最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

　　瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。它們分別是耐壓（VDSS）為＋20V的n通道產(chǎn)品“μPA2600”，以及耐壓為＋30V的n通道產(chǎn)品“μPA2601”。這兩款產(chǎn)品的特點(diǎn)是導(dǎo)通電阻小，μPA2600的導(dǎo)通電阻為9.3mΩ，μPA2601的導(dǎo)通電阻為13.6mΩ（都是柵源間電壓為＋4.5V時(shí)的標(biāo)稱值）。新產(chǎn)品主要用于便攜式電子產(chǎn)品的負(fù)荷開關(guān)、充放電控制、RF 功率放大器的開關(guān)控制以及過電流保護(hù)開關(guān)等。

　　μPA2600的柵源間電壓為±12V，漏電流為7.0A，柵源間電壓為＋2.5V時(shí)的導(dǎo)通電阻為12mΩ（標(biāo)稱值）。μPA2601的柵源間電壓為±20V，漏電流為7.0A，柵源間電壓為＋10V時(shí)的導(dǎo)通電阻為10.5mΩ（標(biāo)稱值）。

　　此次推出的其他的產(chǎn)品為：兩款p通道產(chǎn)品、兩款雙p通道產(chǎn)品、一款雙n通道產(chǎn)品，以及一款將n通道和p通道集成在一個(gè)封裝中的產(chǎn)品。其中，p通道產(chǎn)品“μPA2630”的耐壓為－12V，“μPA2631”的耐壓為－20V。導(dǎo)通電阻方面，μPA2630為22mΩ，μPA2631為27mΩ（都是柵源間電壓為＋4.5V時(shí)的標(biāo)稱值）。

　　此次的八款產(chǎn)品均已從2012年4月開始樣品供貨。樣品價(jià)格為30日元。

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MOSFET(230958) MOSFET(230958)
瑞薩(89974) 瑞薩(89974)
導(dǎo)通電阻(20548) 導(dǎo)通電阻(20548)
功率MOSFET(22989) 功率MOSFET(22989)

評(píng)論

芯源的MOSFET采用什么工藝

采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。

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選型手冊(cè)：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

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仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-20 16:06:45

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仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域

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選型手冊(cè)：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-14 16:04:15

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選型手冊(cè)：MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-11-14 15:51:42

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?SiHR080N60E功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

電信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型導(dǎo)通電阻（10V時(shí)）和低至42nC的超低柵極電荷，從而降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗，因此可在電源系統(tǒng) >2

2025-11-14 10:32:18

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MDD MOS導(dǎo)通電阻對(duì)BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可

2025-11-12 11:02:47

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江西薩瑞微電子P6SMFTHE系列產(chǎn)品深度解析：小封裝承載大能量的功率器件

在電子設(shè)備小型化與高功率密度需求日益凸顯的今天，功率器件的封裝與性能平衡成為行業(yè)技術(shù)突破的核心痛點(diǎn)。江西薩瑞微電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)，推出的P6SMFTHE系列產(chǎn)品，以"

2025-11-11 10:00:05

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選型手冊(cè)：MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)（電動(dòng)工具

2025-11-11 09:34:34

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選型手冊(cè)：MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

2025-11-11 09:23:54

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選型手冊(cè)：MOT70R380D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC

2025-11-10 15:42:30

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TE Connectivity Z-PACK 2mm HM EON連接器系統(tǒng)技術(shù)分析

TE Connectivity (TE) Z-Pack 2mm硬公制 (HM) 針眼 (EON) 連接器系統(tǒng)具有20mΩ最大接觸電阻、每觸點(diǎn)1.5A額定電流以及750V~RMS~電壓。該2mm連接器

2025-11-09 11:21:13

740

選型手冊(cè)：MOT70R280D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-07 10:54:01

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選型手冊(cè)：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-05 15:28:39

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選型手冊(cè)：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高

2025-11-05 12:01:34

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參展圓滿落幕｜江西薩瑞微電子亮相2025深圳電子元器件展，綻放芯力量！

展會(huì)盛況規(guī)模空前，精英匯聚NEWS”功率半導(dǎo)體全系列解決方案薩瑞微電子重點(diǎn)展示了其新一代SGTMOSFET系列產(chǎn)品，覆蓋40V-150V全電壓范圍，其優(yōu)化的導(dǎo)通電阻表現(xiàn)引發(fā)了專業(yè)觀眾的濃厚興趣。同時(shí)

2025-10-31 14:14:12

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?STP80N1K1K6：基于MDmesh K6技術(shù)的超高效功率MOSFET解析

STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù)，利用了20年的超級(jí)結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應(yīng)用。

2025-10-23 15:08:58

415

體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品

2025-10-23 11:25:48

335

高分子固態(tài)電容的封裝革新：薄型設(shè)計(jì)（厚度＜2mm），適配緊湊電路

隨著電子設(shè)備向輕薄化、高性能化方向發(fā)展，電路板空間日益成為稀缺資源。在這一背景下，高分子固態(tài)電容的封裝技術(shù)迎來了革命性突破——厚度小于2mm的薄型設(shè)計(jì)正成為行業(yè)新趨勢(shì)。這種革新不僅重新定義了電容器

