深入探討一下國際整流器公司（International Rectifier）推出的IR21592和IR21593這兩款調光鎮流器控制IC。 文件下載： IR21592PBF.pdf 一、產品概述
2025-12-30 17:25:19
422 （International IOR Rectifier）的IR2166系列芯片，看看它如何在PFC和鎮流器控制領域發揮獨特優勢。 文件下載： IR2166PBF.pdf 一、芯片概述 IR2166是一款全面集成且具備
2025-12-24 17:25:09474 在工業自動化、新能源發電、電機驅動、開關電源等核心領域，平面MOSFET憑借其高頻特性、低導通損耗及高可靠性，成為功率轉換電路的核心器件。工業級應用對電路效率、穩定性及抗干擾能力的嚴苛要求，推動設計重點聚焦于低Rds(on)器件精準匹配、高效散熱優化及EMI（電磁干擾）抑制三大核心維度。
2025-12-24 10:12:08113 
PLN 系列平面變壓器：特性、規格與應用解析 在電子工程領域，變壓器是眾多電路中不可或缺的關鍵組件。今天我們要深入探討的是 Bourns 公司的 PLN 系列平面變壓器，它在諸多應用場景中展現出
2025-12-23 18:30:021035 25W平面DC - DC變壓器：PLR系列的卓越之選 在電子設備的設計中，電源轉換是一個核心問題，而變壓器作為電源轉換的關鍵元件，其性能直接影響著整個系統的穩定性和效率。今天，我們就來深入了解一下
2025-12-23 14:25:02158 PLN0xx - ER20 系列平面變壓器：技術剖析與應用指南 在電子工程領域，變壓器是不可或缺的重要元件，而今天我們要深入探討的是 Bourns 公司的 PLN0xx - ER20 系列平面變壓器
2025-12-23 13:55:13153 轉換效率也越高。從早期的平面結構到如今的超結和屏蔽柵結構，功率MOSFET的幾次結構迭代，本質上都是一場圍繞“提升開關頻率”的優化革命。
2025-12-19 09:26:481436 
加快等。今天就結合我們25年的實操經驗，分享一些具體的方法，幫助大家做好這一步，確保裝配直線導軌時安裝面平面度符合公差要求。 首先，我們要明確HIWIN直線導軌對安裝面平面度的要求。不同系列的導軌，平面度公差不同：比如HG系列
2025-12-18 16:47:31161 
探索英飛凌OptiMOS? 7 40V N溝道MOSFET：電機驅動的新突破 在電子工程師的日常工作中，為電機驅動系統挑選合適的MOSFET至關重要。英飛凌最新推出的OptiMOS? 7 40V N
2025-12-18 14:30:06185 ：LFUS）是一家多元化的工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A
2025-12-12 11:40:40376 
Amphenol ICC MRD系列堅固圓形鎖定連接器：工業應用的理想之選 在電子工程師的日常設計工作中，選擇合適的連接器至關重要。今天，我們就來詳細了解一下Amphenol ICC的MRD系列堅固
2025-12-12 11:35:03338 RECOM 推出的 RACPRO1-RD40 是一款高性價比的新型 DIN 導軌冗余模塊，該模塊集成了一對 MOSFET 及其控制電路，構造成高效門控二極管結構。這使得 RECOM 的 DIN 導軌
2025-12-03 18:12:301161 在電力電子設計領域，IGBT和MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其驅動電路的性能直接影響著整個系統的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅動器。
2025-12-01 14:29:16466 
Wolfspeed 宣布推出最新的車規級 1200 V E4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發， 為汽車車載充電器、DC/DC 轉換器、電子壓縮機和加熱與冷卻系統等應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:14:51658 Wolfspeed 宣布推出最新的工業級 1200 V C4MS 系列分立式碳化硅 MOSFET，基于業界領先的第四代 (Gen 4) 技術平臺開發，為硬開關應用提供了優異的性能。
2025-11-30 16:13:27564 說明？
回復：平面工藝和溝槽Trench工藝功率MOSFET管經過放大區時都有負溫度系數特性，在完全導通的穩態條件下，RDS(on)才是正溫度系數特性，可以實現穩態的電流均流。但是，在在動態開通
2025-11-19 06:35:56
Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器是一套通孔和高壓解決方案。這些電阻器具有3000V電壓和超低電壓系數，在惡劣條件下具有出色的穩定性。Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器非常適合用于需要在使用高電壓的環境下運行的應用。
2025-11-14 16:07:33370 
Vishay / Techno FHV徑向厚膜平面電阻器是一套通孔、徑向引線和高壓解決方案。這些電阻器采用無感設計，具有匹配組和比例分頻器。Vishay/Techno FHV徑向厚膜平面電阻器具有 ±200ppm/°C標準的低TCR和 ±10%、 ±5%、 ±2%或 ±1%的標準容差。
