導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
3811 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:083396 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:301180 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業內首款可邦定的薄膜片式電阻---CS44系列
2012-10-18 16:38:352892 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 日前，Vishay Intertechnology為滿足爆破的苛刻要求，推出新型大尺寸電爆破點火片式 （MEPIC） 電阻，通過焦耳效應或閃光點火，使點火時間縮短到250μs以下。器件基于汽車行業
2013-02-25 13:50:511010 日前，Vishay Intertechnology， Inc推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真
2013-03-05 15:52:331389 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 Vishay 宣布，推出了全新的直接水冷繞線電阻系列--- DCRF，可提供9000W的超高功率消耗，并且幾乎沒有外部輻射。Vishay MCB DCRF 系列器件提供從38 mm×178 mm至38 mm×410 mm的六種緊湊尺寸，相較標準繞線電阻該系列是專門為節省空間和提高可靠性而設計的。
2018-06-20 14:41:588868 日前，Vishay推出采用標準電阻安裝尺寸的全新高功率、大電流云母柵格電阻器系列---GREM。
2018-08-07 15:19:428633 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 動態導通電阻對于 GaN 功率晶體管的可靠和穩定運行至關重要。然而，許多工程師都在努力評估動態 RDS(ON)，因為很難以足夠的分辨率對其進行一致測量。在本文中，我們將討論使用帶鉗位電路的雙脈沖測試系統測量動態 RDS(ON) 的技術
2021-10-27 17:43:038200 
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?。與前一代產品和在相同占位內具有近似導通電阻的競爭模擬開關相比，這些器件在關閉
2019-03-08 15:06:392742 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445848 
汽車級電阻，節省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
電氣技師和電子制造工程師用接地導通電阻測試儀驗證電器和消費產品（由交流電壓供電）上的裸露金屬是否適當地連接到了其機殼底座。當電器內部發生故障電流時，如果電器沒有適當地連接到已接地的機殼底座，就存在
2017-09-30 09:38:49
上一篇和上上篇介紹了“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例”的其1和其2。本文將探討“開關的導通電阻對傳遞函數的影響”。本次也采用同樣的方法展開探討。推導出的傳遞函數同樣為和，同樣按兩個步驟來推導。開關
2018-11-30 11:48:22
` ?。?）不同耐壓的MOS管的導通電阻分布。不同耐壓的MOS管，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOS管，其外延層電阻僅為總導通電阻的29%，耐壓600V的MOS管的外延層電阻
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
請問有人知道MOS管作為開關如何仿真在開啟與中斷狀態下，不同頻率點的導通電阻嗎？我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態下MOS管的導通電阻，用了下面的testbench 使用sp仿真，結果查看ZM的實部，但是出來的結果如下所示：結果都很小并且打開和關斷阻抗大小是相反的，請問有人知道這個是出了什么問題嗎
2021-06-25 07:59:24
使用COOLMOS技術的MOSFET。 IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級MOSFET，額定電流分別為35A，59A，導通電阻分別為 0.082Ω，0.045Ω，150
2023-02-27 11:52:38
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:59
64
FET導通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
Vishay Siliconix推出業界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI發布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產品低
2009-12-21 08:45:27623 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281185 Vishay推出Bulk Metal箔電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基準、密封充油的Bulk Metal?箔電阻 --- H和HZ系列，在精度、穩定性和速度上都設定了新的
2010-01-09 09:44:18802 IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620
2010-03-12 10:28:391734 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay推出業內最高容值液鉭電容器DSCC10004
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，
2010-04-09 11:41:361239 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 Vishay推出Power Metal Strip分流電阻的流媒體視頻
Vishay推出為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(
2010-05-08 16:14:23937 日前，長期為軍工和航天客戶提供高可靠性分立和IC器件的供應商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工廠已經通過了DSCC的
2010-07-07 18:08:291027 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021430 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-20 11:55:18683 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業內首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100
2012-04-12 14:01:473017 日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。
2012-05-04 11:53:101749 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 為了克服傳統功率MOS 導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾,提出了一種新的理想器件結構,稱為超級結器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半導體薄層交替排列組成。在截止態時,由于p
2012-06-20 16:57:3795 Mouser Electronics開始供應Vishay Siliconix第一款採用業界最小的晶片級封裝，并將導通電阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421517 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:301152 Vishay宣布，推出新系列軸向水泥繞線電阻---Z300-C系列，是業內首個具有12kV定制高壓浪涌承受能力的器件。
2013-01-28 18:31:331652 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，將其MCW 0406 AT Precision系列寬端子薄膜片式電阻的歐姆值擴展至1?，是業內采用小尺寸0406封裝的器件中阻值最低的。
2013-02-19 11:23:231599 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結技術，導通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列高精度薄膜MELF電阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB
2013-12-03 16:45:391703 Siliconix Si8851EDB是為在移動計算設備中提高效率和節省空間而設計的，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下分別具有8.0mΩ和11.0mΩ的極低導通電阻。
2013-12-05 10:30:051119 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高邊和低邊MOSFET組合在一個小尺寸封裝里，導通電阻比前一代同樣封裝尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可節省空間，并簡化高效同步降壓轉換器的設計。
2014-02-10 15:16:511504 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441122 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263434 MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V
2015-06-19 17:07:561374 轉換器中節省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171295 德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。
2016-07-18 17:12:361795 MTM非晶硅反熔絲導通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:120 高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值系數 （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:112189 不同于市場上其他芯片尺寸封裝（WLCSP）而成的負載開關產品，Silego推出的三款功能豐富的低導通電阻集成電源開關，集合了頂級FETIP與系統級保護功能。
2017-09-19 17:34:597 接地導通電阻測試儀檢定規程
2017-10-09 09:15:180 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
2020-06-22 15:54:121262 MOSFET的低導通電阻與市場上第二好的產品相比，降低了43％，可降低電壓降并將傳導功率損耗降至最低，從而實現更高的功率密度。
2020-08-21 15:53:52736 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術。
2021-04-21 17:50:211914 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導通電阻低至 0.95 mΩ，優異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 Vishay 宣布，推出增強型Vishay Draloric RCC1206 e3厚膜片式電阻，外形尺寸為1206，額定功率0.5 W。
2021-09-23 10:05:441720 
導通電阻是二極管的重要參數，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 Siliconix n溝道 SiHK045N60EF導通電阻比前代器件降低29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中600 V
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業和計算應用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中 600V MOSFET 的重要優值系數（FOM）創業界新低。
2022-10-14 16:16:121359 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術實現優異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
?！?b class="flag-6" style="color: red">導通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項主要參數，但對于普通的MOSFET而言，由于導通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:021476 
近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 全球知名半導體解決方案供應商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監測和輸出放電功能的低導通電阻負載開關。該器件可應用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設備、固態硬盤和手持設備。
2025-11-05 17:24:162153 
在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
在電源管理系統和高效電池管理系統（BMS）設計中，MOSFET作為開關元件，扮演著重要角色。由于其導通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產生，因此低導通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統
2025-12-16 11:01:13198 
電子發燒友App
工商網監
評論