這款 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。
*附件：CSD18511KCS 40V N 溝道 NexFET 功率 MOSFET 數據表.pdf

特性

• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS（ON）
• 低熱阻
• 雪崩評級
• 無鉛端子電鍍
• 符合 RoHS 規范
• 無鹵素
• TO-220 塑料封裝

參數

方框圖

1. 產品概述

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設計用于最小化功率轉換應用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導通電阻（RDS(ON)），適用于次級側同步整流和電機控制等應用。

2. 主要特性

2.1 電氣特性

• ? 漏源電壓（VDS） ?：40V
• ? 柵源閾值電壓（VGS(th)） ?：1.8V
• ? 柵極電荷（Qg） ?：
  • 10V下：63.9nC
  • 柵極到漏極電荷（Qgd）：9.7nC
• ? 導通電阻（RDS(ON)） ?：
  • VGS = 4.5V時：3.2mΩ
  • VGS = 10V時：2.1mΩ
• ? 反向恢復電荷（Qrr） ?：62nC
• ? 反向恢復時間（trr） ?：31ns

2.2 熱特性

• ? 結到殼熱阻（RθJC） ?：0.8°C/W
• ? 結到環境熱阻（RθJA） ?：62°C/W

2.3 其他特性

• ?無鉛端子鍍層?
• ?RoHS合規?
• ?無鹵素?
• ?雪崩額定?

3. 應用范圍

• ?次級側同步整流器?
• ?電機控制?

4. 封裝與可訂購信息

• ?封裝類型?：TO-220塑料封裝
• ?可訂購部件號?：CSD18511KCS
• ?包裝?：50個/管

5. 絕對最大額定值

• ? 漏源電壓（VDS） ?：40V
• ? 柵源電壓（VGS） ?：±20V
• ? 連續漏極電流（ID） ?：
  • 封裝限制：110A
  • 硅限制（TC = 25°C）：194A
  • 硅限制（TC = 100°C）：137A
• ? 脈沖漏極電流（IDM） ?：400A
• ? 功率耗散（PD） ?：188W
• ? 工作溫度范圍（TJ, Tstg） ?：-55至175°C

6. 注意事項

• ?靜電放電（ESD）警告?：處理時需采取適當的靜電放電預防措施。
• ?文檔更新通知?：用戶可注冊接收文檔更新的通知。
• ?支持資源?：提供TI E2E?支持論壇鏈接，供工程師獲取快速、經驗證的設計幫助。

7. 修訂歷史

• 從初始發布（2017年7月）到最新修訂（2024年3月），主要更新了文檔中的表格、圖形和交叉引用編號格式。

8. 典型MOSFET特性

文檔提供了包括瞬態熱阻抗、飽和特性、轉移特性、柵極電荷、電容、閾值電壓與溫度關系、導通電阻與柵源電壓關系、歸一化導通電阻與溫度關系、二極管正向電壓、最大安全操作區域等典型MOSFET特性曲線和圖表。