據5月14日消息，韓國SK海力士在IEEE IMW國際存儲研討會上宣布HBM4E內存的開發(fā)周期有望縮短至一年，并進一步透露相關細節(jié)。公司技術專家Kim Kwi Wook表示，計劃采用1c nm制程的32Gb DRAM裸片來制造HBM4E內存。

值得注意的是，目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預計今年內實現1c nm DRAM的量產，而美光則需等到明年。新一代顆粒有望在密度和能效方面取得顯著進步。

關于SK海力士是否會在HBM4上更新DRAM裸片制程，目前尚無確切消息。韓媒The Elec近期報道指出，鑒于SK海力士已將HBM4量產時間提前至2025年下半年，繼續(xù)沿用1b nm顆粒更為合理。

當前市場主流的HBM3E產品均采用24Gb DRAM顆粒，使其在8層堆疊下可達24GB單堆棧容量；若采用12層堆疊，HBM3E堆棧容量可增至36GB。

而未來的HBM4E內存升級至32Gb DRAM裸片后，12層堆疊版將實現48GB單顆容量，16層版甚至可達到64GB的驚人規(guī)模，為AI應用提供更大空間。

Kim Kwi Wook預測，HBM4E內存相較于HBM4，帶寬將提升40%，密度增加30%，能效亦提高30%。對于鍵合技術路線，他表示混合鍵合存在良率問題，SK海力士在下一代HBM4產品中采用此技術的可能性較小。