Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了微型無引線DFN0603封裝的肖特基二極管。該30V、0.1A額定值的SDM02U30LP3包含了開關、反向阻斷及整流功能，從而滿足智能手機與平板電腦等超便
2012-11-01 09:31:38
1682 英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。
2013-03-27 15:08:031647 英飛凌科技股份公司（FSE代碼： IFX / OTCQX代碼： IFNNY）進一步壯大其高壓產品組合，推出采用全新650V超結MOSFET技術的CoolMOSTM C7。全新的C7產品家族針對所有標準封裝實現了一流的通態電阻RDS（on）。另外，得益于低開關損耗，還可在任何負載條件下實現能效改進。
2013-05-20 11:31:282996 基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業標桿，不僅通態電阻（RDS（on））降低，還具有業內領先的熱性能指標。該產品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅動、SMPS（包括服務器、電信和
2020-02-18 17:50:082025 OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央柵極版。中央柵極版針對多部裝置并聯作業進行了優化。
2020-11-04 11:20:371997 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內實現更高的效率和更加優異的性能。新產品廣
2023-09-06 14:18:432171 
單元（ECU）市場預計將在未來幾年持續增長。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）針對這一發展趨勢，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導體產品
2023-10-13 13:57:362179 
電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為
2024-03-14 11:07:581205 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:184422 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
，在40 V 產品組合中新增了采用穩健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優化，包括電動
2024-06-18 17:51:281177 
看英飛凌的OptiMOS 7系列產品。 ? 官網產品列表 來源：英飛凌 OptiMOS系列是英飛凌面向中低壓領域的產品，產品覆蓋10V到300V區間，主打一個高性能和高性價比。OptiMOS系列的特點包括極低的RDS(on)以及高效率和高功率密度，適合于較高開關頻率的應用，像通信應
2025-02-27 00:58:002676 
采用了CoolMOS? C7和TRENCHSTOP? 5 IGBT技術的半導體器件，以及采用D2PAK 7引腳表面貼裝封裝的1200V CoolSiC? MOSFET（IMBG120R350M1H
2022-08-09 15:17:41
壓大功率MOSFET 100V-250V產品特征1、低導通電阻，低柵極電荷2、高散熱能力，高結溫下，大電流持續導通能力3、高EAS能力。（100%UIS測試）P/NPartNumberPackageV
2012-06-20 16:24:38
的MOSFET設計，就無法做到這一點。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補償技術的第一個功率MOSFE器件。相對于傳統
2018-12-07 10:21:41
表說明了每種封裝技術對于主要參數影響因素如能效、功率密度和可靠性的不同效應。這些組件包含一個采用IR硅技術的幾乎相同的30V MOSFET芯片。表1 幾種封裝的對比 基于所有上述特性，PQFN5×6
2018-09-12 15:14:20
，工程師們已定義一套FOM以應用于新的低壓功率MOSFET技術研發。由此產生的30伏特(V)技術以超級接面(Superjunction)為基礎概念，是DC-DC轉換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
。 特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開關超結MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑；一個用于
2018-10-08 15:19:33
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
員所需要的。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
HGK075N10L【TO-252、100V15A、VGS=20V、Vth=1.65V、75mR@10V、SGT工藝】
HGK075N10L 是一款面向中低壓功率場景的N 溝道 SGT 工藝
2025-11-17 14:04:46
技術,是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF20V器件可實現業界領先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為<br/&
2010-05-06 08:55:20
/DC開關電源的設計開發。2009年加入英飛凌科技（中國）有限公司。任系統應用工程師，負責英飛凌功率半導體器件的應用和方案推廣。演講內容介紹：英飛凌新的OptiMOS產品為MOSFET分離器件設立了一個
2012-07-13 10:50:22
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規級基于EDT2技術及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴展性。根據逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
導讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產品
2018-11-29 17:13:53
作為開關模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現代功率轉換
2018-12-07 10:23:12
全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ
2009-11-02 09:16:321221 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進一步擴大OptiMOSTM產品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統
2010-01-26 09:22:571239 英飛凌推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
為提高計算和電信產品的能效，英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示
2010-03-01 11:20:471055 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅動應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071571 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術，OptiMOS-T2器件成為大電流汽車電機驅動應用、電動助力轉向（EPS）系統和汽車啟停系統的理想解決方案。
出于成
2010-08-09 09:08:22748 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3x3封裝，為電信、網絡通信和高端臺式機及筆記本電
2010-11-24 09:14:351748 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:231339 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現更高的功率密度。在以并聯方式使用的傳統MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯的組件對。
2011-03-09 09:13:026854 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術
2011-06-16 09:35:044804 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標桿，從而進一步
2011-09-13 08:33:16897 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41898 英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據點生產出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導體晶片(first silicon)，成為全球首家進一步成功采用此技術的公司。采用300mm薄晶圓
2011-10-14 09:51:431352 英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無鉛功率MOSFET
2011-12-08 10:42:451485 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381775 2015年3月24日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今日推出了OptiMOS? 5 25V和30V產品家族，它們是采用標準分立式封裝的新一代功率MOSFET。
