導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3813 
Vishay推出3款新型單極雙擲(SPDT)和雙路的雙極雙擲(DPDT)CMOS低壓模擬開關(guān)--- DG2735A、DG2725和DG2599
2011-06-30 09:02:172522 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動(dòng)機(jī)壓電噴射系統(tǒng)。
2012-08-15 11:25:083399 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403489 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。為了獲得低導(dǎo)通電阻值，就必須增大硅片面積，需要更大晶片面積降低導(dǎo)通電阻，一些大電流應(yīng)用需要更大封裝尺寸，成本隨之增加，Crss電容增加導(dǎo)致開關(guān)損耗增加，系統(tǒng)功率密度很難提高，應(yīng)用受到很大限制。 高
2023-10-07 09:57:368691 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 FDC6324L是一款集成負(fù)載開關(guān) 是使用ON生產(chǎn)的半導(dǎo)體專有的高單元密度DMOS技術(shù)。這種非常高密度的工藝特別適合于將導(dǎo)通電阻降至最低，并提供優(yōu)越的開關(guān)性能 這些設(shè)備特別適用于需要低導(dǎo)通損耗和簡(jiǎn)單
2021-11-27 12:14:08
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導(dǎo)出的傳遞函數(shù)同樣為和，同樣按兩個(gè)步驟來推導(dǎo)。開關(guān)
2018-11-30 11:48:22
我想選擇一塊模擬開關(guān)。用于Pt1000的溫度AD轉(zhuǎn)換，主要是為了節(jié)省恒流源溫度采集的電路。通過查找資料，大部分模擬開關(guān)都有較大的導(dǎo)通電阻，而且隨溫度變換較大。希望找到一款多通道模擬電路開，且隨溫度變化小的模擬開關(guān)。或者，有其他的解決辦法嗎？
2014-03-25 19:03:21
產(chǎn)品描述BCT4717是兩路，雙向單刀雙擲CMOS模擬開關(guān)，工作電壓從1.8V到5.5V。高帶寬（300MHz）， 低導(dǎo)通電阻（4ΩTyp），目標(biāo)應(yīng)用在音頻信號(hào)的切換。BCT4717的特性保證了通道
2020-08-12 14:15:55
DG406DW-E3是一款16通道單端模擬多路復(fù)用器設(shè)計(jì)用于將16個(gè)輸入中的一個(gè)連接到公共端口由4位二進(jìn)制地址確定的輸出。應(yīng)用包括高速數(shù)據(jù)采集、音頻信號(hào)切換和路由、ATE系統(tǒng)和航空電子設(shè)備。高性能
2021-12-18 09:28:22
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
本帖最后由 luna 于 2011-3-3 15:02 編輯
高性能音頻和增強(qiáng)了的噪音抑制性能Fairchild二通道單刀雙擲,低導(dǎo)通電阻的音頻開關(guān)已經(jīng)開發(fā)了通過減少音頻爆破音的可能性來加強(qiáng)語音體驗(yàn)。它們包括了最近的特性,具體地說是擁有終端電阻,提供緩慢開啟時(shí)間和允許負(fù)電壓信號(hào)的能力。
2011-03-02 23:11:29
的電源電壓下，導(dǎo)通電阻降低。參考電氣規(guī)格表和典型性能細(xì)節(jié)曲線。V+和GND為內(nèi)部CMOS開關(guān)供電并設(shè)置他們的模擬電壓限制。這些電源也為內(nèi)部邏輯和電平變換器。電平變換器將輸入邏輯電平以切換V+和GND信號(hào)以
2020-10-15 17:45:12
概述：P15V330是PERICOM半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的一款4通道2選1高性能視頻模擬開關(guān)，它具有低導(dǎo)通電阻（3Ω）、寬帶（200MHz）、低串?dāng)_（10MHz/-58dB）等特點(diǎn)。該芯片采用單一+5V。它為雙列16腳貼片封裝.
