導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
負載開關基本電路及發展概況
負載開關基本電路 功率MOSFET是一種具有良好開關特性的器件：導通時其導通電阻RDS(ON)很小；在關斷時其漏電流IDSS很小。另外，它的耐壓
2009-12-12 11:48:283026 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:083396 選擇負載開關時，需要確保它具有針對你的應用的正確額定值。尤其要注意最大電壓、最大電流以及導通電阻 （RON）。在確認負載開關具有正確的電壓和電流額定值后，需要決定可接受的功率損耗（V = IR壓降）。
2015-05-13 14:56:401819 
2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。為了獲得低導通電阻值，就必須增大硅片面積，需要更大晶片面積降低導通電阻，一些大電流應用需要更大封裝尺寸，成本隨之增加，Crss電容增加導致開關損耗增加，系統功率密度很難提高，應用受到很大限制。 高
2023-10-07 09:57:368691 
Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742 、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
降低損耗”為目標開發而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關系，但利用ROHM獨有的工藝技術和優化技術優勢，實現了兩者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商標。開關損耗和傳導損耗更低
2018-12-04 10:23:36
FDC6324L是一款集成負載開關 是使用ON生產的半導體專有的高單元密度DMOS技術。這種非常高密度的工藝特別適合于將導通電阻降至最低，并提供優越的開關性能 這些設備特別適用于需要低導通損耗和簡單
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導出的傳遞函數同樣為和，同樣按兩個步驟來推導。開關
2018-11-30 11:48:22
與這款TI解決方案的比較。TPS22968使該客戶能將它們的占位面積減少80％以上，同時集成更多的功能，如受控的壓擺率和快速輸出放電功能。 圖2：雙通道分立開關與集成式負載開關（TPS22968）的尺寸
2018-09-05 15:37:50
輸入電壓和最大負載電流。負載開關的導通電阻是導通FET 的特性，將用于計算負載開關的功耗。導通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負載開關的架構。2. 柵極驅動器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
器件MOSFET的導通電阻逐年下降，導通電阻小的可做到幾mΩ。集成負載開關中的MOSFET導通電阻稍大，目前可做到幾十mΩ左右。為了改善開關的性能，使開關慢啟動（慢啟動是指開關接通時，其電壓上升率是一
2011-07-11 11:52:48
負載開關IC是一種集成了MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的集成電路，能夠實現對負載的快速、高效和安全的開關控制。它具有低導通電阻、低漏電流、高電壓隔離等特點，可以滿足不同應用場景的需求
2024-09-29 16:42:47
德州儀器 (TI) Philippe Pichot 電池供電系統中正越來越多地采用集成電源開關，旨在斷開所有未用子系統。這些應用包括 RF 功率放大器、無線局域網 (WLAN) 或藍牙&
2011-07-28 08:39:25
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經開發了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
NCP45521的典型（負載開關）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減小解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-20 08:07:20
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-17 10:09:17
的 TPS22959，可實現總輸出電流 30A。主要特色增加了最大輸出電流降低了總導通電阻 (RON)輸出上升時間更短功率耗散更低降低了快速輸出放電 (QOD) 電阻
2018-08-14 06:29:01
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
` （1）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
降低導通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業品所不允許的。引入少數載流子導電雖能降低導通壓降，但付出的代價是開關速度的降低并出現拖尾電流，開關損耗增加，失去了MOSFET的高速的優點。 以上兩種辦法
2023-02-27 11:52:38
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導通電阻，4A 集成負載開關 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
FET導通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI推出全面集成型負載開關TPS22924C
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類
2009-12-18 09:29:501078 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p
2012-06-20 16:57:37
95 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:582187 MTM非晶硅反熔絲導通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 消除模擬開關導通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:151 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關產品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關，集合了頂級FETIP與系統級保護功能。
2017-09-19 17:34:597 接地導通電阻測試儀檢定規程
2017-10-09 09:15:180 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 ADG1411/ADG1412/ADG1413：1.5?導通電阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四路單擲開關數據表
2021-04-29 11:02:404 ADG1636：1Ω典型導通電阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3V雙Ω開關數據表
2021-04-29 13:58:5213 ADG1611/1612/1613：1Ω典型導通電阻、±5 V、+12 V、+5 V和+3.3V四路單擲開關數據表
2021-05-20 12:11:175 相比，集成式負載開關的優勢是什么？
?
