A大電流承載能力,適用于低壓大電流
2025-12-01 11:10:07189

選型手冊:VS4620GEMC N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能,適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等
2025-11-28 12:03:51204

選型手冊:VS4020AP N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

半導體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借極低導通電阻與高可靠性,適用于DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等領域。一
2025-11-26 14:55:52232

選型手冊:MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、高雪崩穩定性及無鉛封裝特性,適用于DC/DC轉換器、高頻開關與同步整流等領域
2025-11-25 15:23:16209

選型手冊:MOT4522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、無鉛環保封裝特性,適用于DC/DC轉換器等低壓功率轉換場景。一、產品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47190

基于onsemi NTTFSSCH1D3N04XL MOSFET數據手冊的技術解析與應用指南

安森美NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設計用于處理大電流,這對于直流-直流電源轉換級至關重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低
2025-11-22 17:40:472215

選型手冊:MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借先進溝槽技術、低導通電阻及低柵極電荷特性,適用于負載開關、PWM應用、電源管理等領域。一、產品
2025-11-19 15:25:38249

選型手冊:MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通電阻、無鉛環保封裝特性,適用于DC/DC轉換器等低壓功率轉換場景。一、產品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39241

選型手冊:MOT4025G 互補增強型 MOSFET

仁懋電子(MOT)推出的MOT4025G是一款互補增強型MOSFET,集成N溝道與P溝道管,憑借40V耐壓、超低導通電阻及優異開關特性,適用于電機驅動、DC-DC轉換器等大功率場景。以下從器件特性
2025-11-04 16:33:13496

傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產品力及應用深度分析

傾佳代理的基本半導體碳化硅MOSFET分立器件產品力及應用深度分析 I. 執行摘要 (Executive Summary) 基本半導體(BASiC Semiconductor)提供的碳化硅(SiC
2025-10-21 10:12:15390

圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、低導通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。
2025-10-14 17:34:482209

龍騰半導體650V 99mΩ超結MOSFET重磅發布

龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET,其內置FRD,適應LLC應用,并適合多管應用,具有更快的開關速度,更低的導通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統效率和優異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511272

微源半導體推出H橋驅動芯片LPD8880

LPD8880是一款可驅動雙向直流電機的H橋驅動芯片,集成了4個低導通內阻的N溝道MOSFET,上下管內阻和僅為500mΩ,輸入耐壓40V,可支持工作電壓4.5V到36V,非常適用于掃地機器人,自動窗簾,打印機,掃描儀等智能家居應用場景。
2025-09-19 09:36:011688

基本半導體1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊,產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術,在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上,通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03976

Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合,該系列采用行業標準微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630

TLV181x/TLV182x系列40V軌至軌輸入比較器技術解析

Texas Instruments TLV18xx/TLV18xx-Q1雙通道微功耗比較器是一個40V單通道、雙通道和四通道比較器系列,具有多個輸出選項。該器件提供推挽或開漏輸出版本的軌到軌輸入
2025-09-03 15:19:14759

博微BW-4022A可以測試那些半導體器件?可以測試那些參數、精度如何?

/wKgZPGhQ4zKATz1gAAQbYGz1hTI930.png) 博微BW-4022A可測試參數指標: A. 電流源,電壓源 1). 加壓(FV) VIS自帶VI測量單元 量程 分辨率 精度 ±40V 625uV ±0.1% 設定值±3mV ±20V
2025-08-28 12:28:15

引領高效能新紀元:基本半導體 SiC MOSFET 模塊,賦能尖端工業應用

Semiconductor)深耕第三代半導體領域,隆重推出新一代1200V SiC MOSFET模塊系列,包含BMF60R12RB3、BMF80R12RA3、BMF120R12RB3
2025-08-25 18:07:22836

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293

芯伯樂300kHz降壓DC/DC轉換器4.5V~40V寬電壓范圍,5A大電流高效輸出

產品概述XBL4005是芯伯樂推出40V/5APWM同步降壓轉換器,采用300kHz固定頻率控制,集成高效功率MOSFET與多重保護機制。其0.8V~37V輸出及最大100%占空比特性,可應對工業
2025-07-31 18:04:18352

替代LM2596同步降壓轉換器40V/3A大電流

概述:(替代LM2596)PC2596 是一款降壓型開關電壓調節芯片,可固定輸出3.3V、 5V、 12V,也可根據需要調節輸出電壓,電壓輸出范圍在 1.2V-37V,輸入電壓最高可達 40V,輸出
2025-07-15 14:21:34

現代集成電路半導體器件

目錄 第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合 第3章?器件制造技術 第4章?PN結和金屬半導體結 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42

40V耐壓降壓芯片SL3061 支持9-36V降壓5V2.5A直流有刷電機供電電源IC

開關穩壓器是深圳市森利威爾電子有限公司推出的一款高性能產品。它能夠在6V40V的寬輸入電壓范圍內穩定工作,提供最大2.5A的輸出電流,并保持著高效率。這一特性使其能夠輕松應對各種復雜的電源環境,確保
2025-07-09 17:14:01

