日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)開發(fā)出耐壓40V的功率MOSFET ，最適合用于以工業(yè)設(shè)備和車載領(lǐng)域?yàn)橹行牡摹⑤斎腚妷?4V的DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2012-08-08 09:18:23
1517 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141126 
● 6V至40V寬工作電壓范圍
● 內(nèi)置功率MOSFET
● 140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)
● 過溫保護(hù)
● 逐周期過流保護(hù)
● ＞90%的效率
● 低功耗
● 輸出電壓可調(diào)
● 采用SOP8封裝
2025-06-20 17:26:07
意法半導(dǎo)體最先進(jìn)的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動(dòng)系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機(jī)械、環(huán)境和電氣要求。 這些機(jī)電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
，符合工業(yè)級(jí)設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)
特點(diǎn)
● 最大2.5A輸出電流
● 6V至40V寬工作電壓范圍
● 內(nèi)置功率MOSFET
● 140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)
● 過溫保護(hù)
● 逐周期過流保護(hù)
● ＞90%的效率
● 低功耗
● 輸出電壓可調(diào)
● 采用SOP8封裝
2025-04-30 16:27:51
功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。
2021-03-02 08:40:51
。TB9083FTG這款新產(chǎn)品能夠控制和驅(qū)動(dòng)用于驅(qū)動(dòng)3相直流無刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。它非常適合用于滿足ISO 26262功能安全性標(biāo)準(zhǔn)第二版 ^[2]^ 的要求，并支持ASIL-D ^[3]^ 用于高安
2023-02-28 14:11:51
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2015-12-18 11:36:06
兼容到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2015-12-10 14:10:17
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-01-28 16:44:20
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-02 10:39:50
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-01-05 16:04:10
（BMS）輔助電源。
總結(jié)替換可行性：
適用場景：輸入電壓≤40V、輸出電流≤1.5A、低噪聲需求。
概述
SL3062是一款內(nèi)部集成功率MOSFET的降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，工作在寬輸入電壓范圍具有優(yōu)良
2025-05-15 17:49:21
。OC5820 采用 ESOP8 封裝，且外圍元器件少。特點(diǎn)? 2.5A 的峰值輸出電流? 40V/3A 的內(nèi)部功率 MOSFET? 效率高達(dá) 93%? 頻率可調(diào)? 熱關(guān)斷? 逐周期過流保護(hù)? 寬輸入電壓范圍：6
2022-01-13 09:35:22
景：多領(lǐng)域適配的供電專家
車載音響系統(tǒng)：40V 耐壓設(shè)計(jì)可直接接入汽車 12V/24V 電源，2.5A 大電流輸出為車載功放、低音炮等設(shè)備提供強(qiáng)勁動(dòng)力，同步整流技術(shù)有效抑制電源噪聲對(duì)音頻信號(hào)的干擾。
工業(yè)
2025-05-28 17:16:59
支持最大2.5A的輸出電流，可以滿足大部分電源應(yīng)用的需求。
該芯片的最大特點(diǎn)是其降壓能力，可以將40V的輸入電壓降至12V或5V，具有非常廣泛的應(yīng)用范圍。由于其精度高、穩(wěn)定性好、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-12 16:11:08
機(jī)制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護(hù)等。SL3061外圍電路簡單，封裝采用SOP8。特點(diǎn)最大2.5A輸出電流6V至40V寬工作電壓范圍內(nèi)置功率MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)過溫保護(hù)逐周期
2022-06-10 15:16:08
TO-252 N溝道 MOS管30V 85A TO-252 N溝道 MOS管 【40V MOS N溝道】40V 10A SOP8 N溝道 MOS管【60V MOS N溝道】60V 3A SOT23 N
2020-11-02 16:02:10
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-04-29 09:56:58
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-05-20 09:29:59
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-06-08 10:23:40
導(dǎo)讀：近日，德州儀器 （TI） 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET,其支持 40V 至 100V 輸入電壓，進(jìn)一步壯大了 TI 普及型 NexFET 產(chǎn)品
2018-11-29 17:13:53
保護(hù)機(jī)制包括逐周期電流峰值限流、過溫保護(hù)等。SL3061外圍電路簡單，封裝采用SOP8。產(chǎn)品特點(diǎn)最大2.5A輸出電流6V至40V寬工作電壓范圍內(nèi)置功率MOSFET140KHZ-500KHZ頻率可調(diào)過溫
2022-05-20 14:12:46
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-18 13:32:54
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-24 15:29:36
到 40V 以上； ★內(nèi)部集成功率 MOSFET，外圍器件少，系統(tǒng)成本低； ★內(nèi)置輸入過壓保護(hù)、過溫保護(hù)、過流保護(hù)、短路保護(hù)全套可靠性保護(hù)電路，可靠性高； ★IC 內(nèi)部集成 CC/CV 環(huán)路，CC
2016-02-29 15:05:33
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-03 09:56:38
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-09 10:04:23
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-22 09:38:07
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-03-31 14:00:21
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-04-07 13:57:39
針對(duì)車載充電的全系列全集成方案芯片，內(nèi)部集成過熱保護(hù)、過流保護(hù)、輸入過壓保護(hù)、短路保護(hù)等全套可靠性保護(hù)電路，系統(tǒng)最大輸出電流達(dá)到 4.2A ，輸入電壓最高支持到 45V ，轉(zhuǎn)換效率高，外圍元器件少
2016-04-27 15:28:07
，高輸出功率下?lián)p耗的降低，會(huì)導(dǎo)致低負(fù)載范圍內(nèi)損耗的升高。 英飛凌通過推出阻斷電壓為40V和60V的新型MOSFET，為在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)大幅降低各種損耗創(chuàng)造了條件。 通過對(duì)測量曲線進(jìn)行直接比對(duì)，結(jié)果顯示
2018-12-06 09:46:29
也在迅速擴(kuò)大。一、PPEC 車載逆變器PPEC車載逆變器是森木磊石推出的一款功率為10KW的純正弦波車載逆變器。產(chǎn)品基于獨(dú)家PPEC系列控制芯片開發(fā)，采用SiC器件和高頻軟開關(guān)轉(zhuǎn)換技術(shù)，滿載工作效率
2024-09-27 18:13:23
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 東芝于日前宣布，開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為＋40V的n通道產(chǎn)品，是該公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成員。除車載電子設(shè)備外，還可用于工業(yè)電子設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品等的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)穩(wěn)壓器。
2013-01-23 09:25:13961 東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動(dòng)器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362106 新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance（WF）封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)，安裝在電路板上時(shí)能夠進(jìn)行自動(dòng)目視檢查，從而有助于提高可靠性。
2019-12-26 09:26:463654 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265833 NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
2022-07-13 11:01:232636 
了適用于頭燈控制開關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R，該器件通過東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計(jì)把設(shè)備功耗深度壓縮。
2022-08-26 11:01:071847 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用新型L-TOGLTM（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB
2023-02-04 18:31:453725 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D30-40E
2023-02-20 19:14:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB14XN
2023-02-20 19:15:240 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV60ENEA