2021-05-19 07:13:48
忽略輸入開關(guān)的導(dǎo)通電阻。AD7980的Rin典型值是400Ω，遠(yuǎn)大于外部電阻Rext，輸入開關(guān)導(dǎo)通電阻為何能忽略？如果考慮Rin，又該如何計(jì)算？另外Vstep為什么這樣計(jì)算？
2018-08-06 07:49:37
較低的電源電壓下，導(dǎo)通電阻降低，并且數(shù)字輸入VIL在VS≤±2V時(shí)變?yōu)樨?fù)值。參考“典型性能”曲線了解詳細(xì)信息。V+和V-為內(nèi)部CMOS開關(guān)供電并設(shè)置其模擬電壓限制。這些電源也為內(nèi)部供電邏輯和電平變換器
2020-10-09 16:58:54
產(chǎn)品重要性的同時(shí)，不約而同地表示要將精力集中在高性能模擬產(chǎn)品上。那么，在眾說紛紜“高性能”的情況下，什么產(chǎn)品才是高性能模擬產(chǎn)品？面對(duì)集成度越來越高的半導(dǎo)體行業(yè)，高性能模擬產(chǎn)品是否生存不易？中國(guó)市場(chǎng)對(duì)高性能模擬產(chǎn)品的接受程度如何？
2019-06-20 06:22:00
當(dāng)開關(guān)串聯(lián)的負(fù)載為低阻抗時(shí)損失更大。應(yīng)用中應(yīng)根據(jù)實(shí)際情況選擇導(dǎo)通電阻合適的開關(guān)。特別需要注意，導(dǎo)通電阻的阻值與電源供電電壓有直接關(guān)系，通常電源電壓越大，導(dǎo)通電阻就越小。 圖2 CMOS型模擬開關(guān)
2021-03-15 11:45:39
潛在的電擊危險(xiǎn)。 按照認(rèn)證機(jī)構(gòu)的規(guī)定，例如歐盟的CE認(rèn)證、美國(guó)和加拿大的UL認(rèn)證，電氣產(chǎn)品制造商應(yīng)該使用接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀來驗(yàn)證其性能。若未經(jīng)CE、CSA或UL認(rèn)證標(biāo)識(shí)，產(chǎn)品不允許在相應(yīng)的國(guó)家進(jìn)行
2017-09-30 09:38:49
常用CMOS模擬開關(guān)引腳功能和工作原理CMOS模擬開關(guān)典型應(yīng)用舉例
2021-04-23 06:17:43
4給出了Maxim的新型開關(guān)與早期開關(guān)在5V電源下的性能比較。圖3. 較高電源電壓下導(dǎo)通電阻較低 圖4. +5V電壓下，新型模擬開關(guān)具有較低的導(dǎo)通電阻。為單電源系統(tǒng)選擇模擬開關(guān)時(shí)，盡量選擇專用于單
2011-12-16 10:47:02
帶保護(hù)功能的 Type-C USB 模擬音頻開關(guān) 概述深圳錦宏世紀(jì)科技李工：***QQ:2881671130ET7480 是一款高性能 Type-C USB 模擬切換開關(guān)，支持模擬音頻耳機(jī)
2020-03-16 17:53:24
` （1）不同耐壓的MOS管的導(dǎo)通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測(cè)量MOS管的導(dǎo)通電阻除了在選定開關(guān)時(shí)有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
請(qǐng)問有人知道MOS管作為開關(guān)如何仿真在開啟與中斷狀態(tài)下，不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結(jié)果查看ZM的實(shí)部，但是出來的結(jié)果如下所示：結(jié)果都很小并且打開和關(guān)斷阻抗大小是相反的，請(qǐng)問有人知道這個(gè)是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
現(xiàn)在設(shè)計(jì)一個(gè)電路，需要16選一的模擬開關(guān)，并且導(dǎo)通電阻要幾歐姆，太大會(huì)影響信號(hào)，請(qǐng)問大家有沒有這樣的模擬開關(guān)？
2019-08-22 22:52:32
降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價(jià)是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價(jià)是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點(diǎn)。 以上兩種辦法
2023-02-27 11:52:38
CMOS模擬開關(guān)的選擇與典型應(yīng)用
一、前言：早期的模擬開關(guān)大多工作于±20V 的電源電壓，導(dǎo)通電阻為幾百歐姆，主要用于模擬信號(hào)與數(shù)字控制的接口，近幾
2010-05-24 17:36:17
57 CD4051/4052/4053多路選擇模擬開關(guān)
概述:CD4051 系列模擬開關(guān)是用數(shù)字信號(hào)控制的多路調(diào)制/選擇模擬開關(guān)，具有低導(dǎo)通電阻和很低的關(guān)態(tài)漏電流。通過模擬開關(guān)的
2010-05-24 17:47:15388
高性能的模擬開關(guān)
2009-04-13 10:49:07607 
FET導(dǎo)通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)
2009-12-18 09:26:061007 TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開關(guān)
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準(zhǔn)、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩(wěn)定性和速度上都設(shè)定了新的
2010-01-09 09:44:18802 IR智能電源開關(guān)為24V汽車應(yīng)用提供超低導(dǎo)通電阻
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出 AUIPS7111S 高側(cè)智能電源開關(guān)。該產(chǎn)品具有超低的導(dǎo)
2010-03-19 09:14:551514 CMOS模擬開關(guān),CMOS模擬開關(guān)是什么意思
CMOS（本意是指互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體——一種大規(guī)模應(yīng)用于集成電路芯片制造的原料）是微機(jī)主板上的一塊可
