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電子發燒友網>存儲技術>SK海力士主力產品DRAM的價格正急劇下跌

SK海力士主力產品DRAM的價格正急劇下跌

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SK海力士突發火災,DRAM畫風突變?

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10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

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SK海力士發布標準DDR5 DRAM內存顆粒 并擁有最多32個Bank

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SK海力士著手DDR6的研發 DRAM技術再一次實現突破

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受中美貿易和DRAM跌價影響 SK海力士將放緩投產計劃

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反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應商

在芯片行業持續衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據臺灣市場研究公司 TrendForce
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2023-11-13 10:32:311819

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰,觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備

數據顯示,首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力,并啟動大規模HBM設備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移,進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士2024年第一季度將調整DRAM減產計劃

盡管在2023年面臨存儲芯片市場下滑和價格下跌SK海力士因應人工智能芯片需求的增長,尤其是高帶寬內存(HBM)的激增,于去年12月成功超越競爭對手三星電子,躍居韓國第二大市值的位置。
2024-01-12 15:37:251221

SK海力士計劃提升中國無錫工廠技術水平,推動半導體產業發展

隨著全球半導體市場的復蘇,SK海力士認識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080

SK海力士:挑戰美國限制,推進中國半導體技術升級

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM
2024-01-16 10:45:25865

SK海力士持續投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10nm制程DRAM
2024-01-31 11:23:051539

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士重組中國業務

SK海力士,作為全球知名的半導體公司,近期在中國業務方面進行了重大的戰略調整。據相關報道,SK海力士正在全面重組其在中國的業務布局,計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司,并將其業務重心全面轉移到無錫。這一決策的背后,反映了SK海力士對于中國市場發展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

剛剛!SK海力士出局!

在基礎晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱,英偉達已經向SK海力士支付了約合5.4億至7.7億美元的預付款,供應下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領先的內存芯片制造商,正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲,以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
2024-05-06 10:52:02982

三星和SK海力士未恢復增產并計劃限制DRAM產量

 根據行業預估,三星和SK海力士有望在今年擴展產量以應對逐步好轉的半導體市場環境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971

三星、SK海力士DRAM和NAND產量持保守態度

DRAM和NAND芯片的生產上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹慎態度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內存的合約價環比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內存產能,進而推動了通用內存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK海力士已在今年2月宣布其HBM產能已全部售罄,顯示其產品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士引入創新MOR技術于DRAM生產

SK海力士在半導體領域再次邁出創新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入DRAM量產工藝。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士加大1b DRAM產能以滿足市場需求

在全球半導體產業風起云涌的當下,SK海力士再次展現出其前瞻性和決斷力。據行業內部消息透露,該公司正積極擴大其第5代1b DRAM的生產規模,以應對當前市場對HBM(高帶寬內存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183

SK海力士擴產1b DRAM,引領存儲行業新熱潮

在6月17日傳來的最新消息中,全球知名的半導體制造商SK海力士正積極布局,大力擴展其第5代1b DRAM的生產規模。這一舉措旨在應對日益增長的高帶寬內存(HBM)和DDR5 DRAM的市場需求,進一步鞏固其在存儲領域的領先地位。
2024-06-17 16:50:021580

SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產良率達到56.1%

)提交了一份關于3D DRAM(三維動態隨機存取存儲器)的詳細研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領域取得的顯著進展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291746

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%

在全球半導體技術的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術領域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%,這一突破性的進展引起了業界的廣泛關注。
2024-06-27 10:50:221473

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰略,考慮推動其NAND與SSD業務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應業務后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士HBM營收暴漲250%

韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務報告,這份報告展現出了公司在復雜市場環境下的強勁韌性與增長潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動,導致SK海力士的股價應聲下跌8.87%,但其財務表現卻創下了多項歷史新高,成為行業關注的焦點。
2024-08-05 11:25:151313

SK海力士DDR5芯片價格或將大幅上漲

近日,據外媒報道,SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價格上調15%至20%,這一舉動在業界引起了廣泛關注。供應鏈內部人士透露,此次漲價的主要原因在于HBM3/3E產能的大幅擴張,對DDR5的生產資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516

SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發采用4F2結構(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標志著SK海力士DRAM制造領域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士M16晶圓廠擴產,DRAM產能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模,顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設備供應商合作,訂購了關鍵生產設備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內存)及通用DRAM內存方面的生產能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士開發出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項重大技術突破,成功開發出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標志著SK海力士在半導體存儲技術領域的領先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品

近日在一次科技展覽上,SK海力士驚艷亮相,展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產品。這一突破性產品不僅展示了SK海力士在高端存儲技術領域
2024-11-05 15:01:201231

SK海力士調整生產策略,聚焦高端存儲技術

限的產能轉向更高端的產品線,如人工智能用存儲器及先進DRAM產品SK海力士的這一決策可能與其重點發展高端存儲技術研發和生產有關。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產品,該產品在容量和層數上均達到了業界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預計明年 1b DRAM 產能將擴大到 16~17 萬片

存儲芯片,并將其應用到一家大型科技公司的 AI 計算芯片上。SK 海力士預計將在明年下半年供應該芯片。 ? 由于需要同時向英偉達和博通供應 HBM,SK 海力士肯定會調整其 DRAM 產能預測。這家公司計劃
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士增產HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達外,其他領先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應。
2025-01-07 16:39:091310

SK海力士HBM技術的發展歷史

SK海力士在鞏固其面向AI的存儲器領域領導地位方面,HBM1無疑發揮了決定性作用。無論是率先開發出全球首款最高性能的HBM,還是確立并保持其在面向AI的存儲器市場的領先地位,這些成就的背后皆源于SK海力士秉持的“一個團隊”協作精神(One Team Spirit)。
2025-06-18 15:31:021667

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