不間斷電源（UPS）電路中，MOS管因其高開關速度、低導通電阻和易于驅動的特性，被廣泛應用于需要高效電能轉換和快速控制的關鍵位置。本期UPS選型專題，MOS管廠家推薦的這一款產(chǎn)品是100A、80V的場效應管。
2025-12-22 16:28:43
352 
XD1187 是一款 2內(nèi)置 200V/1A MOS 寬輸入電壓降壓型 DC-DC轉換器非隔離電源芯片。它提供了一個完整的電源解決方案，可實現(xiàn)高達 1A 的輸出電流 (IOUT)，并在 20V 至
2025-12-17 16:16:46247 
1、最大漏源電壓（V（BR）DSSQ）：這是MOS管在關閉狀態(tài)時，漏極和源極之間所能承受的最大電壓。選擇的MOS管的V（BR）DSS應該高于電路中可能出現(xiàn)的最大電壓，通常需要留有一定的裕量。
2
2025-11-20 08:26:30
聚丙烯薄膜電容器的額定電容范圍為1μF至75μF，額定電壓為500V至1200V，容差為5%和10%。適合的應用包括EV電源轉換器、板載電感充電系統(tǒng)、汽車暖通空調(diào)系統(tǒng)和電機驅動器。
2025-11-17 09:44:40364 H6253HV 是惠海半導體推出的 200V 耐壓規(guī)格 DC-DC 降壓恒壓芯片，聚焦寬電壓適配與穩(wěn)定輸出需求，適配多場景電源應用。
核心技術參數(shù)
輸入電壓適配范圍為 8V-180V，覆蓋中高壓輸入
2025-11-15 10:07:41
使用。H8064A帶使能控制，可以大大省外圍器件，更加適合電池場合使用，具有很高的方案性價比。
特性
高性價比
寬電壓輸入范圍 10V 至 60V
大輸出電流 4A
集成功率 MOS 管
外圍器件少
輸出短路
2025-11-14 18:24:43
聚丙烯薄膜電容器的額定電容范圍為1μF至75μF，額定電壓為500V至1200V，容差為5%和10%。適合的應用包括EV電源轉換器、板載電感充電系統(tǒng)、汽車暖通空調(diào)系統(tǒng)和電機驅動器。
2025-11-14 16:57:391272 Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器是一套通孔和高壓解決方案。這些電阻器具有3000V電壓和超低電壓系數(shù)，在惡劣條件下具有出色的穩(wěn)定性。Vishay / Techno TR厚膜平面電阻器非常適合用于需要在使用高電壓的環(huán)境下運行的應用。
2025-11-14 16:07:33370 
、小型封裝和窗口尺寸以及短程運行的接近檢測應用。這些傳感器的典型額定電源電壓為1.8V，是電池供電應用的理想選擇，在功能上強調(diào)能效。
2025-11-14 11:19:00468 
Vishay Semiconductors SEP4512相臂高壓標準整流器具有低正向導通損耗、高浪涌電流耐能力和高結溫能力的特性。該器件具有1200V最大重復峰值反向電壓和相臂電路配置。Vishay SEP4512整流器的額定溫度范圍為-55°C至+175°C，采用TO-247AD 3L封裝。
2025-11-14 10:05:16387 
Vishay Semiconductors LVE1560E/LVE2560E橋式整流器具有低正向電壓降、低噪聲和高浪涌電流耐受能力的特性。Vishay LVE1560E/LVE2560E整流器具有
2025-11-14 09:57:48318 
Vishay/BC Components 196 HVC ENYCAP? V-Harvester板是一款光伏（PV）收集備份電路，配有電壓為4.2V的超級電容器。MAL219699005E3是一款
2025-11-14 09:40:262330 
Alliance 100Base-T1和1000Base-T1規(guī)范。該器件還具有±24V寬工作電壓范圍、超過100V觸發(fā)電壓、低電容 (<2pF) 以及強大的ESD抑制能力。
2025-11-13 15:49:39384 
Vishay/Techno CRHP高壓厚膜片式電阻器的額定電壓高達3000V，具有 <0.5%的出色穩(wěn)定性。這些電阻器采用專有金屬陶瓷材料和三面線繞端接類型，采用國際標準化尺寸。各種配置提供