2010-03-22 17:10:592279 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:061076 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(
2010-05-08 16:14:23937 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:262309 1、CMOS集成模擬開關(guān)的基本原理
CMOS模擬開關(guān)具有電源電壓范圍寬（4000系列
2010-12-06 13:06:534311 
飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 MAX4644是一個(gè)單刀(SPDT)開關(guān)，采用單從+1.8 V至+5.5供電五它提供了低4Ω導(dǎo)通電阻(RON)的，以及在整個(gè)1Ω模擬信號(hào)范圍RON平坦度。
2011-02-12 09:46:5811936 
日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:062937 MAX4607/MAX4608/MAX4609雙模擬開關(guān)具有低導(dǎo)通電阻2.5Ω最大。交換機(jī)之間相匹配的導(dǎo)通電阻為0.5Ω最大值，超過指定的信號(hào)范圍內(nèi)是平坦的(0.5Ω最大值)。
2012-11-06 09:18:034041 
東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負(fù)載開關(guān)，器件可在1.5V～5.5V電壓范圍內(nèi)工作，具有低至20m?的導(dǎo)通電阻、低靜態(tài)電流， 導(dǎo)通電壓上升斜率為3ms
2013-05-03 15:50:582190 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個(gè)小尺寸封裝里，導(dǎo)通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節(jié)省空間，并簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。
2014-02-10 15:16:511504 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 本文概述了模擬開關(guān)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用范圍；定義了導(dǎo)通電阻、平坦度和電荷注入等與性能密切相關(guān)的指標(biāo)；并對(duì)ESD保護(hù)、故障保護(hù)和加載-感應(yīng)功能等針對(duì)特定應(yīng)用的特性進(jìn)行了介紹。
2016-05-13 16:40:237 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將多個(gè)Vishay Siliconix模擬開關(guān)產(chǎn)品升級(jí)到了新工藝，大幅提升了器件性能和壽命。這種新工藝能夠替代漸趨過時(shí)的硅技術(shù)
2016-09-02 09:15:073874 MTM非晶硅反熔絲導(dǎo)通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 消除模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻影響電路增益的方法_張慶思
2017-01-19 21:54:151 不同于市場(chǎng)上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負(fù)載開關(guān)產(chǎn)品，Silego推出的三款功能豐富的低導(dǎo)通電阻集成電源開關(guān)，集合了頂級(jí)FETIP與系統(tǒng)級(jí)保護(hù)功能。
2017-09-19 17:34:597 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開關(guān)---DG2788A。該開關(guān)在2.7V下的電阻低至
2018-08-03 11:45:001069 MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 當(dāng)前VLSI 技術(shù)不斷向深亞微米及納米級(jí)發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個(gè)十分重要的原件，由于其較低的導(dǎo)通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導(dǎo)通電阻不僅可以降低信號(hào)損耗而且可以提高開關(guān)速度。
2018-11-21 08:01:005385 Vishay DG 增強(qiáng)模擬開關(guān) IC 具有 16V 擴(kuò)展工作電壓范圍和增強(qiáng)的漏電流限制。 DG 增強(qiáng) IC 還具有更低的開關(guān)導(dǎo)通電阻以及整體降低的功耗。 該 IC 提供增強(qiáng)的堅(jiān)固性，同時(shí)具有更高
2019-08-23 09:31:323092 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 NLAS5223是安森美公司推出的器件，是一種先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān)。在一個(gè)小尺寸10引腳WQFN封裝中，有兩個(gè)獨(dú)立的單刀雙擲模擬開關(guān)。該模擬開關(guān)主要特點(diǎn)：工作電壓低，VCC=1.65～3.6V
2020-08-14 14:57:213601 
ADG1419：2.1Ω導(dǎo)通電阻，±15 V/+12 V/±5 ViCMOS SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-23 09:05:152 ADG1404：1.5CMOS導(dǎo)通電阻，±15 V/12 V/±5 V，4：1，i
2021-04-27 19:54:292 ADG1411/ADG1412/ADG1413：1.5?導(dǎo)通電阻，±15 V/+12 V/±5 V，iCMOS，四路單擲開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-04-29 11:02:404 ADG1436：1.5CMOS導(dǎo)通電阻，±15 V/12 V/±5 V，ICMOS雙Ω開關(guān)數(shù)據(jù)表