2025-11-14 15:52:07395 
為滿足嚴苛應用需求，全新堅固型電阻器提供廣泛的阻值范圍，并提供多款封裝尺寸及引腳配置選項 2025年1 1 月 5 日 - Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，推出
2025-11-05 15:39:277053 
工業自動化制造商現提供熱門氣動產品的CAD和 PDF即時在線訪問服務
氣動執行器創新領域的領導者Motion Controls公司為其廣受歡迎的D系列氣缸推出了新的在線配置器，使工程師能夠立即訪問
2025-10-29 12:51:14
Nexperia（安世半導體）近日宣布，為旗下不斷擴充的應用專用MOSFET (ASFET)產品組合再添新產品。ASFET系列的產品特性經優化調校，可滿足特定終端應用的嚴苛需求。其中，80 V
2025-10-10 11:22:27700 基礎，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術的一次重要演進，其目標不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導體推出的第三代
2025-10-08 13:12:22499 
Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝，具備堅固耐用、高功率的厚膜電阻特性，能在搭配散熱器時提供高達 100 W 的輸出功率，并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11678 基本半導體推出62mm封裝的1200V工業級碳化硅MOSFET半橋模塊，產品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術，在保持傳統62mm封裝尺寸優勢的基礎上，通過創新的模塊設計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發揮。
2025-09-15 16:53:03976 
平面以太網配線架(直口配線架)因其結構簡單、成本低廉和部署靈活等特點，在特定場景下具有顯著優勢。以下是其主要優點及詳細分析： 1. 成本效益顯著 采購成本低：平面配線架的設計和生產工藝相對簡單，無需
2025-09-15 10:04:24402 
Nexperia（安世半導體）近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合，該系列采用行業標準微引腳封裝，專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630 推動著這一理念的發展。 有人可能認為，堅固型和嵌入式計算應用不需要最小、最密或最快的互連。就數據中心224 Gbps PAM4（448 Gbps PAMx 即將推出）的前沿水平而言，這可能是正確的。然而，當前運行于PCIe 3.0（8 Gbps）或 PCIe 4.0（16 Gbps）的堅固型應
2025-09-10 11:36:491998 
1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件，具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性，專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET，SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1
2025-09-01 16:33:492081 
新潔能研發團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
2025-08-22 18:02:351527 
在工業級USB傳輸應用中，隨時能夠完成接口轉接十分必要。為了進一步提升USB轉接的輕便度和耐用度，L-com諾通推出了一系列新型工業級USB 3.0轉接頭。
2025-08-13 16:00:55941 Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列，專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET，可在 185°C 下持續工作，助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232327 請問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復出廠設置分別是如何操作的？
2025-08-06 08:02:08
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
現有多臺IR615路由器，希望將其配置為vpn客戶端，連接云服務器的vpn服務端
工程師遠程連接云服務器對IR615進行管理
在IR615中可以選用哪種vpn協議？如何進行配置？
服務端搭建需要做哪些兼容配置？
2025-08-06 07:21:22
近日，派恩杰半導體正式發布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產品的導通電阻RDS(on)最低可達7mΩ，達到國際領先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293 
