瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。

此款新產品具有業界最低的0.72 mΩ（典型值、30 V）導通電阻，比瑞薩早期產品低約50%，并具備高效率與小尺寸安裝面積封裝（8-pin HVSON），能以較小的封裝提供高電流控制，有助于節省電力及電源組件的小型化，用于大型伺服器儲存系統。

以關鍵任務系統而言，通常會提供備援供電，亦即使用ORing FET搭配多個電源裝置，以維持伺服器儲存系統的高可靠性。這些ORing FET連接至各電源供應器的電源輸出線路。ORing FET在正常運作時會維持導通，但若其中一個電源供應器故障時，該電源供應器的ORing FET將切換為關閉狀態，以便將故障的電源供應器與其他電源供應器加以隔離，確保故障的電源供應器不會干擾系統電力。

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正常運作時，電源輸出線路需處理數十至數百安培的大電流。ORing FET必須具備低導通電阻特性以避免導通損耗的增加或電源電壓的下降。

為因應上述需求，瑞薩以該公司的全新低導通電阻製程為基礎，目前已開發叁款MOSFET產品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求，可為電源供應裝置提供領先業界的低導通電阻以及更小的外型。

新款低導通電阻功率MOSFET產品有兩個特色。首先是業界最低導通電阻，新款μPA2766T1A提供業界最低的0.72 mΩ （典型值、30 V應用）導通電阻及5 mm x 6 mm小尺寸封裝，其導通電阻僅約為瑞薩塬有產品的二分之一。如此可藉由降低網路伺服器及儲存系統所使用之電源供應器內的ORing FET的傳導損耗，提升系統整體的電源效率，這些系統也正是達成智慧型社會的關鍵應用。另外，還能藉由大電流來抑制電壓大幅降低的情形。即使是電流波動幅度較大的電源供應器，也有可能達到高精度的電源電壓。

另一特色為8-pin HVSON封裝及小尺寸安裝面積，支援大電流控制。8-pin HVSON封裝提供低封裝電阻，因為它採用金屬板連結封裝內的FET晶片與針腳。如此再結合FET晶片的低導通電阻，儘管封裝尺寸僅有5 mm×6 mm，最高亦能控制額定電流130 A（ID （DC））的大電流。多個ORing FET并聯連結至各電源供應器以提供大電流時，亦可利用最少的并聯數量以協助縮小設備尺寸。

叁款新的MOSFET包括μPA2766T1A，其導通電阻額定範圍為0.72 mΩ至1.05 mΩ（標準值），可提供更理想的產品選擇，以符合使用者在操作電流或環境情況方面的需求。亦可讓客戶供應最佳產品，有助于提升電源效率并降低空間需求。

瑞薩電子計劃持續強化此產品系列，繼續致力于降低導通電阻并創造更小的封裝以符合持續進化的客戶需求。