2025-11-13 10:39:22388 
Vishay Semiconductors 3.0CxCA TRANSZORB^?^ 瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）是雙向表面貼裝抑制器，具有3000W峰值脈沖功耗和10/1000μs波形。這些抑制器具有
2025-11-13 10:32:55361 
Vishay/Dale 1KW-DCDC-48V12V降壓-升壓轉換器具有兩個模塊功率級（每個額定功率為500W），并提供轉換器參考設計。兩個相位的對稱交錯降低了電流紋波，每個相位均具有保護
2025-11-13 10:25:20486 
在工業(yè)控制、電動車供電、智能設備等場景中，高壓輸入、穩(wěn)定降壓、高效節(jié)能是核心需求。森利威爾推出的 SL3036H 降壓型 DC-DC 芯片，憑借內(nèi)置 150V 功率 MOS、8-120V 寬輸入電壓
2025-11-12 17:07:51
Vishay MRSE1PK表面貼裝快速開關整流器是一款1A、800V微型表面貼裝快速整流器，非常適合用于自動貼裝應用。MRSE1PK具有低正向電壓降、漏電流和噪聲。Vishay MRSE1PK整流器采用超薄外形，具有氧化物平面芯片結，典型高度為0.65mm MicroSMP封裝。
2025-11-12 11:08:42358 
值輸出電流、200ns最大傳播延遲、50kV/μs抗噪性以及高達1140V的高工作電壓。 輸出級的高工作電壓范圍提供柵極控制器件所需的驅動電壓。VOFD341A光耦合器非常適合用于直接驅動額定值高達1200V/100A的IGBT。典型應用包括太陽能逆變器、工業(yè)電機控制和不間斷電源(UPS)。
2025-11-11 16:33:481436 Vishay Semiconductors VOFD343A IGBT和MOSFET驅動器是采用加長SO-6封裝的緊湊型高設計、快速開關IGBT和MOSFET驅動器。VOFD343A光耦合器具有
2025-11-11 16:22:341412 Vishay Semiconductors VOR1060M4 1A型1式固態(tài)繼電器在表面貼裝4引腳SOP封裝中進行光隔離。VOR1060M4具有50mA負載電流、600V負載電壓以及40Ω低導通電
2025-11-11 15:15:04395 
Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C
2025-11-11 13:42:26335 
Vishay/Dale ICM0603表面貼裝共模扼流圈是繞線鐵氧體共模扼流圈，額定工作電壓為50V ~DC ~ 。ICM0603系列設計具有10MΩ最小絕緣電阻，工作溫度范圍為-40°C至+125
2025-11-11 11:02:33350 
Vishay/Dale ICM5050大電流共模扼流圈是繞線鐵氧體共模扼流圈，額定工作電壓為80V~DC~ 。ICM5050系列設計具有10MΩ最小絕緣電阻，工作溫度范圍為-40°C至+125°C
2025-11-11 10:41:04400 
Vishay/Dale ICM6050大電流共模扼流圈是繞線鐵氧體共模扼流圈，額定工作電壓為125V~DC~ 。這些扼流圈設計具有10MΩ最小絕緣電阻，工作溫度范圍為-40°C至+125°C。共模
2025-11-11 10:33:47324 
Vishay DLA 04051 vPolyTan? SMT片式電容器具有超低ESR、4.7μF至680μF電容范圍以及2.5V~DC~ 至63V~DC~ 電壓范圍。這些電容器具有高可靠性處理能力
2025-11-11 09:24:55384 
驗收測試以及廣泛的規(guī)格范圍。Vishay RNC55電阻器提供350V最大工作電壓、0.5W最大額定功率，以及 ±0.1%、 ±0.5%和 ±1%公差。
2025-11-10 09:23:43394 
Vishay/Sfernice S2F快速熔斷薄膜芯片保險絲在過載條件下保持電路連續(xù)性，電阻最小，且具有可靠的斷路功能。此系列保險絲提供0.315A至7A的電流范圍、32V~DC~ 至63V~DC