在D-Sub連接中，針對專屬應用，許多客戶需要自己進行裝配。為了進一步降低安裝難度，提升連接自由度，L-com諾通推出了一系列新型組裝式D-Sub護罩套件。
2025-07-29 14:53:19703 隨著以太網線纜的持續升級，一部分帶有特別屬性的線纜，更能夠輕松應對嚴苛工業環境中的連接考驗。 為了進一步完善應用環境的以太網絡傳輸，L-com諾通推出了一系列新型超6類屏蔽型以太網線纜。這些新品可選多種護套和顏色，非常適合數據中心和企業通信。產品已備貨在庫，可隨時發貨。
2025-07-21 17:58:04844 Texas Instruments DP83867IR/DP83867CR以太網PHY收發器是堅固耐用的全功能物理層 (PHY) 收發器，集成了PMD子層，支持1000BASE-T
2025-07-17 09:14:56749 
提升穩定性、低損耗等性能。傳統平面型MOSFET中，源極和漏極區域是橫向布局的，柵極在源極和漏極區域的上方，形成一個平面結構。 ? 溝槽MOSFET則是源極和漏極區域
2025-07-12 00:15:003191 圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287 
以太網RJ45插座的用途十分廣泛，需要特別適配不同的連接環境。為了進一步提升工業級以太網插座的專屬優勢，L-com諾通推出了一系列新型超6類RJ45 Keystone IDC插座。
2025-07-09 11:36:10838 Wolfspeed 推出新型頂部散熱（TSC） 碳化硅 MOSFET 和肖特基二極管 優化熱管理并節約能耗 Wolfspeed 正在擴展其行業領先的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基二極管分立
2025-07-09 10:50:321361 
英國比克全新推出9400A系列USB采樣器擴展實時示波器新型號，本次同時擴展了更低頻段的9404A-06（6GHz）/9404A-16（16GHz）和更高頻段的9404A-33（33GHz）的采樣器
2025-07-04 17:36:17881 
面對工業電源、BLDC電機驅動、新能源轉換系統對功率密度的極致追求，我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設備向小型化、高頻化、高可靠進化!
2025-07-03 18:03:351094 
? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604 
納芯微推出MT652x系列汽車角度傳感器芯片，集成聚磁片并具備多平面角度與位移檢測能力，符合AEC-Q100 Grade-0與ISO26262 ASIL B標準，為汽車油門踏板、方向盤等部件提供精準位置信息。其高精度、高可靠性及多重安全防護特性，適配多種車載應用場景，助力提升駕駛安全與舒適性。
2025-06-27 16:29:27545 
揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:531352 
在數據中心、工業自動化及新能源領域，MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET，結合屏蔽柵技術，突破傳統性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力，在高功率應用領域持續輸出。
2025-06-11 09:37:31754 
作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一，新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破，其研發團隊持續創新，正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET，電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500 
TE Connectivity(TE)推出的新型0.5mm鎖定式柔性印刷電路(FPC)連接器可提供牢固的固定，以防止在惡劣環境中使用時意外脫開。
這些FPC連接器的型號為2041215-1
2025-06-03 20:24:22
隨著高效能、緊湊型電源系統的需求日益增長，傳統平面MOSFET已逐漸難以滿足高壓低損耗的要求。
2025-06-03 15:56:281018 
隨著工業數據傳輸應用的連接要求日益提升，USB線纜需要具備多種優勢屬性。為了帶給客戶更好的連接體驗，L-com諾通推出了一系列新型USB 3.0屏蔽型線纜組件。
2025-05-26 15:14:44868 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C
2025-05-22 14:51:22901 
在服務器電源、工業驅動及新能源領域，MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術，為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100 
工業4.0和工業物聯網(IoT)的聯網需求正在逐年加速，在工業環境中，確保有線和無線網絡的穩定運行至關重要。為了進一步提升嚴苛環境中連接產品的使用體驗，L-com諾通發布新型工業連接解決方案，推出一系列堅固耐用的連接產品組合，從多個需求角度出發，全面解決連接難題。
