Corporation，簡稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）“TPH9R00CQH”(?https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:55
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式電源?(SMPS)。 ? 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率
2022-05-19 10:50:422606 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 文章的內容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:4510373 
? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導通功耗，節省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073575 東芝將進一步擴大其MOSFET產品線，通過減少損耗提高設備電源效率，進而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271633 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:141124 
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
實現了內部二極管的反向恢復時間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。?內部二極管的trr高速化有助于實現逆變器和電機驅動器電路的高效化與小型化。＜ 相關產品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
檢測（AOI）系統對焊點進行目視檢查，并有助于提高焊點可靠性。此外，東芝已驗證其可在貼裝溫度循環測試中承受3000次循環，并獲得了相關數據，從而讓客戶能夠完全放心地使用該QFN封裝。與現有產品相比，通過
2023-02-28 14:11:51
% 。這些改進有助于顯著提高設備效率。對于使用東芝當前產品GT50JR22的空調PFC電路，其工作頻率低于40kHz。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz 以下PFC的IGBT，其可通過降低
2023-03-09 16:39:58
器件并沒有完全導通，此時。功率MOSFET管承受電源電壓，導通電阻非常大，理論上，電流乘以電阻等于VDS值。到了米勒平臺區，電流達到系統的最大電流后，電流就不能再增加，柵極提高的多余電子進入到外延層
2025-11-19 06:35:56
MOSFET和開關頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過厚的低
2016-10-10 10:58:30
靜態反向電壓階段。參數性能仿真研究人員利用SPICE模型，通過商業PSpice軟件對功率二極管反向恢復特性進行了仿真。功率二極管型號1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二極管
2023-02-14 15:46:54
ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產品。PrestMOS與標準的超級結MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低
2018-12-04 10:23:36
第二代。非常有助于改善包括電源在內的PFC等各種功率轉換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級結MOSFET具有導通電阻低、開關速度快的特點，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結合了平面
2018-12-05 10:00:15
Q2的P-N結增加儲存電荷。在t4~t5時段，MOSFET Q1通道導通，流過非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復電流引起。這不是偶然的直通，因為高、低端MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
ROHM此次開發的業界先進的雙極MOSFET中，采用了新工藝、±40V耐壓的產品與普通產品相比，Pch部分的導通電阻降低多達61％，Nch部分的導通電阻也降低達39％，有助于降低各種設備的功耗。2、具備
2021-07-14 15:17:34
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性的不同首先，反向恢復或恢復是指二極管在呈反向偏置狀態時，無法立即完全關斷，有時會出現反向電流的現象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
二極管的恢復損耗非常小。主要應用于工業機器電源、高效率功率調節器的逆變器或轉換器中。2. 標準化導通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
時，客戶工程師發現：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向導通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
【實例分析】抑制功率二極管反向恢復的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為截止狀態過程中，存在反向恢復現象。這會引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
通過導電溝道進入垂直的N+區，中和N+區的正電荷空穴，從而恢復被耗盡的N+型特性，因此導電溝道形成，垂直N+區摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導通電阻低。比較平面結構和溝槽結構的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動
2019-04-04 06:30:00
，它代表金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
的電子通過導電溝道進入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
連線的電源短路。圖2顯示的是經修改的評估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復測量的經修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測技術圖4顯示的是開關
2018-09-03 15:17:37
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:47
采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。
2026-01-05 06:12:51
-Channel MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進SGT（屏蔽柵極槽）技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適合用于高效電源管理和高速開關的應用場
2024-10-14 09:40:16
PN結轉化為掩埋PN結，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進一步提高。 內建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導通電阻的降低 INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開
2009-08-18 12:00:511624 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，東芝開發了提高內置二極管恢復特性的構造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會上展示。據悉，該產品耐壓為600V，縮短了內置二極管反向恢復時間。
2013-05-20 11:40:331122 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263434 本文重點介紹在調試FPGA系統時遇到的問題及有助于提高調試效率的技術，針對Altera和Xilinx的FPGA調試提供了最新的方法和工具。
2018-11-28 08:43:003254 
安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 產品特點
1、優異的開關特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術，SGT MOSFET器件有助于提升系統效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
150V 快速高壓側受保護的 N 溝道 MOSFET 驅動器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
11 快速 150V 高壓側 N 溝道 MOSFET 驅動器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中
