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電子發燒友網>新品快訊>IR推出低導通電阻的車用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

IR推出低導通電阻的車用功率MOSFET AUIRFR4292和AUIRFS6535

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2025-11-07 10:54:01164

選型手冊:MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。一、產品基本信息器件類型:N溝道增強型功率MOSFET核心參數:漏源極耐壓(\(V_{DSS}\)):650V,適配高壓高頻供電系統;通電阻(\(R_{DS(o
2025-11-07 10:40:08221

圣邦微電子推出通電阻負載開關SGM25642

圣邦微電子推出 SGM25642,一款 5.5V,15A 峰值電流能力,具備可編程軟啟動、電流監測和輸出放電功能的通電阻負載開關。該器件可應用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設備、固態硬盤和手持設備。
2025-11-05 17:24:162153

選型手冊:MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝,適用于高功率系統逆變器
2025-11-05 15:28:39205

選型手冊:MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場景的P溝道增強型功率MOSFET,憑借超低通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝,廣泛適用于DC/DC轉換器等高
2025-11-05 12:01:34245

選型手冊:MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規性,廣泛適用于電子鎮流器、電子變壓器、開關模式電源等領域
2025-11-04 15:59:03238

?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術解析與應用指南

通電阻和開關損耗,同時優化體漏極二極管特性。該MOSFET節能,確保電源轉換和電機控制電路中的噪聲
2025-10-29 15:48:51507

STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET技術解析與應用指南

意法半導體STL325N4LF8AG N溝道功率MOSFET采用STripFET F8技術,具有增強型溝槽柵極結構。 STL325N4LF8AG可確保非常通電阻。該器件還降低內部電容和柵極電荷,實現更快、更高效的開關。
2025-10-29 15:34:56474

?STP80N1K1K6:基于MDmesh K6技術的超高效功率MOSFET解析

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術,利用了20年的超級結技術經驗。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應用。
2025-10-23 15:08:58415

圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐壓、通電阻、輸入電容、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應用于 VBUS 過壓保護開關、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關及 DC/DC 轉換器。
2025-10-14 17:34:482209

揚杰科技推出用于PD電源的N100V MOSFET產品

N100V MOSFET產品采用特殊優化的SGT技術,具有較低的通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低通和開關損耗,同時提升了MOSFET抗雪崩沖擊能力。
2025-09-15 09:57:56624

TPS22995通電阻負載開關技術解析與應用指南

Texas Instruments TPS22995通電阻負載開關支持可配置上升時間,以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負載開關包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內運行的N溝道MOSFET,并且支持3.8A的最大連續電流。
2025-09-02 14:57:49637

一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有通電阻、反向阻斷特性好、熱導率高、開關速度快等優勢,在高功率、高頻率應用領域中占有重要地位。然而,SiC MOSFET面臨的一個關鍵挑戰是降低特征通電阻(RON,SP)與提升短路耐受時間(tSC)之間的權衡。
2025-08-04 16:31:123053

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293

MDDG03R01G通MOS 跨越新領域,提升同步整流、DC-DC轉換效率

= 50A 的條件下,其最大通電阻 RDS (on) 僅為 1.0mΩ。如此通電阻,能夠有效降低器件在工作過程中的功率損耗,提高系統的整體
2025-07-28 15:20:11466

永源微APJ14N65D-650V N-Channel增強模式MOSFET

描述: APJ14N65D是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術 通電阻柵極電荷性能 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效果 一般特性
2025-07-15 16:22:02

中低壓MOS管MDD80N03D數據手冊

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 通電阻的高密度單元結構?● 無鹵素環保工藝
2025-07-09 16:20:220

中低壓MOS管MDD50N03D數據手冊

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術?● 卓越的散熱封裝設計?● 高密度單元結構實現通電阻?● 無鹵素環保工藝
2025-07-09 16:04:330

中低壓MOS管BSS84數據手冊

● 溝槽功率低壓MOSFET技術● 通電阻?● 柵極電荷
2025-07-09 15:02:230

永源微APJ14N65FIPIT(AP65R650)650VN-Channel增強模式MOSFET

描述: APJ14N65F/P/T是CoolFET II MOSFET系列 也就是利用電荷平衡技術,通電阻柵極電荷性能。 APJ14N65F/P/T適用于需要更高的功率密度和突出的效率 一般
2025-07-09 13:35:13

揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產品

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品,產品采用特殊優化的SGT技術,具有較低的通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低通和開關損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:531352

CoolSiC? MOSFET G2通特性解析

問題。今天的文章將會主要聚集在G2的通特性上。在MOSFET設計選型過程中,工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51710

辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數據中心、工業自動化及新能源領域,MOSFET通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結合屏蔽柵技術,突破傳統性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低通電阻與300A持續電流能力,在高功率應用領域持續輸出。
2025-06-11 09:37:31754

MOSFET通電阻參數解讀

通電阻(RDSON)指的是在規定的測試條件下,使MOSFET處于完全通狀態時(工作在線性區),漏極(D)與源極(S)之間的直流電阻,反映了MOSFET通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343808

MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET

在服務器電源、工業驅動及新能源領域,MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ通電阻與屏蔽柵優化技術,為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

TPS22995 具有可調上升時間的 5.5V 3.5A 20mΩ 通電阻負載開關數據手冊

TPS22995是一款單通道負載開關,集成了N-channel MOSFET,具有通電阻(18 mΩ)和可配置的上升時間,用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38663

新潔能Gen.4超結MOSFET 800V和900V產品介紹

超結MOS采用垂直結構設計,在漂移區內交替排列垂直的P型柱區和N型柱區,形成“超級結”單元,通過電荷補償技術突破傳統功率半導體“硅極限”的高壓器件,其核心設計通過優化電場分布實現通電阻與高擊穿
2025-05-06 15:05:381499

CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數據手冊

3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 超低柵極電荷(Q_g 和 Q_gd) ?:有助于減少開關損耗。 ? 通電阻(R_DS(on)) ?:在V_GS = 10V時,通電阻為8.1 mΩ,有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?:結到殼熱阻
2025-04-16 10:35:32787

CSD18510KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET,單 TO-220,1.7mOhm數據手冊

電荷 ?:Qg(總柵極電荷)在VGS=10V時為118nC,有助于減少開關損耗。 ? 通電阻 ?:RDS(on)(漏源通電阻)在VGS=10V時為1.4mΩ,有助于降低傳導損耗。 ? 低熱阻 ?:結到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57763

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 通電阻(R_DS(on)) ?:在V_GS = 10V時,通電阻僅為0.79 mΩ,有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?:結到殼熱阻(R_θJC)僅為0.8°C/W,有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
2025-04-16 10:05:07663

CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET,設計用于最小化功率轉換應用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝,具有柵極電荷(Qg)和通電阻(RDS(ON)),適用于次級側同步整流和電機控
2025-04-15 16:23:11772

MOSFET開關損耗計算

損耗對溫度關系圖 圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區示意圖,其安全區主要由四個條件所決定:通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓 VBR
2025-03-24 15:03:44

ROHM推出超低通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業級高性能服務器和AI服務器電源,開發出實現了業界超低通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206

一文帶你讀懂MOSFET開關損耗計算!!(免積分)

最大功率損耗對溫度關系圖 圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區示意圖,其安全區主要由四個條件所決定:通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓
2025-03-06 15:59:14

通電阻驟降21%!Wolfspeed第4代SiC技術平臺解析

,Wolfspeed第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰而設計,并為 Wolfspeed 的各類產品(包括功率模塊、分立元件和裸芯片產品)制定了長遠的發展規劃路線圖。 ? 通電阻大幅下降,開關損耗降低,安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術主要的提升在于三個部分,首
2025-02-13 00:21:001523

SGT MOSFET的優勢解析

SGT MOSFET,即屏蔽柵溝槽MOSFET,是一種先進的功率半導體器件。這種技術改變了MOSFET內部電場的形態,將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場,可以進一步減小EPI層的厚度,降低通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545890

廣東佳訊邀您一起探究:SiC MOSFET 替代 IGBT ,這是必然走向嗎?

碳化硅MOSFET以其高開關速度、高溫工作能力和通電阻等優勢,在電動汽車、太陽能逆變器等領域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優勢,但碳化硅MOSFET有望成為下一代主流功率器件。
2025-01-15 17:40:551101

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術有效降低了MOSFET通電阻(Rdson)高達30%,從而顯著減少了功率損耗,為
2025-01-13 11:41:38957

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