導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3813 
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:083399 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開發第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內開始量產。該器件降低了導通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201805 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
MOSFET 的選擇關乎效率，設計人員需要在其傳導損耗和開關損耗之間進行權衡。傳導損耗發生在在 MOSFET 關閉期間，由于電流流過導通電阻而造成；開關損耗則發生在MOSFET 開關期間，因為 MOSFET 沒有即時開關而產生。這些都是由 MOSFET 內半導體結構的電容行為引起的。
2023-11-15 16:12:331207 
瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲（SPST）CMOS模擬開關
2019-03-08 15:06:392742 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361578 
：IFNNY）順應系統層面的發展趨勢，推出業界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率
2023-12-12 18:04:371464 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
。問題4：PWM芯片的供電電壓為5V，去驅動通用驅動電壓的功率MOSFET，有什么問題？問題分析：檢查數據表中不同的VGS的導通電阻，發現對應的導通電阻變大，因此功率MOSFET的損耗將增加，溫度升高，同時系統的效率降低。極端情況下在低溫的時候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常開通。
2016-12-21 11:39:07
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。圖 1—降壓同步開關穩壓器原理圖DC/DC 開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如，同時擁有一個高側 FET和低側
2019-11-30 18:41:39
使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身
2017-01-09 18:00:06
的導通電阻對傳遞函數的影響此前的傳遞函數推導中，并沒有考慮過開關（開關晶體管）導通電阻的影響。但是眾所周知，實際上是肯定存在開關的導通電阻的，而且對實際運行也是有影響的。所以本次將探討“開關的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
轉換，負載開關，電機控制，背光，電池保護，電池充電器，音頻電路和汽車。推薦產品：BSS138DW-7-F；BSS138-7-FDiodes其它相關產品請點擊此處前往特征：低導通電阻低柵極閾值電壓輸入
2019-05-13 11:07:19
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導通電阻的音頻開關已經開發了通過減少音頻爆破音的可能性來加強語音體驗。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時間和允許負電壓信號的能力。
2011-03-02 23:11:29
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
忽略輸入開關的導通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠大于外部電阻Rext，輸入開關導通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計算？另外Vstep為什么這樣計算？
2018-08-06 07:49:37
公司也有生產，但是ROHM在推進獨自開發。此次內置的SJ MOSFET不僅實現了650V的高耐壓，還實現了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非常快。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環境下特性相近的產品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區別：關斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關特性優異，可處理
2018-12-03 14:29:26
與IGBT相比，SiC MOSFET具備更快的開關速度、更高的電流密度以及更低的導通電阻，非常適用于電網轉換、電動汽車、家用電器等高功率應用。但是，在實際應用中，工程師需要考慮SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
新的功率密度和能效標準。 極低的門極電荷，輸出電荷以及極低的導通電阻使得New OptiMOS成為服務器，數據通信和電信產品電壓調節器上的最佳選擇。40V, 60V OptiMOS更為DC/DC變換器
2012-07-13 10:50:22
狀態之間轉換，并且具有更低的導通電阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻（圖 1）。圖 1：SiC MOSFET（右側）與硅
2017-12-18 13:58:36
需要具備非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
MOSFET和開關頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
` 功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅動電路以及驅動電路的參數調整并不是十分關注
2011-09-27 11:25:34
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法。現在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電阻
2023-02-27 10:02:15
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄...