2025-09-22 14:03:46

451

合科泰MOSFET SI2301的核心優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用場(chǎng)景

合科泰SI2301是一款采用SOT-23封裝的P-CHANNEL MOSFET，專為DC-DC轉(zhuǎn)換器與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸適合高密度PCB布局，通過超低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性設(shè)計(jì)，為電子設(shè)備提供高效能功率控制解決方案。

2025-09-03 10:06:55

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TPS22995低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時(shí)間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。

2025-09-02 14:57:49

637

CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性深度解析：高效選型指南

邏輯與應(yīng)用價(jià)值。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過程中，工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評(píng)價(jià)要素。RDS(on)往往會(huì)體現(xiàn)在產(chǎn)品型號(hào)中，比

2025-09-01 20:02:00

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一文探究SiC MOSFET的短路魯棒性

SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、反向阻斷特性好、熱導(dǎo)率高、開關(guān)速度快等優(yōu)勢(shì)，在高功率、高頻率應(yīng)用領(lǐng)域中占有重要地位。然而，SiC MOSFET面臨的一個(gè)關(guān)鍵挑戰(zhàn)是降低特征導(dǎo)通電阻（RON,SP）與提升短路耐受時(shí)間(tSC)之間的權(quán)衡。

2025-08-04 16:31:12

3053

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗、可靠性等方面表現(xiàn)更出色。

2025-08-01 10:25:14

1293

中低壓MOS管MDD80N03D數(shù)據(jù)手冊(cè)

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術(shù)?● 卓越的散熱封裝設(shè)計(jì)?● 低導(dǎo)通電阻的高密度單元結(jié)構(gòu)?● 無鹵素環(huán)保工藝

2025-07-09 16:20:22

中低壓MOS管MDD50N03D數(shù)據(jù)手冊(cè)

● 溝槽式功率低壓MOSFET技術(shù)?● 卓越的散熱封裝設(shè)計(jì)?● 高密度單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻?● 無鹵素環(huán)保工藝

2025-07-09 16:04:33

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊

傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界關(guān)鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、175℃高溫

2025-06-24 07:58:29

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CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

問題。今天的文章將會(huì)主要聚集在G2的導(dǎo)通特性上。在MOSFET設(shè)計(jì)選型過程中，工程師往往會(huì)以MOSFET常溫下漏源極導(dǎo)通電阻RDS(on)作為第一評(píng)價(jià)要素。RDS(o

2025-06-16 17:34:51

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LMR43620-Q1 具有低 IQ 的汽車類 3V 至 36V、2A 低 EMI 同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMR436x0-Q1 是業(yè)界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉(zhuǎn)換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍

2025-06-09 11:03:24

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LMR43610-Q1 具有低 IQ 的汽車類 3V 至 36V、1A、低 EMI 同步降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-06-08 15:18:29

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MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。

2025-05-26 15:09:34

3805

【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻，助力通信基站高效節(jié)能

隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí)，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供高性能

2025-04-30 18:33:29

877

2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET規(guī)格書

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號(hào)開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。

2025-04-29 18:14:34

【RA-Eco-RA4M2開發(fā)板評(píng)測(cè)】初學(xué)瑞薩-使用瑞薩flash programmer燒錄程序

本人剛?cè)肟硬痪茫瑢?duì)單片機(jī)的熱情很高，于是也加入了瑞薩的板子申請(qǐng)隊(duì)伍，很榮幸也成為了試用者之一，此前對(duì)于瑞薩的板子從未接觸過，包括對(duì)于使用e2studio編寫程序燒錄等工作也是從小白開始，跟著官方給

2025-04-29 17:28:12

【RA-Eco-RA4M2開發(fā)板評(píng)測(cè)】試用瑞薩flash programmer燒錄

2025-04-28 19:12:27

2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計(jì)

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其

2025-04-27 16:59:26

ROHM 30V耐壓Nch MOSFET概述

AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實(shí)現(xiàn)雙向電路保護(hù)，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。

2025-04-17 14:55:11

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CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD17581Q3A ? 類型 ?：30V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低柵極電荷（Q_g）、低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)）、低熱阻、雪崩額定、無鉛、

2025-04-16 11:25:34

775

CSD18513Q5A 40V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

mm 塑料封裝參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18513Q5A ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端

2025-04-16 10:54:00

755

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET，單 SON 5mm x 6mm，2.3mOhm技術(shù)手冊(cè)

）低熱阻雪崩評(píng)級(jí) 邏輯電平無鉛端子電鍍符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn) 無鹵素 SON 5 mm × 6 mm 塑料封裝參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低導(dǎo)通電阻 ?：RDS(on)在VGS=10V