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二極管數據手冊

Analog Devices Inc. LTC4451 40V 7A理想二極管使用集成N溝道功率MOSFET替代高性能肖特基二極管。該器件可輕松將OR電源結合在一起,以提高系統可靠性并防止反向導通。
2025-06-24 11:46:08679

LMR14030 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 40V、3.5A、2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LMR14030 是一款 40V、3.5A 降壓型穩壓器,集成了高側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。穩壓器在
2025-06-23 16:43:30812

LMR14020 SIMPLE 開關穩壓器、4V40V、2A 2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LMR14020 是一款 40V、2A 降壓穩壓器,集成了高側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。穩壓器在休眠模式
2025-06-23 15:30:37673

LMR14050 具有 40μA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 40V、5A、2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LMR14050 是一款 40V、5A 降壓型穩壓器,集成了高側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。穩壓器在休眠
2025-06-23 15:24:48855

LV14340 40V、3.5A、2MHz 降壓轉換器數據手冊

LV14340 是一款 40V、3.5A 降壓穩壓器,集成了高壓側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。寬可調
2025-06-23 13:55:06587

LV14240 40V、2A SIMPLE SWITCHER、? 2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LV14240 是一款 40V、2A 降壓穩壓器,集成了高側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。寬可調開關頻率范圍
2025-06-23 13:43:27566

LV14540 40V 5A 2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LV14540 是一款 40V、5A 降壓穩壓器,集成了高側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。寬可調開關頻率范圍
2025-06-23 11:01:11580

40V DCDC 輸出可調 降壓恒壓電源芯片 SL3061

高效可靠的 40V 降壓恒壓電源芯片 SL3061,重新定義工業與消費電子電源解決方案在工業自動化、汽車電子及智能家居等領域,對寬輸入電壓、高精度輸出的電源管理芯片需求日益增長。森利威爾推出
2025-06-20 17:26:07

LMR14020-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、2A、2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LMR14020-Q1 是一款 40V、2A 降壓穩壓器,集成了高壓側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。擴展系列
2025-06-20 13:53:54666

LMR14050-Q1 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、5A、2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LMR14050-Q1 是一款 40V、5A 降壓穩壓器,集成了高壓側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。擴展系列
2025-06-20 11:43:48644

LMR14030-Q1 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER? 汽車級 40V、3.5A、2.2MHz 降壓轉換器數據手冊

LMR14030-Q1 是一款 40V、3.5A 降壓穩壓器,集成了高壓側 MOSFET。該器件具有 4V40V 的寬輸入范圍,專為從工業到汽車的各種應用而設計,用于非穩壓電源的電源調節。擴展
2025-06-20 11:25:32824

類比半導體推出支持-0.3V-40V共模的車規級雙向通用電流檢測放大器

類比半導體(AnalogySemi)推出支持高側或者低側通用電流檢測放大器,其通常用于優化系統精密電流測量或者電流環路控制電路。該系列產品供電電壓范圍2.7V-5.5V,-0.3V-40V輸入共模
2025-06-13 10:36:101771

辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數據中心、工業自動化及新能源領域,MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結合屏蔽柵技術,突破傳統性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力,在高功率應用領域持續輸出。
2025-06-11 09:37:31754

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產品

作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發團隊持續創新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產品
2025-06-11 08:59:592500

MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET

在服務器電源、工業驅動及新能源領域,MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術,為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

華太半導體推出60V轉5V0.5A降壓IC-HT2459

華太半導體(Hottek-semi)最新推出輸入電壓范圍:4.5V-60V,頻率:150KHz/1.2MHz,SOT23-6封裝,高耐壓DC-DC降壓芯片,HT2459(異步),HT2481
2025-05-19 17:49:43

納微半導體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準,以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現行業最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301341

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971

基本半導體推出新一代碳化硅MOSFET

近日,基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產品性能進一步提升,封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列,面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018

40V耐壓降壓芯片SL3061 支持9-36V降壓5V2.5A直流有刷電機供電電源IC

,符合工業級設備標準 特點 ● 最大2.5A輸出電流 ● 6V40V寬工作電壓范圍 ● 內置功率MOSFET ● 140KHZ-500KHZ頻率可調 ● 過溫保護 ● 逐周期過流保護 ● >90%的效率 ● 低功耗 ● 輸出電壓可調 ● 采用SOP8封裝
2025-04-30 16:27:51

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

這款 40V、2.8mΩ、5mm × 6mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18513Q5A 40V N 溝道 NexFET
2025-04-16 10:54:00755

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

產品概述 ? 型號 ?:CSD18512Q5B ? 類型 ?:40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?:SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點 ?:低導通電阻(R_DS(ON))、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33784

