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電子發燒友網>新品快訊>TI推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關--TI TPS

TI推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關--TI TPS

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請幫忙看看這個TI ADR芯片的具體型號

圖片就是這樣,驗證過,絲印TI 26 ADR也可以用,請大家幫忙給出具體型號,感謝!
2025-07-06 23:08:47

英飛凌推出具有超低通電阻的CoolSiCTM MOSFET 750 V G2

行業芯事行業資訊
電子發燒友網官方發布于 2025-07-04 11:25:31

TPS548D22 具有差分遠程感應功能的 1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉換器數據手冊

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TPS548D21 具有 AVSO和差分遠程感應功能的1.5V 至 16V、40A 同步 SWIFT? 降壓轉換器數據手冊

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TPS568215 是 TI 最小的單片 8A 同步降壓轉換器,具有自適應通時間 D-CAP3? 控制模式。該器件集成了低通電阻 DS(on) 功率 MOSFET,可實現高效率,并以最少的外部
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2025-06-05 13:37:46577

TPS568236 4.5V 至 18V 輸入、8A 同步降壓穩壓器,具有通時間 D-CAP3? 控制模式數據手冊

TPS568236 是具有自適應通時間 D-CAP3 控制模式的單片 8A 同步降壓轉換器。集成的低通電阻 DS(on) 功率 MOSFET 可實現高效率,并以最少的外部元件數量為空間受限的電源
2025-06-05 09:50:51530

特瑞仕XC8107/XC8108/XC8109系列參數特性 負載開關IC選型 數據手冊與產品手冊分享

特瑞仕的XC8107/XC8108/XC8109系列是高性能負載開關 IC,具有低通電阻、快速響應和靈活的電流限制設置。
2025-05-26 18:24:271325

MOSFET通電阻參數解讀

通電阻(RDSON)指的是在規定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態時(工作在線性區),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET在通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343803

TPS2543 USB 充電端口控制器和帶負載檢測的 2.5A 電源開關數據手冊

TPS2543 是一個 USB 充電端口控制器和電源開關,集成了 USB 2.0 高速數據線 (D+/D–) 開關TPS2543 在 D+/D– 線路上提供電信號 支持在 Device
2025-05-26 10:08:00690

TPS2547 USB 充電端口控制器和帶負載檢測的 3A 電源開關數據手冊

TPS2547 是一個 USB 充電端口控制器和電源開關,帶有集成的 USB 2.0 高速數據線 (D+/D–) 開關TPS2547 在 D+/D– 上提供電簽名,以支持*功能描述*部分中列出
2025-05-23 09:59:34774

MAX22910具有高級診斷和負載電流監控功能的21mΩ、80V高側開關技術手冊

MAX22910 是一款工業高端開關,用作電流源輸出設備。高端開關通電阻 R~ON~ 為 21mΩ(典型值)和 40mΩ(最大值)。最大負載電流受到限制,并通過 CURLIM 電阻器設置在 0.7A 至 9A 范圍內,精度為 ±10%。在+100°C 環境溫度下,最大連續負載電流高達 7A。
2025-05-20 15:54:48826

MUN12AD03-SECM替代TPSM86325x、TPSM82913、TPSM843320、TPSM82903、TPS82130

MUN12AD03-SECM是一款高效率DC/DC電源模塊,具備PWMT Mode自動操作和根據負載的省電模式,可提供更簡易的控制電路和更快的瞬態響應。MUN12AD03-SECM電源模塊憑借其卓越
2025-05-20 09:29:11

TPS22901 3.6V、0.5A、78mΩ、22nA 漏電流負載開關數據手冊

TPS22901、TPS22902 和 TPS22902B 都是小的、低通電阻 (r ~上~ ) 負載開關。這些器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 1.0 V 至 3.6 V 的輸入電壓
2025-05-14 10:44:11534

TPS22960 具有輸出放電功能的 2 通道、5.5V、0.5A、435mΩ 負載開關數據手冊

TPS22960 是一款具有受控通功能的小型低 rON 雙通道負載開關。這些器件包含兩個 P 溝道 MOSFET,可在 1.62V 至 5.5V 的輸入電壓范圍內工作。每個開關都由開/關輸入
2025-05-14 09:43:07546

