導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34
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瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ（柵源間電壓為10V時的標稱值）的600V耐壓超結（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，將從2012年9月開始樣品供貨。超結是可在不犧牲耐壓
2012-06-26 11:01:021660 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:083396 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211630 瑞薩電子開發第三代車載SJ-MOSFET，計劃1～2年內開始量產。該器件降低了導通電阻和EMI（電磁噪聲）...
2013-05-31 09:22:201804 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341861 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 ROHM擁有豐碩市場業績的Pch MOSFET產品，采用了第五代新微米工藝，實現了業界超低的單位面積導通電阻*3。－40V耐壓產品的導通電阻較以往產品降低62%、－60V耐壓產的導
2020-12-26 10:31:422624 羅姆于2020年完成開發的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時間的情況下實現業內超低導通電阻的產品。
2022-03-09 09:33:583805 
（1）Rds（on）和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
系列為例，介紹trr的高速化帶來的優勢。高速trr SJ-MOSFET： PrestoMOS FN系列PrestoMOS是具備SJ-MOSFET的高耐壓、低導通電阻及低柵極總電荷量特征、且進一步實現了
2018-11-28 14:27:08
有助于在應用程序中節省空間。 這些MOSFET具有出色的高速開關和低導通電阻。查看詳情<<<特性：低RDS(on)降低功耗；低壓驅動；提供大電流Vds-漏源極
2021-02-02 09:55:16
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載和工業設備中的大功率應用，開發出12W級額定功率的業界超薄金屬板分流電阻器“PSR350”。另外，ROHM針對已在15W級額定功率產品中達到
2023-03-14 16:13:38
泛的需求，ROHM還開發出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產品陣容已達12款。本系列產品采用ROHM新工藝，實現了業界超低的導通電阻，±40V耐壓產品的導
2021-07-14 15:17:34
NCP45521的典型（熱插拔）電路是一種負載開關，可通過軟啟動為浪涌電流限制提供高效電源域切換的元件和面積減少解決方案。除了具有超低導通電阻的集成控制功能外，這些器件還通過故障保護和電源良好信號提供系統保護和監控
2020-04-17 10:09:17
降低損耗”為目標開發而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權衡關系，但利用ROHM獨有的工藝技術和優化技術優勢，實現了兩者的高度平衡。※PrestoMOS是ROHM的商標。開關損耗和傳導損耗更低
2018-12-04 10:23:36
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到
2018-12-05 10:00:15
公司也有生產，但是ROHM在推進獨自開發。此次內置的SJ MOSFET不僅實現了650V的高耐壓，還實現了低導通電阻與低柵極電荷，開關速度也非常快。這將大大改善開關即MOSFET的導通損耗與開關損耗。這
2019-04-29 01:41:22
。另外，這里提供的數據是在ROHM試驗環境下的結果。驅動電路等條件不同，結果也可能不同。關鍵要點:?SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，導通電阻特性的變化呈直線型，因此在低電流范圍優于IGBT。?SiC-MOSFET的開關損耗大大低于IGBT。
2018-12-03 14:29:26
電阻低，通道電阻高，因此具有驅動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導通電阻與Vgs的關系。導通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
說明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常見的結構。Si的功率MOSFET，因其高耐壓且可降低導通電阻，近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-04-09 04:58:00
設計，且高溫下的導通電阻也很低。※該數據是ROHM在相同條件下測試的結果，僅供參考。此處表示的特性本公司不做任何保證。4. 驅動門極電壓和導通電阻SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2019-05-07 06:21:55
Booster技術，面向車載的DC/DC轉換器04 24V輸入，內置MOSFET的降壓型開關穩壓器BD9E100FJ-LB是內置低導通電阻的功率MOSFET的同步整流降壓型開關穩壓器。輸入電壓范圍廣
2018-10-17 16:16:17
器件相比，具有更低的導通電阻和更高的電壓耐受能力。（圖片來源：ROHM Semiconductor）標準硅 MOSFET 在高至 150°C 的溫度條件下工作時，RDS(on) 導通電阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
需要具備非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。 BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊
2018-10-19 16:47:06
非常先進的技術能力才能實現。此外，內置MOSFET的導通電阻很低，僅為150mΩ，有利于提高效率。BD9G341AEFJ的轉換方式是被稱為“二極管整流”或“異步整流”的降壓方式。高邊MOSFET為內置
2018-12-04 10:10:43
系列Hybrid MOS是同時具備超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優異特性的新結構MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
用的電路板可以更加小型化，而且線路安裝設計也有了更大的靈活性。另外，由于采用了新開發的低導通電阻芯片，在使封裝小型化的同時實現了與現有SOP8 Dual產品同樣低的導通電阻。ROHM將要逐步大量生產封裝
2018-08-24 16:56:26