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數據手冊

這款 40V、1.4mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18510KCS 40V N 溝道 NexFETTM 功率
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率
2025-04-15 16:23:11772

TLV9352 雙通道、40V、3.5MHz、低功耗運算放大器技術手冊

TLV935x 系列(TLV9351、TLV9352 和 TLV9354)是 40V 成本優化型運算放大器系列。
2025-04-11 10:20:03843

TLV9351 單通道、40V、3.5MHz、低功耗運算放大器技術手冊

TLV935x 系列(TLV9351、TLV9352 和 TLV9354)是 40V 成本優化型運算放大器系列。
2025-04-09 15:31:25902

易創新與納微半導體達成戰略合作 高算力MCU+第三代功率半導體的數字電源解決方案

? ? ? 今日,易創新宣布與納微半導體正式達成戰略合作!雙方將強強聯合,通過將易創新先進的高算力MCU產品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優勢整合,打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443885

Nexperia推出12通道40V高邊LED驅動器

Nexperia(安世半導體)近日推出一款符合AEC-Q100標準的12通道、40 V高邊LED驅動器 (IC)。該產品達到功能安全ASIL-B等級,適用于要求功能安全的汽車照明系統,可廣泛
2025-03-28 09:23:36926

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945

MOSFET與IGBT的區別

半導體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產品族)。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

MOSFET在AI中的應用 #MOSFET #半導體 #電子 #人工智能

半導體
微碧半導體VBsemi發布于 2025-03-21 17:32:06

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導體)正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
2025-03-21 10:11:001232

TLV1812-EP 具有推挽輸出的40V雙通道比較器技術手冊

TLV1812-EP 和 TLV1822-EP 是具有多個輸出選項的 40V 雙通道比較器。該系列提供軌到軌輸入以及推挽或開漏輸出選項。這些器件具有出色的速度功率組合,傳播延遲為 420ns,整個電源電壓范圍為 2.4V40V,每個通道的靜態電源電流僅為 5μA。
2025-03-19 10:27:09956

TLV1864 具有開漏輸出和反向電池保護功能的40V毫微功耗四通道比較器技術手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項的失效防護 (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:42:15861

TLV1854 具有推挽輸出和反向電池保護功能的40V毫微功耗四通道比較器技術手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項的失效防護 (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:37:11879

TLV1862 具有開漏輸出和反向電池保護功能的40V毫微功耗雙通道比較器技術手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項的失效防護 (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:14:53847

TLV1852 具有推挽輸出和反向電池保護功能的40V毫微功耗雙通道比較器技術手冊

TLV185x 和 TLV186x 是 40V 毫微功耗比較器系列,具有單通道、雙通道和四通道選項。該系列提供具有推挽和開漏輸出選項的失效防護 (FS) 輸入。這些特性與在 1.8V40V
2025-03-18 11:09:06913

AP6G04BLI 風扇燈專用MOS 6A 40V SOT23-6L

AP6G04BLI采用先進的溝槽技術提供優良的rds (ON),低柵極電荷和工作電壓低至4.5V。這該裝置適合作為電池保護裝置使用或其它開關應用。一般特征V ds = 40v I d = 6.3aR
2025-03-14 09:17:411

陸芯科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

LTH004SQJ 40V互補增強型功率MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《LTH004SQJ 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:58:540

LTH004SQ-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《LTH004SQ-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-04 16:34:440

LTH004SQ 40V互補增強型功率MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《LTH004SQ 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:32:210

LTH004SQ-Z 40V互補增強型功率MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《LTH004SQ-Z 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 16:30:510

LTH004SR-4L-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《LTH004SR-4L-X 40V互補增強型功率MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:36:330

LTH004SRU-4L 40V互補增強型功率MOSFET規劃書

電子發燒友網站提供《LTH004SRU-4L 40V互補增強型功率MOSFET規劃書.pdf》資料免費下載
2025-03-01 15:35:350

BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《BUK9M8R5-40HN溝道40V、8.5mΩ邏輯電平MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:16:000

BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規格書

電子發燒友網站提供《BUK9M3R3-40H N溝道40V、3.3 mΩ邏輯電平MOSFET規格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 11:31:090

LED芯片巨頭馳,全面進軍化合物半導體

▍全球最大數字智能化LED芯片廠加碼化合物半導體 來源:LEDinside等網絡資料 近日,馳集團二十周年盛典暨全球戰略合作伙伴生態峰會在江西隆重召開,在盛典上,馳集團明確了未來10到20年
2025-01-23 11:49:081624

40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN!

BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28

意法半導體推出全新40V MOSFET晶體管

意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271022

砹德曼半導體 PD車充應用 MOSFET 可選型與推薦 支持樣品與技術

(VGS=10V) AD40N70D5: 40V/N/PDFN5*6/4.7mohm Typ.(VGS=10V) ◆VBUS 用MOSFET AD30N25D3: 30V/N/PDFN3*3
2025-01-10 17:45:43

已全部加載完成