2025-05-17 13:48:381275 納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標準，以滿足最嚴苛汽車及工業應用的系統壽命要求。納微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET，搭配優化的HV-T2Pak頂部散熱封裝，實現行業最高6.45mm爬電距離，可滿足1200V以下應用的IEC合規性。
2025-05-14 15:39:301341 近日，基本半導體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發規格包括面向車用主驅等領域的1200V/13.5mΩ、750V/10.5mΩ系列，面向光伏、儲能等
2025-05-09 11:45:401018 
近日，Nexperia宣布推出一系列高效且堅固的汽車級碳化硅(金屬氧化物半導體場效應晶體管，SiCMOSFET)，這些新產品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產品在性能指標
2025-05-08 11:09:50620 
為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiCJFET產品系列。新系列產品擁有
2025-05-07 17:03:14629 
存在易燃易爆氣體、惡劣工況和極端溫度的工業環境—這是流程工業領域中人員和設備所面臨的應用挑戰。為此，倍加福推出的BTC系列工業盒式瘦客戶端專為這些嚴苛的工業環境而設計，并提供可靠堅固的虛擬化解決方案。
2025-04-28 15:05:27771 。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。 圖源：英飛凌 ? 在功率晶體管中集成SBD的做法，此前在SiC MOSFET中，業界有不少的研究。三菱在2013年提出了集成SBD的SiC MOSFET相關專利，并在2023年推出采用這種新型器件的SiC功率模塊。 ? 為什么
2025-04-28 00:19:003055 
納微半導體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊，該模塊采用環氧樹脂灌封技術及納微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術，經過嚴格設計和驗證，適用于最嚴苛的高功率環境，重點確保可靠性與耐高溫
2025-04-22 17:06:39980 在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發企業，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統設計，以滿足
2025-04-17 11:23:54722 
在工業顯示設備中，對DVI等音視頻線纜的傳輸要求更高，需要具備更多適配屬性。為了更好提升客戶在工業顯示設備中的音視頻連接，L-com諾通推出了一系列新型特優DVI-D雙鏈路帶磁環線纜組件。
2025-04-10 16:46:04851 Nexperia近日宣布推出一系列具有高信號完整性的雙向靜電放電(ESD)保護二極管，采用創新的倒裝芯片平面柵格陣列(FC-LGA)封裝。這項新型封裝技術經過了專門優化，旨在保護和過濾現代汽車中日
2025-04-09 17:31:23932 TXN 系列是 TRACO POWER 推出的新一代金屬封裝 AC/DC 電源，結構緊湊、堅固耐用，專為成本敏感型的工業應用場景設計。
2025-04-08 16:59:591076 具備高柔和拖鏈級屬性的USB線纜，一直是工業數據傳輸環境中的必備產品。為了更好提升客戶的使用體驗，L-com諾通推出了一系列新型USB 2.0高柔拖鏈級線纜組件。
2025-04-08 10:11:58832 伍爾特電子（Würth Elektronik）推出“REDCUBE PRESS-FIT for Automotive”全新車用壓接連接器系列，專為汽車應用優化了螺紋連接技術。這些堅固耐用的元件可承載高達 250 A 的電流，并按照嚴格的質量標準制造。
2025-04-02 10:26:56863 特瑞仕半導體株式會社(東京都中央區，代表董事：木村岳史，以下簡稱特瑞仕)開發了工作溫度105℃的專為CV(恒定電壓)充電的二次電池設計的新型電壓檢測器——XC6142系列。
2025-04-02 09:32:30750 
氣隙設計的優點。
目錄1 概述2 一種分段氣隙的CLLC平面變壓器設計3 實驗驗證4 參考文獻
1 概述學者們從LLC拓撲原理、新型器件、改進拓撲、先進調制方法、諧振參數優化方法、磁性器件設計方法
2025-03-27 13:57:27
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945 
飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 （屬于SMPS2系列）和MOSFET器件 FCP11N60（屬于SuperFET 產品族）。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC，代表了功率
2025-03-25 13:43:17