”這個參數的影響。下面以“升降壓轉換器的傳遞函數導出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉換器為基礎，按照同樣步驟來推導。右側電路圖在上次給出的升降壓轉換器簡圖上標出了作為開關的MOSFET的導通電阻
2018-11-30 11:48:22
自舉電路是在輸出開關上側晶體管使用Nch MOSFET時所必要的電路。最近許多電源IC都搭載該電路，因此在評估電源電路時最好事先理解其工作。Nch MOSFET的導通電阻低，作為開關使用的話可提升
2018-11-29 14:16:45
結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結構在Si-MOSFET中已被廣為采用，在SiC-MOSFET中由于溝槽結構有利于降低導通電阻也備受關注。然而，普通的單
2018-12-05 10:04:41
的電子通過導電溝道進入被耗盡的垂直的N區中和正電荷，從而恢復被耗盡的N型特性，因此導電溝道形成。由于垂直N區具有較低的電阻率，因而導通電阻較常規MOS管將明顯降低。 通過以上分析可以看到：阻斷電壓與導
2018-11-01 15:01:12
測量MOS管的導通電阻除了在選定開關時有用，還在哪些方面有重要的意義？
2012-05-17 10:44:16
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復時間（trr）為特點的ROHM獨創的功率MOSFET。＜提高設計靈活度的關鍵＞開關速度的高速化與誤開啟現象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設計時需要通過調整柵極電阻來進行優化
2020-03-12 10:08:47
采用的是超級結工藝。超級結技術是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導體器件開發的，用于改善導通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結技術有助于降低導通電阻，并提高MOS管開關速度，基于該技術的功率MOSFET已成為高壓開關轉換器領域的業界規范。
2026-01-05 06:12:51
銳駿半導體本周正式發布兩款全新超低導 通電阻MOSFET產品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產品均采用DFN5060封裝，憑借先進
2024-10-14 09:40:16
MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力 MOSFET的通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 2、動態特性；其測試電路和開關過程波形如圖3所示。 開通
2023-02-27 11:52:38
%。特性方面的定位是標準特性。低噪聲SJ-MOSFET：EN系列SJ-MOSFET具有“導通電阻低，開關速度快”的特征，但存在其高速性導致噪聲比平面型大的課題。為改善這個問題開發了EN系列。該系列產品融合了
2018-12-03 14:27:05
PS22920YZPR，具有受控接通功能的超低導通電阻，4A 集成負載開關 特性 說明 ? 輸入電壓范圍：0.75V 至 3.6V TPS22920L 是一款小型
2023-02-08 23:30:53
FET導通電阻Ron的修正電路圖
2009-08-15 17:30:051716 
Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 TI具有最低導通電阻的全面集成型負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標準導通電阻 (rON) 比同類競爭
2009-12-18 09:26:061007 TI發布具備更低導通電阻的集成負載開關
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負載開關，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標準導通電阻 (RON) 比同類競爭產品低
2009-12-21 08:45:27623 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551514 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 半導體生產商ROHM株式會社開發出了車載電動動力轉向等用途的長邊電極類型電流檢測用超低阻值貼片電阻器“PML100系列”，6432(2512)的尺寸可以實現3W的額定功率。該產品已經
2010-09-14 09:22:261185 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 半導體制造商羅姆(ROHM)株式會社全新研發出超低阻值Jumper型電阻“PMR Jumper系列”，可將最大導通電阻值降低至0.5毫歐姆，同時并大幅提高額定電流
2011-11-28 09:23:131961 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。
2015-01-22 15:33:263434 世界首家！ROHM開始量產采用溝槽結構的SiC-MOSFET，導通電阻大大降低，有助于工業設備等大功率設備的小型化與低功耗化
2015-06-25 14:26:462565 MTM非晶硅反熔絲導通電阻_馬金龍
2017-01-07 20:43:12
0 一種超低比導通電阻的L型柵漏極LDMOS_石琴
2017-01-07 22:14:034 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0015153 關鍵詞：MOSFET , FemtoFET 小信號 MOSFET 晶體管為移動設備節省電源，延長電池使用壽命 德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻
2018-10-13 11:03:01728 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404976 Charger：OBC）等領域擁有很高的市場份額。此次，導通電阻和短路耐受時間之間取得更好權衡的第4代SiC MOSFET的推出，除現有市場之外，還將加速在以主機逆變器為主的市場中的應用。
2020-06-19 14:21:075094 
對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。
2020-06-22 15:54:121262 ROHM于2015年世界上第一家成功地實現了溝槽結構SiC MOSFET的量產，并一直致力于提高SiC功率元器件的性能。
2021-01-07 11:48:122665 對于MOSFET，歐姆電阻不僅僅只考慮溝道電阻，對于阻斷電壓在50V以上的器件中低摻雜中間區域的電阻起到決定作用。
2021-05-01 17:26:0020570 
ROHM繼2020年年底發布的新一代Pch MOSFET*2之后，此次又開發出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。
2021-11-30 14:48:021117 
