Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2012 年 6 月28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。

　　新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻數(shù)值比前一代方案最多低18%，比2mm x 2mm占位面積的最接近的N溝道器件最多低64%。

　　SiA436DJ可用于智能手機(jī)、平板電腦，以及移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用等便攜式電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間，同時(shí)其低導(dǎo)通電阻可以減少傳導(dǎo)損耗，達(dá)到降低功耗、提高效率的目的。

　　MOSFET在1.2V電壓下就可導(dǎo)通，使MOSFET可以采用手持設(shè)備中常見的低壓電源軌進(jìn)行工作，簡化了電路設(shè)計(jì)，使電池在兩次充電周期之間的工作時(shí)間更長。SiA436DJ的低導(dǎo)通電阻還可以減低負(fù)載開關(guān)上的電壓降，防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。

　　SiA436DJ通過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令。

　　新的SiA436DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周。

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Vishay(119655) Vishay(119655)
導(dǎo)通電阻(20548) 導(dǎo)通電阻(20548)
功率MOSFET(22989) 功率MOSFET(22989)
半導(dǎo)體芯片(72388) 半導(dǎo)體芯片(72388)

評(píng)論

選型手冊：VS1605ATM N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

2026-01-04 16:31:56

選型手冊：VSP002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

2026-01-04 16:29:54

選型手冊：VSP007N07MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=1

2026-01-04 16:26:10

選型手冊：VS4618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V

2025-12-31 17:20:35

1311

選型手冊：VS4604AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

2025-12-31 17:14:45

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選型手冊：VSP003N06MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

2025-12-30 17:07:32

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選型手冊：VSP003N10HS-K N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V

2025-12-30 15:04:38

選型手冊：VSE011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

2025-12-30 14:58:12

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選型手冊：VSI008N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

2025-12-30 10:55:52

選型手冊：VST018N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

2025-12-29 11:30:14

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選型手冊：VS7N65AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=

2025-12-29 10:24:08

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選型手冊：VSD007N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS

2025-12-29 10:03:31

選型手冊：VSF013N10MS3-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}

2025-12-29 09:53:44

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選型手冊：VS6880AT N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6880AT是一款面向68V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，適配中壓大功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-26 11:58:42

選型手冊：VSP004N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_

2025-12-26 11:57:06

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選型手冊：VS8068AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS8068AD是一款面向80V中壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-262封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-26 11:50:13

選型手冊：VSD011N10MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10

2025-12-25 16:18:26

110

選型手冊：VSD090N10MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

2025-12-25 16:14:53

108

選型手冊：VST012N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

2025-12-24 13:07:24

114

選型手冊：VS4N65CD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4N65CD是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配高壓小功率電源管理、開關(guān)電路等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-24 13:04:05

102

選型手冊：VSI080N06MS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\

2025-12-23 11:26:18

176

選型手冊：VS4080AI N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4080AI是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用DIPPAK封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-23 11:18:11

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MOSFET導(dǎo)通電阻Rds

（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds

2025-12-23 06:15:35

選型手冊：VS2622AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：20V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\

2025-12-18 17:42:57

173

選型手冊：VS6614GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-17 18:09:01

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關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)

2025-12-16 11:01:13

198

選型手冊：VS6662GS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS6662GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率

2025-12-15 15:36:24

220

選型手冊：VS1891GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，

2025-12-09 10:12:07

262

選型手冊：VS6604GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：60V，適配中低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(

2025-12-08 10:59:34

252

選型手冊：VS4401AKH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_

2025-12-05 11:41:32

236

VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等

2025-12-03 09:53:50

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選型手冊：VS1602GMH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS1602GMH是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-263封裝，憑借1.9mΩ極致低導(dǎo)通電阻與170A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC

2025-12-03 09:23:07

264

選型手冊：VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-12-02 09:32:01

253

選型手冊：VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率

2025-12-02 09:29:20

207

選型手冊：VSE025N10HS N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(

2025-12-01 16:36:00

207

選型手冊：VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極致低導(dǎo)通電阻，適配低壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、高

2025-12-01 15:32:59

189

選型手冊：VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域

2025-12-01 15:07:36

169

選型手冊：VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)

2025-12-01 11:02:50

237

選型手冊：VS1401ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

1.0mΩ極致低導(dǎo)通電阻與200A大電流承載能力，適用于中壓大電流DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、高功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOS

2025-11-28 12:14:04

237

選型手冊：VS8402ATH N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS8402ATH是一款面向80V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，采用TO-220AB封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與160A大電流承載能力，適用于中壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源

2025-11-28 12:10:55

175

選型手冊：VS3618BE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-28 12:07:44

160

選型手冊：VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開關(guān)等

2025-11-28 12:03:51

204

選型手冊：VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載

2025-11-27 16:52:11

394

選型手冊：VS3633GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3633GE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與高能量效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步

2025-11-27 14:53:22

197

選型手冊：VSP004N10MSC-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻與高效能，憑借1.00mΩ極致低阻、125A

2025-11-27 14:48:33

239

選型手冊：VS3618AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等低壓

2025-11-26 15:21:16

231

選型手冊：VS4020AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4020AP是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借極低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。一