2021-10-28 06:56:14
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
和反向恢復電荷（Qrr）的函數。柵極驅動損耗由MOSFET的柵電荷（Qg）決定。因此,寄生電容和導通電阻（RDS(on)）決定了器件在特定應用中的性能。在現今的低壓MOSFET中最普遍使用的技術
2012-12-06 14:32:55
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
下降0.5%。PFC拓撲中的高效率也是通過通道而不是體二極管升壓來實現的。 工作溫度下的導通電阻與硅相當 一個關鍵的比較參數是導通電阻 RDS（on）。硅 MOSFET 在紙面上看起來比 SiC 更好
2023-02-23 17:11:32
作為開關模式電源的核心器件，MOSFET在對電源的優化中承擔著十分重要的角色。采用最先進的半導體技術對提高工作效率固然必不可少，但封裝技術本身對提高效率也具有驚人的效果。效率和功率密度是現代功率轉換
2018-12-07 10:23:12
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進SGT（屏蔽柵極槽）技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于高效電源管理和高速開關的應用場
2024-10-14 09:40:16
通損耗占MOSFET總損耗的2/3-4/5，使應用受到極大限制。 降低高壓MOSFET導通電阻的原理與方法 1、不同耐壓的MOSFET的導通電阻分布 不同耐壓的MOSFET，其導通電阻中各部分電阻
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI發布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 開關電源中功率MOSFET的驅動技術薈萃
功率MOSFET以其導通電阻低和負載電流大的突出優點，已經成為開關電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專
2010-03-01 11:00:181883 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 英飛凌科技推出采用先進溝槽技術制程的最新單一P通道40V汽車電源MOSFET系列產品。新型40V OptiMOS P2產品為提升能源效率、減少CO2排放及節省成本設立新的基準
2011-09-28 19:35:41898 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 消除模擬開關導通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:15
1 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關產品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關，集合了頂級FETIP與系統級保護功能。
2017-09-19 17:34:597 電源系統中的主開關器件是低電壓功率MOSFET，這些系統需要的功率密度正在不斷增加。為減小系統體積和功率損失，需要大力改進MOSFET的封裝散熱性。通過降低器件導通電阻和寄生電容，可降低功率損失。
2018-04-04 11:02:0213589 
MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 英飛凌革命性OptiMOS產品的P溝道功率MOSFET之一，在導通電阻的開關系統設計中，能經受極高的質量考驗以滿足高性能的需求；加入增強模式，可根據不同應用場景選擇Normal Level
2019-09-24 11:37:513853 
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
2020-06-22 15:54:121262 產品特點
1、優異的開關特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434612 
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念， 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優值系數 （FOM）。
2021-12-03 10:50:381562 導通電阻是二極管的重要參數，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029360 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 OptiMOS 已經成為采用英飛凌獨特技術的中低耐壓 MOSFET 的商標，有多種耐壓、RDS(on)、封裝，適用于汽車和消費類應用。英飛凌在功率半導體領域的市場占有率位居全球第一，特別是在汽車
2022-08-19 15:05:056087 比較SiC開關的數據資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數較低，SiC MOSFET似乎占據了優勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2022-11-14 09:05:171750 由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:214033 )(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 使用 OptiMOS? 6 MOSFET 優化電源設計
2022-12-29 10:02:531669 
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021477 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
采用OptiMOS 7 技術的40V車規MOSFET產品系列，進一步提升比導通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實現更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實現相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:121765 
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:561060 英飛凌推出業內首款采用全新 OptiMOS 7 技術的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項技術經過系統和應用優化，主要應用于服務器和計算應用中的低輸出電壓 DC-DC 轉換。英飛凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:491820 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發燒友網站提供《5.7V、5A、14mΩ 導通電阻汽車負載開關TPS2295x-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:47:540 電子發燒友網站提供《5.5V、3A、19mΩ 導通電阻汽車類負載開關TPS22995H-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-04-01 16:18:150 全球半導體行業的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC，該封裝基于其先進的OptiMOS? MOSFET技術，專為滿足汽車電子產品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
2024-04-15 15:49:331566 
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術不僅顯著提升了功率密度，還采用了通用且堅固的SSO8 5x6mm2 SMD封裝。
2024-05-07 15:08:071440 MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。MOSFET的導通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止狀態到導通狀態的電壓值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552997 近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 Texas Instruments TPS22995導通電阻負載開關支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續電流。
2025-09-02 14:57:49638 
在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可靠性
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統
2025-12-16 11:01:13198 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06188
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