如圖1所示，典型的分立式解決方案包括一個P通道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、一個N通道MOSFET和一個上拉電阻器。雖然這對開關電源軌來說
2021-11-24 14:40:565617 
導通電阻是二極管的重要參數，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數的影響”。
2023-02-24 09:51:161606 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 在一般情況下，場效應管（FET）的導通電阻越小越好，因為較小的導通電阻意味著在導通狀態下，FET可以提供更低的電阻，允許更大的電流通過。
2024-03-06 16:44:5018812 
電子發燒友網站提供《具有反向電流保護和受控接通功能的 5.5V、3A、13mΩ導通電阻負載開關TPS2296xC數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:43:220 電子發燒友網站提供《5.7V、5A、14mΩ 導通電阻汽車負載開關TPS2295x-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:47:540 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:51:390 電子發燒友網站提供《具有受控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22929D數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:18:440 電子發燒友網站提供《5.7V、6A、導通電阻為 16mΩ 的負載開關TPS22975數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:17:430 電子發燒友網站提供《5.5V、4A、27mΩ 導通電阻負載開關TPS22968-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:16:030 電子發燒友網站提供《5.7V，6A，16mΩ 導通電阻負載開關TPS22965數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:09:230 電子發燒友網站提供《3.6V、3A、導通電阻為 9mΩ 的負載開關TPS22925數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:28:030 電子發燒友網站提供《3.6V、2A、導通電阻為 18.3mΩ 的負載開關TPS22924x數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:26:390 電子發燒友網站提供《3.6-V，2-A，14-mΩ導通電阻負載開關TPS2292x 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:25:360 電子發燒友網站提供《具有受控接通功能的超低導通電阻 4A集成負載開關TPS22920L數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:22:040 電子發燒友網站提供《5.5V、2A、37mΩ 導通電阻負載開關TPS2291xx數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:50:490 電子發燒友網站提供《5.5V、2A、導通電阻為 52mΩ 的負載開關TPS22918數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:47:190 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:46:040 電子發燒友網站提供《5.5V、2A、導通電阻為 52mΩ 的負載開關TPS22918-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:42:260 電子發燒友網站提供《具有受控開通功能的3.6V、500mA、78mΩ導通電阻負載開關TPS2290x數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 14:08:340 電子發燒友網站提供《3.6-V，1-A，44-mΩ導通電阻負載開關TPS22907數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 14:05:430 電子發燒友網站提供《具有熱保護的 2.7V-18V、79mΩ 導通電阻負載開關TPS22810數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 14:25:100 電子發燒友網站提供《具有熱保護功能的TPS22810-Q1 2.7V-18V、79mΩ導通電阻負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 14:12:160 電子發燒友網站提供《5.7V、6A、14mΩ 導通電阻雙通道負載開關TPS22976數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 10:43:550 電子發燒友網站提供《具有可調上升時間的5.5V、10A、4mΩ導通電阻負載開關TPS22997數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-25 11:36:270 電子發燒友網站提供《具有穩壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導通電阻快速導通負載開關TPS22999數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 10:38:480 電子發燒友網站提供《5.5V、10A、導通電阻為 4mΩ 的負載開關TPS22998數據表 .pdf》資料免費下載
2024-03-27 15:30:360 電子發燒友網站提供《5.5V、4A、16mΩ 導通電阻汽車負載開關TPS22965x-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-28 18:17:410 電子發燒友網站提供《5.5V、3A、19mΩ 導通電阻汽車類負載開關TPS22995H-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-01 16:18:150 電子發燒友網站提供《具有受控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS2291xx數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-02 10:45:080 電子發燒友網站提供《具有可調上升時間的5.5V、3.8A、18mΩ導通電阻負載開關TPS22995數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-03 11:24:530 電子發燒友網站提供《5.5V、4A、14mΩ 導通電阻雙通道負載開關TPS22996數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 10:50:020 電子發燒友網站提供《5.5V、10A、導通電阻為 3.9mΩ 的負載開關TPS22990數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 11:18:130 電子發燒友網站提供《5.5V，6A，4.4mΩ 導通電阻負載開關TPS22969數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 11:17:000 電子發燒友網站提供《5.5V，10A，4.4mΩ 導通電阻負載開關TPS22962數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 14:14:510 電子發燒友網站提供《5.5V，15A，4.4mΩ 導通電阻負載開關TPS22959數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 14:10:290 電子發燒友網站提供《5.7V、5A、14mΩ 導通電阻負載開關TPS2295x數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-07 14:06:060 近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 TPS22995是一款單通道負載開關，集成了N-channel MOSFET，具有低導通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38666 
Texas Instruments TPS22999導通電阻負載開關是一款單通道負載開關，旨在實現快速導通時間和較低的浪涌電流。該負載開關具有N溝道MOSFET，可在0.1V至V~BIAS~ -1V
2025-08-08 09:51:111000 
Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續電流。
2025-09-02 14:57:49637 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監測和輸出放電功能的低導通電阻負載開關。該器件可應用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設備、固態硬盤和手持設備。
2025-11-05 17:24:162153 
在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統
2025-12-16 11:01:13198 
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