2025-04-16 10:45:52

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CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

3.3mm × 3.3mm 塑料封裝參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時(shí)，導(dǎo)通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻

2025-04-16 10:35:32

787

CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)

產(chǎn)品概述 ? 型號(hào) ?：CSD18512Q5B ? 類型 ?：40V N溝道 NexFET? 功率MOSFET ? 封裝 ?：SON 5mm × 6mm 塑料封裝 ? 特點(diǎn) ?：低導(dǎo)通電阻（R_DS(ON)）、低熱阻、雪崩額定、邏輯電平、無鉛端子鍍

2025-04-16 10:20:33

784

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

塑料封裝參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時(shí)，導(dǎo)通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容

2025-04-16 10:05:07

663

CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊(cè)

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計(jì)。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)量。

2025-04-16 09:55:06

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CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應(yīng)用的理想選擇。

2025-04-16 09:32:28

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CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護(hù)數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列（LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超扁平中具有出色的熱特性。基板柵格陣列（LGA）封裝是一種硅芯片級(jí)封裝，采用金屬焊盤而不是焊球。

2025-04-16 09:18:13

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CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗，并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。

2025-04-15 17:08:38

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CSD18511KCS 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

CSD18511KCS 是一款40V、2.1mΩ的N溝道NexFET?功率MOSFET，設(shè)計(jì)用于最小化功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。它采用TO-220塑料封裝，具有低柵極電荷（Qg）和低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），適用于次級(jí)側(cè)同步整流和電機(jī)控

2025-04-15 16:23:11

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【瑞薩RA2L1入門學(xué)習(xí)】+PWM呼吸燈

、通信到功率控制與變換的許多領(lǐng)域中。在瑞薩RA系列MCU中有兩種定時(shí)器，一種是通用PWM定時(shí)器GPT，另外一種是異步通用定時(shí)器AGT 3.配置LED1

2025-03-30 22:28:47

【瑞薩RA2L1入門學(xué)習(xí)】+e2_studio軟件安裝及使用

一、e2_studio軟件安裝及使用注冊(cè)e2 studio | Renesas 瑞薩電子下載軟件安裝 4.創(chuàng)建工程更改工程位置新建新建成功

2025-03-27 13:25:20

MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算

損耗對(duì)溫度關(guān)系圖圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖，其安全區(qū)主要由四個(gè)條件所決定：導(dǎo)通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓 VBR

2025-03-24 15:03:44

ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。

2025-03-13 15:08:04

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Banana Pi 與瑞薩電子攜手共同推動(dòng)開源創(chuàng)新：BPI-AI2N

與嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)，該聯(lián)合解決方案旨在打造更開放、更靈活的軟硬件平臺(tái)。 “此次合作將提升瑞薩在開源社區(qū)的知名度。基于 RZ/V2N 的突破性 BPI-AI2N SOM 有望對(duì)多個(gè)行業(yè)產(chǎn)生重大影響，為工程師

2025-03-12 09:43:50

一文帶你讀懂MOSFET開關(guān)損耗計(jì)算！！（免積分）

最大功率損耗對(duì)溫度關(guān)系圖圖 2 為 Power MOSFET 之安全工作區(qū)示意圖，其安全區(qū)主要由四個(gè)條件所決定：導(dǎo)通電阻 RDSON、最大脈波電流 IDpulse、最大功率損耗 PD 及最大耐壓

2025-03-06 15:59:14

MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

開關(guān)過程中柵極電荷特性開通過程中，從t0時(shí)刻起，柵源極間電容開始充電，柵電壓開始上升，柵極電壓為其中：，VGS為PWM柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出電壓，Ron為PWM柵極驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部串聯(lián)導(dǎo)通電阻，Ciss為

2025-02-26 14:41:53

導(dǎo)通電阻驟降21%！Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析

，Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降，開關(guān)損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個(gè)部分，首

2025-02-13 00:21:00

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瑞薩電子推出全新100V大功率MOSFET

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商瑞薩電子，近日宣布了一項(xiàng)重要技術(shù)創(chuàng)新——基于其全新的MOSFET晶圓制造工藝REXFET-1，成功推出了兩款100V大功率N溝道MOSFET：RBA300N10EANS

2025-01-22 17:04:06

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SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。

2025-01-22 13:55:54

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瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應(yīng)用

MOSFET的核心亮點(diǎn)在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項(xiàng)技術(shù)有效降低了MOSFET的導(dǎo)通電阻(Rdson)高達(dá)30%，從而顯著減少了功率損耗，為

2025-01-13 11:41:38

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圣邦微電子推出超小封裝MOSFET器件SGMNQ32430

圣邦微電子推出 SGMNQ32430，一款 30V，功率型，3.1mΩ 超低導(dǎo)通電阻，單通道 N 型，采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封裝的 MOSFET 器件。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過電壓保護(hù)開關(guān)，電池充放電開關(guān)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。

2025-01-08 16:34:24

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最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

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