2025-11-09 16:58:18644 
在工業(yè)電源、電機驅動及照明系統(tǒng)等高壓應用場景中，功率MOS管的可靠性、能效與成本控制直接決定了終端產(chǎn)品的市場競爭力。合科泰電子推出的高壓MOS管 HKTD7N65，憑借650V耐壓、7A電流與低至1.08Ω的導通電阻，為工程師提供了一款兼具高性能與高可靠性的國產(chǎn)功率器件新選擇。
2025-11-07 17:46:101414 近期，臺灣固緯全新推出臺灣固緯全新推出GPP-1000系列高精度可編程直流電源，該系列共有兩個型號GPP-1205(20V/5A/100W)和GPP-1323(32V/3A/96W)，此設備支持定
2025-11-07 17:21:341508 
在IGBT為主流的時代，提到抗短路能力，就是有或者沒有。如果器件具備抗短路能力，那就是比較能抗，一般不容易引起失效。但是SiC-MOS給人的感覺就是不那么皮實，魯棒性并沒那么讓人放心。
2025-11-06 09:15:276852 
在工業(yè)控制、車載電源、智能快充等應用場景中，電源管理芯片的穩(wěn)定性與效率至關重要。森利威爾電子推出的 SL3041H 是一款集高壓功率MOSFET于一體的開關降壓型轉換器，具備120V寬電壓輸入
2025-10-28 15:41:21
隨著便攜儲能、新能源及工業(yè)電源應用對高效率、高功率密度需求的不斷提升，IGBT作為電力電子系統(tǒng)的核心開關器件，其性能已成為決定整機效能與可靠性的關鍵因素。為應對市場對高性能功率器件的迫切需求，龍騰半導體正式推出四款650V F系列IGBT新品，致力于為高頻、高效應用提供更優(yōu)異的解決方案。
2025-10-24 14:03:301877 
Vishay 宣布，推出新系列一類瓷介徑向引線高壓直插瓷片電容，該系列產(chǎn)品具有低介質(zhì)損耗因子(DF)和低直流偏壓的特性，適用于工業(yè)和醫(yī)療應用。
2025-09-30 10:56:06816 MOS，輸入電壓范圍是5.4V到32V，輸出電壓范圍是3.3V到25V，可以提供3A的輸出電流。VIN=12V,輸出5V/3A,IP6548_FB的板端轉換效率高達94.65%。IP6548_FB的輸出具有
2025-09-26 18:25:49
0 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出符合AEC-Q101標準的新款100 V MOSFET，采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導通損耗，導通電
2025-09-18 18:19:141109 推出全新DualPack 3（DP3）系列電源模塊。該系列模塊采用先進IGBT7技術，提供1200V和1700V兩種電壓等級的六款產(chǎn)品，額定電流范圍300–900A，旨在滿足市場對緊湊、經(jīng)濟高效且簡化的電源轉換器解決方案的日益增長需求。
2025-09-17 15:45:45911 在工業(yè)設備及智能小家電控制系統(tǒng)中，電源供電質(zhì)量是影響設備使用壽命的關鍵因素！艾為針對嚴苛的工業(yè)應用環(huán)境，重磅推出新一代寬電壓輸入電源芯片AWP3778L05，支持最高30V輸入電壓，5V穩(wěn)定輸出電壓
2025-09-08 19:53:25548 
需求，是理想之選。它可同時為系統(tǒng)中的 MCU 與 IGBT 驅動電路提供穩(wěn)定且電氣隔離的電源，即便處于寬輸入電壓范圍波動、復雜負載工況等條件下，依然能夠確保系統(tǒng)持續(xù)保持優(yōu)異的運行性能。
核心特性一覽
寬
2025-09-02 09:04:58
漏極，可以有效的幫助芯片加大散熱。
芯片特征
?內(nèi)置150V高壓MOS管
?可支持20-130V降壓3.3V 5V 12V應用
?典型的3A持續(xù)電流
?轉換效率最高可達95%
?待機功耗低，電壓精度高
2025-08-26 09:49:22