2023-02-20 19:52:300 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN20ENA
2023-02-20 19:55:270 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D120-40E
2023-02-20 19:58:171 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV130ENEA
2023-02-20 20:02:130 SOT7 封裝的 N 溝道 40 V、2.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R1-40PL
2023-02-22 18:45:360 采用 SOT78 封裝的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R9-40PL
2023-02-23 18:38:590 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN1R5-40PS
2023-02-23 18:39:390 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK9D23-40E
2023-02-23 19:05:410 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D23-40E
2023-02-23 19:05:580 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK7D25-40E
2023-02-23 19:06:150 40 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV65ENEA
2023-03-03 19:33:120 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-03-13 19:19:530 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車
2023-07-04 20:37:240 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:211439 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021363 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KTT數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-27 13:55:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET CSD18510KCS數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-03 15:08:221 東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 對(duì)旗下的40V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品線進(jìn)行了重要拓展，推出了三款采用先進(jìn)SOP Advance(WF)封裝的新品——XPHR9904PS、XPH2R404PS與XPH3R304PS，旨在通過技術(shù)創(chuàng)新，為汽車行業(yè)帶來前所未有的節(jié)能效率與駕駛樂趣的雙重提升。
2024-09-03 15:25:371060 近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì)，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點(diǎn)。新型
2025-01-13 11:41:38958 
CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），適用于次級(jí)側(cè)同步整流和電機(jī)控
2025-04-15 16:23:11775 
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率
2025-04-16 10:05:07664 
產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍
2025-04-16 10:20:33786 
mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端
2025-04-16 10:54:00758 
合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術(shù)，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，以低導(dǎo)通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應(yīng)用，如儲(chǔ)能電池包BMS和車載OBC應(yīng)用。
2025-08-12 16:54:001610 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出一款采用小型SO12L-T封裝的車載光繼電器[1]“TLX9161T”，該產(chǎn)品輸出耐壓可達(dá)1500V（最小值），可滿足高壓車載電池應(yīng)用所需。新產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2025-08-29 18:08:331236 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器
2025-11-05 15:28:39205 
在新能源、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域的快速發(fā)展中，低壓大電流場景對(duì)功率器件的承載能力、散熱性能和可靠性提出了越來越高的要求。ZK40N190G作為一款采用Trench溝槽工藝的N溝道MOSFET，以
2025-11-07 17:27:47657 
仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-17 11:27:39243 仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率
2025-11-19 15:15:00184 仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-11-25 15:14:47191 仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域
2025-11-25 15:23:16209 威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一
2025-11-26 14:55:52232 威兆半導(dǎo)體推出的VS4401ATH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借1.4mΩ極致低導(dǎo)通電阻與400A大電流承載能力，適用于低壓大電流
2025-12-01 11:10:07190 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適配低壓超大電流DC/DC
2025-12-03 09:48:43296 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4401AKH是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TOLL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-05 11:41:32251 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息
2025-12-09 10:26:37255 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4603DM6是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263-RL封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-11 11:52:34197 威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AP是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-15 10:49:09206 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-16 11:40:15161 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AD是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-17 18:24:11160 威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPMT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型
2025-12-17 18:20:18207 
威兆半導(dǎo)體推出的VS40200ATD是一款面向40V低壓超大電流場景的雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-263封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域
2025-12-17 18:13:5497 ? 7優(yōu)化40V功率MOSFET.pdf 一、產(chǎn)品概述 英飛凌的OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET系列，采用了最新的電機(jī)驅(qū)動(dòng)優(yōu)化技術(shù)。該系列產(chǎn)品主要面
2025-12-18 14:30:06188 威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:18:11199 威兆半導(dǎo)體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側(cè)開關(guān)、負(fù)載控制等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道增強(qiáng)型功率
2025-12-23 11:39:03237 威兆半導(dǎo)體推出的VS4604AP是一款面向40V低壓超大功率場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流電源管理、DC/DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-12-31 17:14:451196 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4618AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用PDFN3333封裝，適配低壓小型高功率密度電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道
2025-12-31 17:20:351311 威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AS是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用小型封裝（圖中未明確具體型號(hào)，推測為SOP類小封裝），適配低壓小型電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-31 17:30:401620
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