)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外，新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44
Nexperia（安世半導體）正式推出一系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
2025-03-21 10:11:001232 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11963 
英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736 
使用以下命令將 ONNX* 模型轉換為 IR：mo --input_model model.onnx
該模型無法轉換為 IR v10，而是轉換為 IR v11。
2025-03-06 06:32:59
隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長，新潔能（NCE）產品研發部門推出HO系列MOSFET產品，優化了SOA工作區間，可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅動、BMS
2025-03-04 14:40:341237 
近日，卡特彼勒推出Cat（卡特）G3500K系列燃氣發電機組，以提供可靠、快速響應且高效的電力解決方案。該系列燃氣發電機組適用于高要求的工作環境，并為多種應用而設計，包括主用和持續功率。Cat
2025-03-03 16:09:041317
DLP4500固定在機構件上是否有平面度要求，平面度是否影響影像?
2025-02-28 07:51:35
密集型布線對線纜要求更高，L-com諾通為了更好完善客戶高密度布線應用，推出了新型6類屏蔽型超薄以太網線纜。
2025-02-21 09:36:36719 SiC MOSFET，如同一名敏捷的戰士，擁有高速開關能力，能夠快速響應，高效轉換能量。而其低導通電阻，則像是堅固的盾牌，保護著能量的損耗，讓效率得到最大化。SiC
2025-02-18 14:29:22
傾佳電子楊茜提供基于BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產BTP2843DR與B2M600170H的1000V直流輸入反激輔助電源設計（反激驅動驅動電壓限制，無法最大化碳化硅MOSFET能力的情況下）,取代老舊的平面高壓硅MOSFET方案。
2025-02-15 07:17:581274 
RECOM 非常高興地宣布推出 RACPRO1-4SP 系列，這是一款具有先進控制和保護功能的新型四通道電子斷路器。
2025-02-07 11:43:001207 納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅動 NSI67X0 系列，該系列適用于驅動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規等級（滿足 AEC-Q100 標準）和工規等級，可廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。
2025-01-24 15:44:06867 
近日，全球碳化硅（SiC）功率半導體領域的知名制造商SemiQ，正式推出了一款專為中壓大功率轉換應用而設計的1700V SiC MOSFET系列新品。此次發布的QSiC? 1700V高速平面
2025-01-23 15:46:58994 近日，全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品，專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221 
緊湊型網絡布線環境，需要更高質量的以太網線纜。為了更好完善客戶網絡應用環境，L-com諾通推出了一系列新型超6類直角彎頭線纜組件。
2025-01-16 17:15:12989 意法半導體推出了標準閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管，新系列產品兼備強化版溝槽柵技術的優勢和出色的抗噪能力，適用于非邏輯電平控制的應用場景。
2025-01-16 13:28:271021 SimcenterSCADASRS堅固型數據采集系統提高惡劣環境中的多物理場測試效率，并實現可靠、靈活且高性能的數據采集和出眾的連通性。為何選擇SimcenterSCADASRS？設計堅固，性能可靠
2025-01-15 14:42:33917 
近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計，以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957 
工業級專業領域USB數據傳輸時，可能會受到持續振動環境的困擾。為了更牢固的進行USB連接，L-com諾通推出了一系列新型帶翼形螺絲的USB 3.0線纜組件。
2025-01-10 09:37:38790 “ ?本文探討了不同地平面情況下的電容耦合及電感耦合，并給出了 PCB 布線時的注意事項。 ? ” 普遍認同的觀點是，地平面為電流提供了一個低電感和低電阻的返回路徑，并且能夠防止不同導線之間的串擾
2025-01-09 11:21:101611
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