在現(xiàn)代電子設備設計中，電源管理芯片的性能直接決定了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和能效表現(xiàn)。SL3036H作為一款內(nèi)置150V MOS的寬輸入電壓降壓型DC-DC芯片，以其卓越的電氣特性和靈活的應用場景，成為工業(yè)控制
2025-08-15 16:09:56
惠海小煒
H8062A是一款適用于寬電壓輸入降壓場景的降壓型 DC-DC 電源管理芯片，性能優(yōu)異。其內(nèi)部高度集成了多種關鍵功能，包括功率 MOS 管、使能開關控制、基準電源、誤差放大器，以及過熱保護
2025-08-14 09:27:14
H6205L 是一種內(nèi)置 100V 耐壓 MOS 的高壓降壓開關控制器。以下是其詳細介紹：
主要特點：
耐壓高輸入寬：內(nèi)置 100V 高壓 MOS，支持 8V-90V 寬電壓輸入范圍。
大電流輸出
2025-08-13 10:35:20
機制被觸發(fā)時，芯片會及時關閉 GATE 的輸出，保護電源系統(tǒng)及輸出負載。
特性
高性價比
寬電壓輸入范圍 10V 至 120V
最大輸出電流 6A
集成功率 MOS 管
外圍器件少
輸出短路保護
2025-08-12 09:52:32
。H6266A高壓降壓恒壓芯片的推出，為工程師提供了更優(yōu)的寬壓輸入電源解決方案。
核心技術亮點：
寬壓高耐壓設計
內(nèi)置150V耐壓MOS管，支持 20V-130V寬范圍輸入，可直接對接100V/120V
2025-08-11 17:24:04
H6266A 是一款高壓降壓開關控制器，其核心特性如下：
該控制器內(nèi)置 150V 耐壓 MOS，能承受最高 130V 的輸入電壓，可為負載持續(xù)提供 0.9A 電流。它支持恒定電壓輸出，輸出電壓可通過
2025-08-07 11:32:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近，意法半導體推出了一款面向大功率家電應用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2，該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關拓撲
2025-07-28 07:29:003529 。TLE9893最高可以維持多少電壓。
2. 根據(jù)標準 16750-2:2023，負載突降（脈沖 B）的 Ri 值可以為 0.5 歐姆至 4 歐姆。TLE9893 是否能夠維持 Ri 值 0.5Ohm。和 35V（嚴重程度）。
2025-07-21 08:09:26
家電應用場景，包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 ? 該器件具備175℃最高結溫特性和優(yōu)異的熱阻系數(shù)，可確保30A額定電流下的高效散熱表現(xiàn)，在嚴苛工作環(huán)境中保持長期穩(wěn)定運行。 ? 作為STPOWER產(chǎn)品組合，這是意法半導體第二代IH系列首款1600V電壓等級IGBT，采用先進的溝槽柵場截止
2025-07-17 10:43:176617 的容錯操作。H6213D集成了輸入線路電壓補償和高帶寬環(huán)路，以滿足±5%的輸出電壓精度。
H6213D支持低輸出電壓應用，最低可帶到3.3V。
產(chǎn)品特征
l 內(nèi)置150V高壓MOS
l 寬壓
2025-07-07 14:08:09
IGBT以發(fā)射極電壓為基準電位驅動。開關動作時，上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中，要開通上橋臂IGBT時，需要對門極施加300V加15V，合計315V的母線電壓。因此，需要不受開關噪聲干擾影響的上橋臂驅動電路。
2025-07-03 10:46:044750 
在UPS不間斷電源中，高效的電能轉換依賴于核心功率器件的精準選型。MOS管與IGBT常應用于系統(tǒng)的不同電壓段與功能模塊，而MOS管憑借其極低的導通電阻和快速開關特性，特別適配低壓不間斷電源。
2025-07-01 16:54:161794 H6253K 惠海半導體推出的一款高壓 DCDC 降壓恒壓 IC。