TPS22904 具有輸出放電的 3.6V、0.5A、66mΩ 負載開關數據手冊

TPS22903 和 TPS22904 超小,低 r~上~單通道 帶受控通的負載開關。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 1.1 V 至 3.6 V。開關由開和關輸入
2025-05-13 16:11:461042

TPS22934 具有輸出放電的 3.6V、1A、63mΩ 負載開關數據手冊

TPS22934 是一個小的低通電阻 (r ~上~ ) 帶受控通的負載開關。這些器件包含一個 P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作。 該開關由具有
2025-05-13 15:26:43584

TPS22924B 3.6V、2A、18.3mΩ 負載開關,輸出放電和 3.6V 時上升時間為 100μs數據手冊

TPS22924x 是一款小型低 R~上~帶受控轉數的負載開關 上。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.75 V 的輸入電壓范圍內工作 至 3.6 V。集成電荷泵對 NMOS 開關
2025-05-13 14:18:56577

TPS22920 具有輸出放電的 3.6V、4A、5.3mΩ 負載開關數據手冊

TPS22920x 是一款節省空間的小型負載開關 具有受控通功能,以減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可以 在 0.75 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作,開關電流高達
2025-05-13 13:45:41490

TPS22929D 具有輸出放電的 5.5V、1.8A、115mΩ 負載開關數據手冊

直接連接 帶低壓控制信號。TPS22929D 為 active high enable。 該TPS22929D包含一個 150 Ω 片上負載電阻器,可在 開關已關閉。設備的上升時間在內部進行控制,以避免浪涌 當前。
2025-05-13 10:25:30599

TPS22966 2 通道、5.5V、6A、16mΩ 負載開關,具有可調上升時間和輸出放電數據手冊

TPS22966 是一個小而低的 R ~上~ ,帶受控通的雙通道負載開關。該設備包含 兩個 N 溝道 MOSFET,可在 0.8 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并且可以 支持每通道最大
2025-05-13 09:57:32535

TPS22964C 具有輸出放電的 5.5V、3A、14mΩ 負載開關數據手冊

A。一 集成電荷泵偏置 NMOS 開關,以實現低開關通電阻。這 開關由 ON/OFF 輸入 (ON) 控制,該輸入 (ON) 能夠直接與 低壓 GPIO 控制信號。TPS22963/64 器件的上升時間由內部控制 以避免浪涌電流。
2025-05-12 15:58:13547

TPS22967 具有可調上升時間和輸出放電的 5.5V、4A、22mΩ 負載開關數據手冊

TPS22967 器件是一款小型、超低 R ~上~ 、單通道負載 帶受控通的開關。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 輸入電壓范圍為 0.8 V 至 5.5 V,可支持4 A 的最大
2025-05-12 15:54:20597

TPS22963C 5.5V、3A、14mΩ 負載開關數據手冊

A。一 集成電荷泵偏置 NMOS 開關,以實現低開關通電阻。這 開關由 ON/OFF 輸入 (ON) 控制,該輸入 (ON) 能夠直接與 低壓 GPIO 控制信號。TPS22963/64 器件的上升時間由內部控制 以避免浪涌電流。
2025-05-12 15:38:06619

TPS22968 具有可調上升時間和輸出放電功能的 2 通道、5.5V、4A、25mΩ 負載開關數據手冊

TPS22968x 是一款小型、超低 R ~上~ ,雙通道負載開關,帶受控通。該器件包含兩個 N 溝道 MOSFET,可在 0.8 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持每個通道4 A
2025-05-12 14:28:14611

TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負載開關,具有可調上升時間、電源正常和可選輸出放電數據手冊

一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 10 A 的最大連續電流。寬輸入電壓范圍和高電流能力使這些器件可用于多種設計和終端設備。3.9mΩ 通電阻可最大限度地減少負載開關兩端的壓降和負載開關的功率損耗。
2025-05-10 10:42:12753

TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負載開關,具有可調上升時間和可選輸出放電數據手冊

TPS22976 產品系列由三個器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個器件都是一個具有受控通功能的雙通道負載開關。該器件包含兩個 N 溝道 MOSFET,可在
2025-05-10 10:07:48710

