導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:083396 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電
2012-12-04 22:17:341675 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-20 15:18:002039 “XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上
2023-02-06 10:01:471486 
”和“TPD2017FN”，用于可控制電機、螺線管、燈具和其他應用（如工業設備的可編程邏輯控制器）中使用的感性負載的驅動。高邊開關（8通道）“TPD2015FN”和低邊開關（8通道）“TPD2017FN”從今日開始出貨。 ? ? 新產品使用東芝的模擬器件整合工藝（BiCD）[1]，實現0.4Ω（典型值）的導通電阻，比東
2023-02-07 14:56:11939 
]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有
2023-03-30 13:37:141310 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護電路。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:121099 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:141126 
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-17 10:09:17
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經開發了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數千V的高耐壓功率器件。高耐壓功率器件的阻抗主要由該漂移層的阻抗組成，因此采用SiC可以得到單位面積導通電阻非常低的高耐壓器件。理論上
2019-07-23 04:20:21
，個人感覺很不錯。基本參數：4A/50V/32細分。封裝：HSSOP36，大功率封裝，改善了東芝之前QFN封裝產品焊接難的問題。散熱窗朝上，安裝散熱片非常方便導通電阻：0.49Ω。耗散功率相對于之前的產品
2016-10-25 10:13:51
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
、BD82054QVZ以及BD82055QVZ）。這幾款單通道高側開關IC采用N溝道功率MOSFET，具備低導通電阻（典型值63m?，VIN=5V），輸入電壓范圍2.7V~5.5V，非常適用于通用串行總線（USB
2019-04-10 06:20:03
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導出的傳遞函數同樣為和，同樣按兩個步驟來推導。開關
2018-11-30 11:48:22
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區域和導電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除導通時低摻雜的高耐壓外延層對導通電阻只能起增大作用外并無其他用途。這樣，是否可以將導電通道以高摻雜較低電阻率實現，而在MOS
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進SGT（屏蔽柵極槽）技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于高效電源管理和高速開關的應用場
2024-10-14 09:40:16
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 2、動態特性；其測試電路和開關過程波形如圖3所示。 開通
2023-02-27 11:52:38
Vishay推出具有最高32V電源電壓的新款IGBT和MOSFET驅動器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出兩款新型IGBT和MOSFET驅動器，豐富了其已
2009-07-01 09:30:55778
FET導通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI發布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 ANADIGICS推出具有豐富功能的新型功率放大器
為應對全球不斷增長的移動WiMAX服務需求，ANADIGICS, Inc.今日推出具有豐富功能的新型功率放大器(PA)AWT6283R，專用于提升WiMAX
2010-02-06 10:53:33686 ANADIGICS推出具有豐富功能的新型功率放大器AWT6283R
ANADIGICS 推出具有豐富功能的新型功率放大器（PA）AWT6283R，專用于提升WiMAX收發器的性能和效率。AWT6283R 是業界首部可
2010-02-23 08:47:13916 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021430 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301730 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p
2012-06-20 16:57:37
95 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 Vishay發布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內工作，具有低至20m?的導通電阻、低靜態電流， 導通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:582187 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 MTM非晶硅反熔絲導通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關產品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關，集合了頂級FETIP與系統級保護功能。
2017-09-19 17:34:597 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 東芝推出采用DIP4封裝的大電流光繼電器，具有低導通電阻和大額定導通電流，更易使用。
2018-09-29 15:35:355155 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
2020-06-22 15:54:121262 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-19 16:11:224353 
LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導通電阻、12V熱插拔，保證SOA
2021-06-03 13:15:149 導通電阻是二極管的重要參數，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 )(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 ULN2803L是為低電壓下工作的系統而設 計的八通道低導通電阻NMOS驅動電路。
特性 ? 0.5A 輸出電流（單路輸出） ? 工作電壓范圍 2.0-7.0V ? CPC20和SOP18封裝
2022-12-19 14:14:0219 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，
2023-02-04 18:31:453724 控制器等應用中使用的其他器件的感性負載驅動。兩款產品從今天開始出貨。 新產品使用東芝的模擬器件整合工藝(BiCD)[1]，可實現0.4Ω（典型值）的輸出級導通電阻，比東芝現有產品[2]低50%以上。TPD2015FN和TPD2017FN均采用SSOP30封裝[3]，其貼裝面積約為現有產品[2]所采
2023-02-08 13:22:37705 ]，實現0.4Ω（典型值）的導通電阻，比東芝現有產品[2]低50%以上。TPD2015FN和TPD2017FN均采用
2023-02-09 15:30:00497 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。這是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具
有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種
2023-02-20 15:46:150 比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
極導通電阻，比東芝目前100V產品“ TPH3R70APL ① ”低16% [2] 。通過同樣的比較，TPH3R10AQM將安全工作
2023-06-29 17:40:011395 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-08-03 14:34:59830 
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。
2023-09-27 10:08:551235 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101320 SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個數量級，從而可以減少功率器件的功率損耗。
2023-12-20 15:47:44993 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩定的電阻
2024-02-19 09:25:132221 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:51:390 電子發燒友網站提供《具有受控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22929D數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:18:440 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:46:040 電子發燒友網站提供《具有1.8V邏輯器件的36V、低導通電阻、2:1 、4通道精密開關TMUX6234數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:53:000 電子發燒友網站提供《具有穩壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導通電阻快速導通負載開關TPS22999數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 10:38:480 電子發燒友網站提供《具有受控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS2291xx數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-02 10:45:080 近日，昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0，導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
。同時，東芝還研發了半超結[4]肖特基勢壘二極管(SJ-SBD)，有效解決了高溫下導通電阻增大的問題。這兩項技術突破有望顯著提升功率轉換器件的可靠性與效率，尤其在電動汽車和可再生能源系統等領域。
2025-06-20 14:18:50957 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監測和輸出放電功能的低導通電阻負載開關。該器件可應用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設備、固態硬盤和手持設備。
2025-11-05 17:24:162153 
靠性驗證過程中，經常遇到因導通電阻選型不當導致效率降低、采樣偏差或誤動作的問題。一、RDS(on)的基本定義與作用MOSFET的導通電阻RDS(on)是指器件在完全導
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統
2025-12-16 11:01:13198 
電子發燒友App
工商網監
評論