耐壓與電流輸出：內(nèi)置 150V 耐壓 MOS，支持輸入高達 120V，可向負載提供 3A 的連續(xù)電流，瞬間電流可達 5A。
輸出
2025-06-28 10:06:32
H6203G 是一款由東莞市惠洋科技有限公司生產(chǎn)的 150V 高耐壓降壓芯片。以下是其特點和應用領域介紹：
特點
高耐壓與寬輸入電壓范圍：內(nèi)置 150V 耐壓 MOS，支持 8V - 120V 的寬
2025-06-26 11:31:36
H6217L 是惠海半導體推出的一款 DC - DC 降壓恒壓芯片，專為 GPS 定位器供電應用設計，具有低成本、高精度、高可靠性等優(yōu)勢。以下是其特點和應用領域介紹：
產(chǎn)品特點
輸出線損電壓補償
2025-06-20 09:22:26
產(chǎn)品描述:PC3622是一款具有多相功能的同步升壓控制器，適用于高效同步升壓穩(wěn)壓器應用，基于峰值電流模式控制，可提供線電壓前饋、逐周期電流限制和簡便的環(huán)路補償。開關頻率可調(diào)，最高可達1MHz；兩路
2025-06-13 14:17:27
圣邦微電子推出 36V 車規(guī)級電源電壓監(jiān)測芯片 SGM880xQ，憑借其高精度、低功耗及車規(guī)級可靠性，成為汽車電子和工業(yè)電源監(jiān)控的理想選擇。
2025-06-12 12:50:191688 
H6225L基本參數(shù)
輸入電壓范圍：8 - 72V，支持寬電壓輸入，能適應多種不同的電源電壓環(huán)境。
輸出電壓：最低可調(diào)節(jié)至 3.3V，可滿足多種不同電壓需求的負載。
輸出電流：可向負載提供 1A
2025-06-12 10:59:51
場景
1A持續(xù)輸出能力：內(nèi)置低導通電阻MOS管（典型值350mΩ），支持最大1.5A峰值電流輸出
恒壓精度±2%：集成精密電壓基準源，輸出電壓范圍3.3V-30V可調(diào)
二、關鍵技術優(yōu)勢
2.1 內(nèi)置
2025-06-04 17:45:16
。
ADuM4135提供米勒箝位，可在柵極電壓低于2 V（典型值）時實現(xiàn)穩(wěn)健的IGBT單軌電源關斷。使用或不使用米勒箝位電路，都可以采用單極或雙極次級電源供電。
2025-06-04 09:52:241083 
碳化硅MOS驅動電壓選擇15V還是18V，是電力電子設計中的關鍵權衡問題。這兩種電壓對器件的導通損耗、開關特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
2025-06-04 09:22:591504 
輸入，特別適用于工業(yè)電源、電動車載系統(tǒng)等高電壓場景
精準恒壓輸出：通過外部電阻可調(diào)輸出1.23V-50V，本文案例中實現(xiàn)48V降12V/1A的穩(wěn)定輸出
高效轉換：內(nèi)置100mΩ MOS管，轉換效率最高
2025-05-30 16:24:01
防止了振蕩。LMH7322的輸出和鎖存輸入都與RSPECL兼容。當與2.5V的VCCO電源電壓結合使用時，輸出具有LVDS兼容電平。
2025-05-21 11:29:59801 
格平科技推出1200W可編程開關電源
輸出電壓12V83.3A;15V80A;24V50A;30V40A;36V33.3A;48V25A;60V20A;400V3A
2025-05-20 09:51:12
UCC27712-Q1 是一款 620V 高壓側和低壓側柵極驅動器，具有 1.8A 拉電流和 2.8A 灌電流，旨在驅動功率 MOSFET 或 IGBT。
建議的 VDD 工作電壓為 10V 至 20V（IGBT）和 10V 至 17V（功率 MOSFET）。
2025-05-19 11:00:20798 
。英飛凌發(fā)布了新一代的IGBT和RC-IGBT裸芯片，特別針對400V和800V電動汽車架構的電驅動系統(tǒng)。其EDT3系列模塊適用于750V和1200V的電力系統(tǒng)，相
2025-05-06 14:08:48714 