2021-05-19 17:39:271 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù)，它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法以及專用儀器測(cè)量法。
2022-01-29 15:49:0029360 在功率半導(dǎo)體器件中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手，但隨著MOS的耐壓提高，導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 LN3052 是一款雙路單刀雙擲(SPDT)CMOS 模擬開關(guān)，適用于語音切換，移動(dòng)設(shè)備等。LN3052 可在 1.8V-5.5V的電源下工作，工作帶寬為 300MHz，最低導(dǎo)通電阻為4.5Ω。
2022-06-16 11:55:227029 
LN3657 是一款單通道單刀雙擲(SPDT)CMOS 模擬開關(guān)，適用于語音切換，移動(dòng)設(shè)備等。LN3657 可在 1.8V-5.5V的電源下工作，工作帶寬為 300MHz，最低導(dǎo)通電阻為 4.5Ω。
2022-06-23 09:25:153894 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例”的其1和其2。本文將探討“開關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響”。
2023-02-24 09:51:161607 
原廠： 潤(rùn)石科技 型號(hào)： RS2103 ? 封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6 品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開關(guān) 應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號(hào)
2023-04-07 17:59:321374 新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06903 
本文回顧了標(biāo)準(zhǔn)CMOS模擬開關(guān)的基本結(jié)構(gòu)和通用模擬開關(guān)的一些基本參數(shù)，比如導(dǎo)通電阻(RON)、RON平坦度、泄漏、電荷注入和關(guān)斷隔離。文章討論了新型模擬開關(guān)的性能改進(jìn)：更好的開關(guān)特性、更低的工作電壓
2023-06-12 10:20:156273 
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:403518 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TS12A451x低導(dǎo)通狀態(tài)電阻4通道SPST CMOS模擬開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-28 14:01:370 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:111544 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 10:51:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有可控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22912 數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-15 13:46:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有穩(wěn)壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導(dǎo)通電阻快速導(dǎo)通負(fù)載開關(guān)TPS22999數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-26 10:38:480 近日，銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，為市場(chǎng)帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 NX899是一款先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān)，它采用硅柵CMOS技術(shù)制造，在保持CMOS低功耗的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了非常低的傳播延遲和低導(dǎo)通電阻，模擬電壓和數(shù)字電壓可能在整個(gè)供電范圍內(nèi)(從VCC到GND)有所不同。
在性能上，NX899能國(guó)產(chǎn)替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121124 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時(shí)間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49638 
圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過壓保護(hù)開關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
2025-10-14 17:34:482209 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動(dòng)、電流監(jiān)測(cè)和輸出放電功能的低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤和手持設(shè)備。
2025-11-05 17:24:162153 
在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
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