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IR推出StrongIRFET功率MOSFET系列

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仁懋電子(MOT)推出的MOT1514G是一款面向低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、大電流承載能力及緊湊封裝設計,廣泛適用于計算設備電源管理、負載開關、電機驅動、無線
2025-10-29 10:22:59202

選型手冊:MOT4N70C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT4N70C是一款面向700V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借700V耐壓、快速開關特性及穩定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-10-28 17:48:45783

選型手冊:MOT50N06D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低壓大電流開關場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借60V耐壓、超低導通損耗及高速開關特性,廣泛適用于各類開關應用(如DC-DC轉換器、電機驅動
2025-10-28 17:44:21762

選型手冊:MOT5N50C 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT5N50C是一款面向500V高壓高頻場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借500V耐壓、快速開關特性及穩定雪崩能力,廣泛適用于高頻開關電源、電子鎮流器、LED電源等
2025-10-28 16:01:06430

選型手冊:MOT3140G 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT3140G是一款面向低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借超低導通損耗、超大電流承載能力及緊湊封裝設計,廣泛適用于便攜式設備電源、筆記本功率管理、電池
2025-10-27 17:30:03198

選型手冊:MOT7N70D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子(MOT)推出的MOT7N70D是一款面向高壓開關場景的N溝道增強型功率MOSFET,憑借700V耐壓、低導通損耗及高速開關特性,廣泛適用于高效開關電源、電子鎮流器、LED電源等領域。以下從
2025-10-27 17:19:00190

Nexperia推出功率工業應用專用MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日宣布,為旗下不斷擴充的應用專用MOSFET (ASFET)產品組合再添新產品。ASFET系列的產品特性經優化調校,可滿足特定終端應用的嚴苛需求。其中,80 V
2025-10-10 11:22:27700

Bourns推出全新Riedon PF2472系列功率電阻

Bourns 推出全新 Riedon 系列功率電阻。此系列采用緊湊型 TO-247 封裝,具備堅固耐用、高功率的厚膜電阻特性,能在搭配散熱器時提供高達 100 W 的輸出功率,并可承受最高 700
2025-09-17 14:37:11678

Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

Nexperia(安世半導體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產品組合,該系列采用行業標準微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂、電池防反保護及LED照明應用設計。
2025-09-12 09:38:45630

派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產品優勢

1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應用設計。相比傳統硅基MOSFET,SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:401034

新潔能推出增強型N溝道MOSFET系列產品

新潔能研發團隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產品。
2025-08-22 18:02:351527

森國科推出SOT227封裝碳化硅功率模塊

碳化硅(SiC)功率半導體技術引領者森國科,推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統級可靠性,為新能源發電、工業電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154

Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET

Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 車規級碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,專為嚴苛的汽車環境設計。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持續工作,助力動力總成系統實現最大性能。
2025-08-11 16:54:232327

請問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復出廠設置分別是如何操作?

請問IR600系列路由器、IR700系列路由器、IR900系列路由器的恢復出廠設置分別是如何操作的?
2025-08-06 08:02:08

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術,在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。
2025-08-01 10:25:141293

圣邦微電子推出單N溝道功率MOSFET SGMNL12330

圣邦微電子推出 SGMNL12330,一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應用于 PWM 應用、電源負載開關、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522287

密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器 skyworksinc

電子發燒友網為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器相關產品參數、數據手冊,更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34

MOSFET與IGBT的選擇對比:中低壓功率系統的權衡

功率電子系統中,MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件,廣泛應用于中低壓功率系統。它們各有優缺點,適用于不同的應用場景。作為FAE,幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景,能夠有效提高系統
2025-07-07 10:23:192439

揚杰科技推出200V MOSFET Gen2.0系列

面對工業電源、BLDC電機驅動、新能源轉換系統對功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設備向小型化、高頻化、高可靠進化!
2025-07-03 18:03:351094

英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業功率電子應用

? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合,在25°C時R?DS(on)?值
2025-07-02 15:00:301604

揚杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產品

揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品,產品采用特殊優化的SGT技術,具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg,明顯降低導通和開關損耗,同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:531352

