Toshiba推車用低導通電阻功率MOSFET

　　東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器。

　　主要特性

　　1. 低導通電阻（VGS=10V），RDS（ON）=1.9mΩ（標準值）

　　2. 低漏電電流IDSS=10μA（最大值）（VDS=額定電壓）

　　3. 通道溫度=175℃保證工作溫度

　　4. 引線插入類型TO-220SIS封裝

　　封裝圖示

TK80A04K3L的TO-220SIS封裝圖示

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MOSFET(230991) MOSFET(230991)
東芝(124056) 東芝(124056)
電源芯片(81913) 電源芯片(81913)
汽車芯片(44738) 汽車芯片(44738)

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2022-11-14 09:05:17

1750

東芝開發帶嵌入式肖特基勢壘二極管的低導通電阻高可靠性SiC MOSFET

)(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝

2022-12-12 18:01:53

1837

EN系列：保持低導通電阻與開關速度，改善噪聲性能

超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到第二代。

2023-02-10 09:41:07

1710

功率MOSFET管Rds負溫度系數對負載開關設計有什么影響

本文論述了功率MOSFET管導通電阻的正溫度系數和負溫度系數的雙重特性以及相對應的VGS的轉折電壓，功率MOSFET管在開通和關斷時要跨越這兩個區域的工作過程。

2023-02-16 11:22:59

2170

SiC FET導通電阻隨溫度變化

比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。

2023-02-21 09:24:56

1877

ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

2023-05-03 11:31:44

1157

ROHM開發具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。

2023-05-10 14:20:06

903

資料下載 | 低導通電阻 Nch 功率MOSFET（銅夾片型）產品參考資料

。“導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，

2023-05-17 13:35:02

1478

Toshiba推出小巧輕薄型共漏極MOSFET，具有極低導通電阻，適合快速充電設備

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V

2023-05-19 10:20:07

1678

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導通電阻構成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。

2023-06-25 17:19:02

6125

大聯大世平集團推出基于TOSHIBA產品的工業型條碼打印機解決方案

本方案采用的TB67S128FTG是一款兩相雙極步進電機驅動IC，絕對最大輸出為50V/5A。TOSHIBA的創新工藝幫助MOSFET驅動實現了低功耗以及0.25Ω的低導通電阻，這可以減少大電流驅動時熱量的產生。

2023-07-13 09:51:50

1261

如何避免功率MOSFET發生寄生導通

如何避免功率MOSFET發生寄生導通?

2023-09-18 16:54:35

1614

功率MOSFET基本結構：超結結構

高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。

2023-11-04 08:46:12

6731

Toshiba推出適用于USB設備和電池組保護的30V N溝道共漏MOSFET

?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。

2023-11-08 16:22:22

1301

具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET

的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻

2023-11-20 01:30:56

1063

昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。

2024-01-04 14:37:57

1617

具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數據表

電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數據表.pdf》資料免費下載

2024-03-15 10:51:39

具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數據表

電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數據表.pdf》資料免費下載

2024-03-15 13:46:04

昕感科技發布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0

近日，昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。

2024-05-11 10:15:44

1889

MOSFET導通電壓的測量方法

MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。MOSFET的導通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止狀態到導通狀態的電壓值。 MOSFET

2024-08-01 09:19:55

2997

銳駿半導體發布全新超低導通電阻MOSFET

近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。

2024-10-08 15:15:39

1054

ROHM推出超低導通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。

2025-03-13 15:08:04

1208

TPS22995低導通電阻負載開關技術解析與應用指南

Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續電流。

2025-09-02 14:57:49

638

MDD MOS導通電阻對BMS系統效率與精度的影響

在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可

2025-11-12 11:02:47

339

選型手冊：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應用、負載開關、電源管理等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道

2025-11-21 10:31:06

233

關于0.42mΩ超低導通電阻MOSFET的市場應用與挑戰

在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統

2025-12-16 11:01:13

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Toshiba推車用低導通電阻功率MOSFET

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