2025-11-26 14:55:52

232

選型手冊：MOT6180J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-25 15:31:05

218

選型手冊：MOT4180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4180G是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域

2025-11-25 15:23:16

209

選型手冊：MOT4522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4522J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-25 15:14:47

190

選型手冊：MOT1111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1111T是一款面向100V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級(jí)溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型

2025-11-24 17:23:08

546

選型手冊：MOT6556T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向60V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大連續(xù)電流及超級(jí)溝槽技術(shù)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器、輕型

2025-11-24 17:04:20

514

選型手冊：MOT20N50A N 溝道功率 MOSFET 晶體管

電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

2025-11-24 14:45:26

185

選型手冊：MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

2025-11-24 14:33:13

243

選型手冊：MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-24 14:27:27

203

選型手冊：MOT6522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-21 10:57:56

177

選型手冊：MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻

2025-11-21 10:46:19

181

選型手冊：MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-21 10:38:31

150

選型手冊：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道

2025-11-21 10:31:06

233

選型手冊：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-11-20 16:22:54

302

選型手冊：MOT6568J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-20 16:15:04

256

選型手冊：MOT6515J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-20 16:06:45

264

選型手冊：MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域

2025-11-20 15:31:06

159

選型手冊：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-19 15:25:38

249

選型手冊：MOT8113T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8113T是一款面向80V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.1mΩ超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:21:04

220

選型手冊：MOT4383T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4383T是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借0.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、400A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-19 15:15:00

183

選型手冊：MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{

2025-11-19 11:15:03

277

選型手冊：MOT13N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

2025-11-19 10:24:32

239

選型手冊：MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于

2025-11-18 16:08:14

326

選型手冊：MOT5146T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5146T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借4.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、250A超大電流承載能力及先進(jìn)溝槽單元設(shè)計(jì)，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-18 16:04:11

277

選型手冊：MOT8120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT8120T是一款面向80V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、280A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-18 15:58:04

228

選型手冊：MOT65R180HF N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-18 15:39:25

204

選型手冊：MOT65R380F N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-18 15:32:14

195

選型手冊：MOT2N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

、LED電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_

2025-11-17 14:37:39

200

選型手冊：MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-17 11:27:39

241

選型手冊：MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-11-14 15:51:42

201

選型手冊：MOT5130T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT5130T是一款面向120V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.8mΩ超低導(dǎo)通電阻、211A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率

2025-11-14 12:03:12

167

Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析：性能優(yōu)勢與應(yīng)用實(shí)踐

Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay

2025-11-13 11:21:53

430

選型手冊：MOT12N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R

2025-11-12 14:19:35

308

選型手冊：MOT10N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

2025-11-12 14:15:44

277

選型手冊：MOT7N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{

2025-11-12 09:34:45

197

Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^?^ 第四代N溝道MOSFET設(shè)計(jì)用于高效電源開關(guān)應(yīng)用。SiEH4800EW采用緊湊型PowerPAK

2025-11-11 13:53:18

343

基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊的技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C

2025-11-11 13:42:26

335

選型手冊：MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)（電動(dòng)工具

2025-11-11 09:34:34

187

選型手冊：MOT2N65D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

2025-11-11 09:23:54

216

選型手冊：MOT9166T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT9166T是一款面向200V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借6mΩ超低導(dǎo)通電阻、114A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 16:01:46

413

選型手冊：MOT6120T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)

2025-11-10 15:50:16

247

選型手冊：MOT70R380D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC

2025-11-10 15:42:30

277

選型手冊：MOT70R280D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-07 10:54:01

164

選型手冊：MOT10N65F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

2025-11-07 10:40:08

221

選型手冊：MOT12N70F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

2025-11-07 10:31:03

211

選型手冊：MOT9N50F N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS

2025-11-07 10:23:59

239

選型手冊：MOT7N65AF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

2025-11-06 16:15:37

292

選型手冊：MOT4N70D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS

2025-11-06 16:12:24

294

選型手冊：MOT5N50BD N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{D

2025-11-06 16:05:07

286

選型手冊：MOT4111T N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4111T是一款面向40V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、300A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)逆變器

2025-11-05 15:28:39

205

選型手冊：MOT4N65F 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高輸入阻抗及RoHS合規(guī)性，廣泛適用于電子鎮(zhèn)流器、電子變壓器、開關(guān)模式電源等領(lǐng)域

2025-11-04 15:59:03

238

?STL320N4LF8 N溝道功率MOSFET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

意法半導(dǎo)體 STL320N4LF8 N溝道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8溝槽式MOSFET技術(shù)制造而成。該器件完全符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。STL320N4LF8可降低

2025-10-29 15:48:51

507

合科泰N溝道增強(qiáng)型MOSFET HKTS80N06介紹

合科泰HKT系列產(chǎn)品推出新品N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用SGT屏蔽柵技術(shù)，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封裝優(yōu)化散熱，產(chǎn)品均符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，以低導(dǎo)通電阻和高電流承載，可適配封閉環(huán)境應(yīng)用，如儲(chǔ)能電池包BMS和車載OBC應(yīng)用。

2025-08-12 16:54:00

1608

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。

2025-05-26 15:09:34

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Vishay新款N溝道TrenchFET功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄

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