導通電阻是二極管的重要參數，它是指二極管導通后兩段電壓與導通電流之比。生活中常用的測量導通電阻的方法有測量接地網接地阻抗法、萬用表測量法、接地搖表測量法以及專用儀器測量法。
2022-01-29 15:49:0029359 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333704 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 非常有助于提高無線耳機和可穿戴設備等小而薄設備的效率和運行安全性！ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET*1“RA1C030LD
2022-12-01 14:28:491323 
)(統稱“東芝”)已經開發了一種碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該晶體管將嵌入式肖特基勢壘二極管(SBD)排列成方格狀(方格狀嵌入式SBD)，以實現低導通電阻和高可靠性。東芝
2022-12-12 18:01:531837 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出一款小型且高效的20V耐壓Nch MOSFET *1 “ RA1C030LD ”，該產品非常適用于可穿戴設備、無線耳機等可聽戴設備、智能手機等
2022-12-14 15:10:06940 ROHM開發出具有絕緣構造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
2022-12-18 17:08:491397 
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到第二代。
2023-02-10 09:41:071710 
比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:561877 
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻，可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增了
2023-07-12 12:10:081617 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應 用，開發出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產品。新產品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:161651 
～非常適用于通信基站和工業設備等的風扇電機，有助于設備進一步降低功耗和節省空間～ 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應用，開發出將兩枚100V
2023-08-23 12:05:05996 
波動，起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個很大的挑戰。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節
2023-09-14 19:12:411130 
)和HP8MEx(Nch+Pch)系列中。 近年來，通信基站和工業設備已從傳統的12V/24V系統轉向48V系統，以通過降低電流值來提高效率。在這些情況下，開關MOSFET需要具有100V的耐壓以應對電壓波動
2023-10-23 15:44:021645 的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:561060 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571617 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的TPS22930 超小型、低導通電阻負載開關數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 10:51:390 電子發燒友網站提供《具有受控接通功能的超低導通電阻 4A集成負載開關TPS22920L數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 11:22:040 電子發燒友網站提供《具有可控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關TPS22912 數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-15 13:46:040 電子發燒友網站提供《具有穩壓浪涌電流的4.5V、1.5A、7.5mΩ導通電阻快速導通負載開關TPS22999數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 10:38:480 MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件。MOSFET的導通電壓，也稱為閾值電壓（Vth），是MOSFET從截止狀態到導通狀態的電壓值。 MOSFET
2024-08-01 09:19:552997 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出具有低導通電阻*1優勢的車載NchMOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB
2024-08-07 11:31:38845 
在汽車領域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數量也與日俱增，而且，為了提高燃油效率和降低電耗，還要求降低這些產品的功耗。其中，尤其是在對于車載開關應用不可或缺的MOSFET市場，對導通電阻低、損耗低且發熱量低的產品需求高漲。
2024-08-12 11:20:35978 
近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:391054 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
AW2K21是一款同時實現了超小型封裝和超低導通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路，不僅能以一體化封裝實現雙向電路保護，還可以通過改變引腳連接來作為單MOSFET使用。
2025-04-17 14:55:11615 
在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體MOSFET作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（RDS(on)）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調試或可
2025-11-12 11:02:47339 
設計的優選。然而，在實際市場中，是否真的存在0.42mΩ的超低導通電阻MOSFET？本文MDD將探討這種超低導通電阻MOSFET的市場應用、優勢及其面臨的挑戰。一、0
2025-12-16 11:01:13198 
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