2015-04-01 14:06:081666 SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎上進一步增大功率密度、減少漏源電壓V DS的尖峰。
2019-09-25 10:28:176007 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493799 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高
2021-03-01 12:16:023163 OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381562 英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。
2022-02-15 13:51:382670 
英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。
2022-03-14 17:39:162199 
OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056087 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:531669 
30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB15ENE
2023-02-08 19:23:20
0 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV15ENE
2023-02-15 18:46:420 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN15ENE
2023-02-15 18:47:050 12 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PXP3R7-12QU
2023-02-15 19:42:080 未來電力電子系統的設計將持續推進，以實現最高水平的性能和功率密度。為順應這一發展趨勢，英飛凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封裝的源極底置功率MOSFET，電壓范圍涵蓋
2023-02-16 16:27:221708 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB12R7EP
2023-02-16 21:20:320 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN7R7-25QL
2023-02-17 19:14:340 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 30 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB14R7EP
2023-02-17 19:20:400 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV15UNEA
2023-02-20 19:39:480 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV15ENEA
2023-02-20 19:51:410 12 V、P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB15XPA
2023-02-23 18:47:580 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150 20 V，單個 N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB15XN
2023-02-27 18:31:310 KYOCERA AVX京瓷推出首款采用FlexIterm?技術的汽車級多層壓敏電阻
2023-03-01 14:00:431820 
12 V、單 P 溝道溝槽 MOSFET-PMPB15XP
2023-03-03 20:13:130 KUU推出超小型SOT-723封裝MOSFET，特別為空間受限的便攜式應用優化的新一代MOSFET，這些新低閾值電壓MOSFET采用KUU先進的溝槽工藝技術來取得能夠和SOT-523等大上許多封裝
2023-04-04 16:10:392732 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進一步優化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產品 IXTY2P50PA。這個創新的產品設計能滿足汽車應用的嚴苛要求，提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:251341 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:011647 
英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
全球微電子工程公司Melexis近日宣布，推出首款采用全新專利Triphibian?技術的壓力傳感器芯片MLX90830。
2024-01-22 13:58:091901 在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:291432 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統和能量轉換領域邁入了新的發展階段。
2024-03-12 09:53:521337 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021124 英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715 全球半導體行業的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術，專為滿足汽車電子產品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
2024-04-15 15:49:331566 
英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 英飛凌科技近日發布了一款采用OptiMOS? MOSFET技術的SSO10T TSC封裝。這款封裝憑借其獨特的頂部直接冷卻技術，為汽車電子控制單元提供了卓越的散熱性能，有效防止熱量傳遞至印刷電路板（PCB）。
2024-05-07 15:10:031273 東芝近日發布了兩款專為車載環境設計的N溝道功率MOSFET產品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導通電阻達到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業和計算應用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422284 
英飛凌再次引領行業潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創新和卓越性價比，在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:451266 近日，英飛凌正式發布了采用OptiMOS? 6功率MOSFET的模塊化半橋功率板。這款功率板模塊采用了OptiMOS? 6功率MOSFET 135V，并配備了D2PAK 7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。
2024-10-23 17:27:101206 新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模塊化半橋功率板該套件功率板模塊采用OptiMOS6功率MOSFET135V，D2PAK7引腳封裝，是LVD可擴展功率演示板平臺的功率部分。它是一個帶功率
2024-10-24 08:03:521298 公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其CoolSiC MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。 CoolSiC MOSFET
2025-02-21 16:38:52758 
及TO-247-3和TO-247-4封裝擴展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續）和455V（瞬態）的TOLL封裝新產品
2025-10-31 11:00:59297 ? 7優化40V功率MOSFET.pdf 一、產品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機驅動優化技術。該系列產品主要面
2025-12-18 14:30:06188 75V-100V車用MOSFET.pdf 產品概述 IAUTN08S5N012L 是一款專為汽車應用設計的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET，屬于 N 溝道增強模式、正常電平類型。它不僅通過了 AEC - Q101 認證，還進行了額外的擴展鑒
2025-12-19 10:20:16207 英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開關板：技術解析與應用前景 在現代電力電子領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是不可或缺的關鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03232 探索英飛凌最新120V溝槽功率MOSFET技術：從原理到應用 在電子工程領域，功率MOSFET技術的不斷創新推動著各類電力電子設備向更高效率、更高功率密度和更高系統可靠性邁進。英飛凌作為行業的領軍者
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