在功率器件快速發(fā)展的當下，如何實現(xiàn)更低的損耗、更強的可靠性與更寬的應用覆蓋，成為行業(yè)關注焦點。龍騰半導體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應用場景設計。依托先進工藝平臺與系統(tǒng)化設計能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅動力。
2025-04-29 14:43:471042 LP3305A是一款高精度的升壓背光驅動。工作電壓2.7V~5.5V，內(nèi)置32V過壓保護，最大可支持10個LED串聯(lián)背光應用；內(nèi)置低導通內(nèi)阻功率MOS，轉換效率最高可達90%；開關頻率1.1MHz，允許小尺寸電感及陶瓷電容的使用。
2025-04-27 17:27:541029 
HT7180 擁有令人矚目的技術參數(shù)。其輸入電壓范圍極廣，從 2.7V 到 12V ，無論是單節(jié)還是兩節(jié)鋰電池的應用場景，它都能完美適配。輸出電壓最高可達 12.8V，能滿足多種設備對高電壓的需求
2025-04-24 17:55:03
3.0V至32V 的寬輸入電壓范圍，專為單節(jié)鋰電池電源場景設計。
高開關峰值電流：提供高達 20A 的可編程開關峰值電流，可靈活應對各種功率需求，無論是高功率的快速充電還是大電流的設備供電，都能輕松
2025-04-23 15:48:06
TLV6713 是一款高電壓比較器，工作電壓范圍為 1.8V 至 36V。該器件具有一個內(nèi)部基準電壓為 400mV 的高精度比較器以及一個額定電壓為 25V 的開漏輸出，用于實現(xiàn)欠壓檢測。監(jiān)視電壓可使用外部電阻進行設置。
2025-04-18 10:04:29848 
TLV6703 是一款高電壓比較器，工作電壓范圍為 1.8V 至 18V。TLV6703 具有一個內(nèi)部基準電壓為 400mV 的高精度比較器和一個額定電壓為 18V 的開漏輸出，用于實現(xiàn)精確的電壓檢測。可以使用外部電阻設置監(jiān)視電壓。
2025-04-18 09:47:10871 
”(Super-Junction)結構，故又稱超結功率MOSFET。工作電壓600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體器件。
IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值
2025-04-09 15:02:01
新聞亮點： ·新款發(fā)布的具有電源路徑保護功能的 48V 集成式熱插拔電子保險絲簡化了數(shù)據(jù)中心設計，助力設計人員達到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級采用行業(yè)標準
2025-04-09 14:38:46516 
Littelfuse推出新型1300V A5A溝槽分立式IGBT，專為800V電動汽車（BEV）應用而設計。這些IGBT具有優(yōu)化的集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）、強大的短路能力和更大
2025-04-09 10:15:141819 
如下是一款具有IGBT保護的驅動芯片，其如何檢測并判斷IGBT故障，并且在什么情況下觸發(fā)該故障？
尤其是在一類短路和二類短路時是否應該觸發(fā)，具體如何檢測？
2025-04-05 20:16:16
33V，適合驅動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)
2025-04-03 14:23:02
VishayIntertechnology,Inc.近日宣布推出其最新的電源半導體技術創(chuàng)新——第4.5代650VE系列電源MOSFET，型號為SiHK050N65E。該產(chǎn)品的推出旨在提升電信、工業(yè)
2025-03-27 11:49:46945 
,VMM1500-0075P(75V,1500A,0.55毫歐),這是電流最大的一款;電壓高的一款IXFN38N100Q2(1000V,38A)這個是目前推廣最多的產(chǎn)品,用于高頻感應加熱.