TPS22971 具有可調上升時間、電源正常和輸出放電的 3.6V、3A、6.7mΩ 負載開關數據手冊

工作,并支持 3 A 的最大連續電流。6.7mΩ 的低通電阻可最大限度地降低負載開關兩端的功率損耗和壓降。該開關由開和關輸入 (ON) 控制,該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
2025-05-10 09:40:59577

TPS22970 具有輸出放電的 3.6V、4A、4.7mΩ 負載開關數據手冊

TPS22970 是一款節省空間的小型負載開關,具有受控通功能,可減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.65 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內工作,脈沖開關電流高達
2025-05-10 09:34:50594

TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負載開關數據手冊

TPS22916xx 是一款小型單通道負載開關,使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實現最小的功率損耗。先進的柵極控制設計支持低至 1 V 的工作電壓,通電阻和功率損耗的增加最小。 多個
2025-05-10 09:30:45603

TPS22917 5.5V、2A、80mΩ、10nA 漏負載開關可調上升時間和可調輸出放電數據手冊

TPS22917x 器件是一款小型單通道負載開關,使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實現最小的功率損耗。先進的柵極控制設計支持低至 1 V 的工作電壓,通電阻和功率損耗的增加最小
2025-05-09 17:14:15844

TPS22998 5.5V、10A、4mΩ 通電阻負載開關數據手冊

TPS22998 是一款單通道負載開關,可提供可配置的上升時間,以最大限度地減少浪涌電流。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.2 V 至 5.5 V 的輸入電壓范圍內工作,并支持 10 A 的最大連續電流。
2025-05-08 14:25:49704

MUN24AD01-SH 替代TPS82130SILT,TPS82085,ADP2388,ADP2389,LTM8022

在緊湊電子設備設計中,電源模塊的選型直接影響系統性能和布局效率。Cyntec的MUN24AD01-SH模塊如何成為TITPS82130SILT、TPS82085,ADI的ADP2388
2025-05-08 09:15:39

TPS22995 具有可調上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 通電阻負載開關數據手冊

TPS22995是一款單通道負載開關,集成了N-channel MOSFET,具有低通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38663

TPS22997 具有電源正常功能的 5.5V 10A 4mΩ 通電阻負載開關數據手冊

關閉時快速輸出放電,以及下降時間(t ~秋天~ ) 的輸出可以通過外部電阻器進行調整。該器件上有一個電源良好 (PG) 信號,指示主 MOSFET 何時完全通,可用于啟用下游負載。集成熱關斷功能可確保在高溫環境中提供保護。
2025-05-07 16:28:22661

TPS22999 具有有限浪涌電流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 通電阻快速負載開關數據手冊

TPS22999 是一款單通道負載開關,旨在實現快速通時間,同時保持低浪涌電流該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的輸入電壓范圍內工作,并可支持 1.5 A 的最大連續電流。
2025-05-07 10:00:56536

TPS22996 具有可調上升時間的 2 通道、5.5V、4A、14mΩ 通電阻負載開關數據手冊

TPS22996 產品系列由兩個器件組成:TPS22996 和 TPS22996N。每個器件都是一個具有受控通功能的雙通道負載開關。該器件包含兩個 N 溝道 MOSFET,可在 0.6 V 至
2025-05-07 09:47:53599

ROHM推出超低通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

惠斯通電橋的電阻測量方法

QT-24霜式電橋中的電阻箱)、直流電源、萬用電表、滑線變阻器、開關等儀器齊備且功能正常。 連接電路 :按照惠斯通電橋的電路圖正確連接各元件。通常,惠斯通電橋由四個電阻組成,分別為R1、R2、R3(可調電阻)和Rx(待測電阻)。這
2025-02-13 15:11:193532

通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術平臺解析

,Wolfspeed第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰而設計,并為 Wolfspeed 的各類產品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產品)制定了長遠的發展規劃路線圖。 ? 通電阻大幅下降,開關損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術主要的提升在于三個部分,首
2025-02-13 00:21:001523

通電阻僅為3?!納祥科技NX899單刀雙擲開關助力高效能設備

NX899是一款先進的CMOS模擬開關,它采用硅柵CMOS技術制造,在保持CMOS低功耗的同時,實現了非常低的傳播延遲和低通電阻,模擬電壓和數字電壓可能在整個供電范圍內(從VCC到GND)有所不同。 在性能上,NX899能國產替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121123

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