2022-04-01 09:12:423969 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:214033 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。 ? 近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，
2023-02-04 18:31:453724 ROHM在以業界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產品。
2023-02-10 09:41:051467 
我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合上一篇文章的內容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:081904 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現象。
2023-02-13 09:30:043938 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
反向恢復時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續反向導通。反向流動的時間稱為反向恢復時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:308887 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 —GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我將開始在24V至5V/4A電源轉換器中測量反向恢復。
2023-04-15 09:15:125736 
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:011395 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101320 的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:561060 安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:491735 
東芝近日發布了兩款專為車載環境設計的N溝道功率MOSFET產品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導通電阻達到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 ，對于高效能電源和轉換器至關重要。快速反向恢復時間： TK49N65W5的典型反向恢復時間（trr）為145 ns，非常適合高速開關應用。這一特性降低了開關損耗，提升了系統的整體效率，非常適用于需要快速響應時間的電力電子產品。高電壓和電流處理能力： 該MOSFET可以承受高達650 V的漏源電壓（VD
2024-08-05 11:12:520 150V Gen.3 SGT MOSFET系列產品采用全新屏蔽柵溝槽技術，特征導通電阻Rsp（導通電阻Ron*芯片面積AA）相對上一代降低43.8%，具備更高的電流密度和功率密度。同時，二極管
2024-08-15 16:36:581677 
TK160F10N1L是一款N溝道MOSFET，采用了東芝最新的U-MOS-H技術。這種技術使得該器件在低導通電阻和高電流能力之間達到了一個出色的平衡，從而提高了效率和功率密度。這款器件最早
2024-08-31 09:27:481 具有極低的導通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結構，器件獲得優良的開關性能，使得150V SGT系統產品具有極低的開關損耗。
2025-01-03 10:19:162055 
現代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復特性對系統安全具有重要影響，本文探討了Diode的反向恢復特性的機理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC 的電源系統以及電機控制系統的主功率
2025-01-03 10:36:292014 
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產品，利用該系列產品的低導通電阻和高速開關的特性，有助于提高功率轉換效率并減小產品尺寸；即使在
2025-03-07 17:40:40847 
塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
2025-04-16 10:05:07663 
電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時為118nC，有助于減少開關損耗。 ? 低導通電阻 ?：RDS(on)（漏源導通電阻）在VGS=10V時為1.4mΩ，有助于降低傳導損耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57766 
3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數 方框圖 1. 產品特性 ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開關損耗。 ? 低導通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時，導通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?：結到殼熱阻
2025-04-16 10:35:32787 
仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級結功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術、低導通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關、PWM應用、電源管理等領域。一、產品
2025-11-19 15:25:38249 仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環保特性，適用于便攜設備、電池供電系統、筆記本電腦電源管理等領域。一
2025-11-20 16:06:45264 仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環保特性，適用于便攜設備、電池供電系統、筆記本電腦電源管理等領域。一、產品
2025-11-20 16:15:04256 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、低柵極電荷及快速開關特性，適用于各類開關應用場景。一、產品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305 仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環保特性，適用于便攜設備、電池供電系統、筆記本電腦電源管理等領域。一
2025-11-21 10:38:31151 仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術、低導通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關、PWM應用、電源管理等領域。一
2025-11-21 10:57:56177 仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高頻開關特性及高可靠性，適用于高頻開關、同步整流等領域。一、產品基本信息器件
2025-11-24 14:27:27203 仁懋電子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、高可靠性及環保特性，適用于便攜設備、電池供電系統、筆記本電腦電源管理等領域。一
2025-11-25 15:31:05218 威兆半導體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，具備快速開關特性與高能量轉換效率，憑借低導通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉換器、同步整流、負載開關等低壓
2025-11-26 15:21:16231 威兆半導體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載
2025-11-27 16:52:11394 
威兆半導體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品
2025-11-28 12:07:44160 
威兆半導體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術實現低導通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207 
威兆半導體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導通電阻、快速開關特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉換器、同步整流、中功率負載開關等領域。一、產品
2025-12-02 09:32:01255 
：N溝道增強型功率MOSFET核心參數：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場景；導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G
2025-12-12 14:34:23226
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