辰達半導體推出全新PowerTrench MOSFET MDDG03R01G

在數據中心、工業自動化及新能源領域,MOSFET的導通損耗與動態響應直接影響系統能效。MDD全新PowerTrench系列MOSFET,結合屏蔽柵技術,突破傳統性能瓶頸。其中MDDG03R01G以0.75mΩ超低導通電阻與300A持續電流能力,在高功率應用領域持續輸出。
2025-06-11 09:37:31754

新潔能推出第三代40V Gen.3 SGT MOSFET系列產品

作為國內MOSFET功率器件研發的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導體核心技術的突破,其研發團隊持續創新,正式推出第三代SGT產品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列
2025-06-11 08:59:592500

初級元器件知識之功率MOSFET

什么是功率 MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實現開關,但是,我們只能對其進行開關操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個信號
2025-06-03 15:39:43

使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?

CCG8 使用 GPIO 來控制 FET 柵極驅動器的功率吸收路徑, 我可以使用 P-MOSFET 作為電源接收路徑嗎? 使用 N-MOSFET 作為功率吸收路徑有哪些優點?
2025-05-28 06:51:33

MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET

在服務器電源、工業驅動及新能源領域,MOSFET的性能直接決定系統的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求,MDD辰達半導體推出全新SGT系列MOSFET,其中MDDG03R04Q(30V N溝道增強型MOS)憑借3.5mΩ低導通電阻與屏蔽柵優化技術,為同步整流、電機驅動等場景提供高效解決方案。
2025-05-21 14:04:381100

圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430

圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件可應用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉換器、功率負載開關以及筆記本電池管理等領域。
2025-05-09 16:57:26971

AOS推出第三代1200V aSiC MOSFET,專為高功率應用能效優化而生

日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達克代碼:AOSL)推出其新一代
2025-05-07 10:56:10728

Vishay推出第4.5代650V E系列高效能電源MOSFET

VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創新——第4.5代650VE系列電源MOSFET,型號為SiHK050N65E。該產品的推出旨在提升電信、工業
2025-03-27 11:49:46945

MOSFET與IGBT的區別

飛兆半導體的IGBT器件FGP20N6S2 (屬于SMPS2系列)和MOSFET器件 FCP11N60(屬于SuperFET 產品族)。這些產品具有相近的芯片尺寸和相同的熱阻抗RθJC,代表了功率
2025-03-25 13:43:17

MOSFET開關損耗計算

)與電源轉換技術來提高電源轉換效率之外,新式功率器件在高效能轉換器中所扮演的重要角色,亦不容忽視。其中,Power MOSFET 目前已廣泛應用于各種電源轉換器中。本文將簡述Power MOSFET 的特性
2025-03-24 15:03:44

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

Nexperia(安世半導體)正式推出系列性能高效、穩定可靠的工業級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
2025-03-21 10:11:001232

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列
2025-03-19 14:31:281103

英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET,助力低地球軌道應用

英飛凌(Infineon)近日宣布,擴大其輻射耐受功率MOSFET系列,新增P溝道功率MOSFET,以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出,標志著英飛凌在為新一代“新空間
2025-03-11 11:39:53736

新潔能推出HO系列MOSFET產品

隨著市場對高性能功率半導體器件寬SOA MOSFET需求的日益增長,新潔能(NCE)產品研發部門推出HO系列MOSFET產品,優化了SOA工作區間,可滿足熱插拔、緩啟動、電子保險絲、電機驅動、BMS
2025-03-04 14:40:341237

瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領先的半導體解決方案提供商瑞薩電子,近日宣布了一項重要技術創新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1,成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET:RBA300N10EANS
2025-01-22 17:04:06991

SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中壓大功率轉換領域

近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半導體制造商SemiQ正式發布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,專為中壓大功率轉換應用設計。
2025-01-22 11:03:221221

瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET,助力多領域應用

近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產品專為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電應用而設計,以其卓越的高電流開關性能和行業領先的技術表現成為市場焦點。新型
2025-01-13 11:41:38957

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