2,IGBT可以
2025-03-25 13:43:17
OPAx994 系列（OPA994 和 OPA2994）是高電壓 (32V) 軌到軌輸入和輸出 (RRIO) 運算放大器系列。這些器件具有出色的交流性能，包括 24MHz 的寬單位帶寬增益積和 35V/μs 的高壓擺率，同時每通道僅需 1.35mA 的靜態(tài)電流。
2025-03-20 10:07:151124 
OPAx994 系列（OPA994 和 OPA2994）是高電壓 (32V) 軌到軌輸入和輸出 (RRIO) 運算放大器系列。這些器件具有出色的交流性能，包括 24MHz 的寬單位帶寬增益積和 35V/μs 的高壓擺率，同時每通道僅需 1.35mA 的靜態(tài)電流。
2025-03-20 09:59:10970 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅動器。浮動溝道驅動器可用于獨立驅動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 OPAx994-Q1 系列（OPA994-Q1 和 OPA2994-Q1）是高電壓 (32V) 軌到軌輸入和輸出 (RRIO) 運算放大器系列。這些器件具有出色的交流性能，包括 24MHz 的寬單位帶寬增益積和 35V/μs 的高壓擺率，同時每通道僅需 1.35mA 的靜態(tài)電流。
2025-03-18 10:00:131032 
OPAx994-Q1 系列（OPA994-Q1 和 OPA2994-Q1）是高電壓 (32V) 軌到軌輸入和輸出 (RRIO) 運算放大器系列。這些器件具有出色的交流性能，包括 24MHz 的寬單位帶寬增益積和 35V/μs 的高壓擺率，同時每通道僅需 1.35mA 的靜態(tài)電流。
2025-03-18 09:25:181003 
陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
，聞泰科技半導體業(yè)務憑借在行業(yè)內(nèi)的深厚積累與創(chuàng)新實力，推出具有超低靜態(tài)電流的新款降壓 DC-DC 轉換器，為可穿戴領域帶來了重大突破。
2025-03-11 11:44:58999 TLV1921 和 TLV1922 是單通道和雙通道 65V 比較器系列，具有外部可訪問的集成 2.5V 電壓基準。輸入具有失效防護功能，可耐受高達 65V 的電源電壓。這使得這些比較器非常適合要求工作電壓符合 65V 的 12V 和 24V 工業(yè)系統(tǒng)。同樣，失效防護輸入消除了電源時序問題。
2025-03-06 18:05:521097 
針對12V輸入電路的產(chǎn)品電路設計，需要有更高的電壓安全系數(shù)。這一款2025年新推出到市場的國產(chǎn)MOS管以BVDSS_typ=55V的參數(shù)性能幫助解決上述問題。
2025-03-01 11:30:382794 
CC3135電源規(guī)格為2.1V~3.8V(max)，而通常應用的電池為3.7~3.8V，最高電壓達到4.3V
請問：
這樣的情況可以將Vin直接接到BAT輸出嗎？
如果不可以那么有個小問題
2025-02-28 07:03:04
特性：
輸入電壓范圍3.2~32V
輸出電壓2~30V
最大工作電流20A
頻率150/300/600/1200KHz
IIC控制
功率管內(nèi)置
軟啟動外置
CC/CV
補償外置
控制結構COT
封裝類型QFN6*6-42
支持A+C/集成協(xié)議
2025-02-18 14:00:09
不同電壓的需求設計成5V、12V、24V等電壓的穩(wěn)壓直流電。
二、產(chǎn)品應用輔助電源是電機驅動、光伏逆變器、焊機、變頻器和UPS系統(tǒng)等工業(yè)應用的重要組成部分。
三、典型應用拓撲圖 輔助電源一般會選
2025-02-10 13:07:51
移動電源的電壓通常分為輸入電壓和輸出電壓兩種。
輸入電壓
輸入電壓是指移動電源在充電時所需的電壓。大多數(shù)移動電源的輸入電壓為5V，這是USB接口的標準電壓。然而，隨著快充技術
2025-01-27 16:05:009221 納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅動 NSI67X0 系列，該系列適用于驅動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件，兼具車規(guī)等級（滿足 AEC-Q100 標準）和工規(guī)等級，可廣泛適用于新能源汽車、空調(diào)、電源、光伏等應用場景。
2025-01-24 15:44:06867 
60 W 可編程電源，具有零電壓開關 (ZVS) 和 5-20 V 可變輸出，使用基于 PowiGaN 的 Innoswitch4-Pro (INN4373F-H341)、ClampZero
2025-01-23 15:22:481109 
都說技術創(chuàng)新是永無止境的，這一方面在力源海納身上呈現(xiàn)尤為顯著，他們首創(chuàng)在高頻逆變部分采用低內(nèi)阻碳化硅MOS管替代傳統(tǒng)IGBT，以大幅降低該部分損耗的大功率碳化硅同步整流電源研發(fā)成功，開關電源的整體效率提升至96%。
2025-01-22 17:26:091169 
。
LYF62001特性：
輸入電壓范圍:3.2v~32v
可編程開關峰值電流：20A
開關頻率：150KHz/300KHz
支持A+C應用、集成I2C通信
電池類型3V-4.5V可每10mV遞增設置，支持
2025-01-21 15:38:58
MOS管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）和IGBT（Insulated-GateBipolarTransistor）是兩種常用的功率
2025-01-15 17:06:402322 
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