■N2M120013PP0產(chǎn)品閾值電壓-溫度曲線

昕感科技通過(guò)器件結(jié)構(gòu)的綜合優(yōu)化設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)15V柵壓驅(qū)動(dòng)和高閾值電壓的雙重突破。新產(chǎn)品在25℃室溫下閾值電壓可達(dá)3.3V，在175℃高溫下仍可達(dá)2.4V。高閾值電壓特性能夠有效降低應(yīng)用中的誤開(kāi)啟概率，避免應(yīng)用端器件和系統(tǒng)失效。



昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對(duì)標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。

昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，致力于成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先和具有國(guó)際影響力的功率半導(dǎo)體變革引領(lǐng)者。

審核編輯：劉清