日本知名半導體制造商羅姆株式會社面向太陽能發電的功率調節器市場，開發出實現了業內頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET “R5050DNZ0C9” （500V/50A/typ，34mΩmax45mΩ）。

　　本產品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，于2011年9月中旬開始提供樣品（樣品價格：1000日元/個），并已于2011年12月份開始投入量產。

　　隨著節能趨勢漸行漸強，作為可再生能源的代表，太陽能發電市場規模不斷擴大。其功率調節器領域，正在努力通過電源轉換效率的改善實現節電，因此對實現更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長方式，為客戶提供多層縱向pn結的超結結構的功率MOSFET，持續為高效化作出了貢獻。但是，由于這種方式的制造工序復雜，因此具有難于微細化和提高生產性能的課題。

　　此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術，通過微細化及雜質濃度的優化，與傳統產品相比，將導通電阻成功降低了約47％。此產品不僅非常適合低導通電阻容易體現出來的轉換器部分，而且與羅姆制造的快速恢復二極管或SiC肖特基勢壘二極管等相組合，還可應用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉換時的損耗，因此將會大大有助于提高太陽能發電的效率。另外，為了適用于更多種類的電路方式，羅姆在采用本技術進一步完善高耐壓產品線的同時，還將不斷擴充“PrestoMOS”系列。

　　羅姆今后也會繼續利用獨創的先進工藝加工技術，不斷推進滿足顧客需求的前瞻性晶體管產品的開發。

　　＜高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點＞

　　（１）業內頂級的低導通電阻

　　（２）具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

　　＜利用了Si深蝕刻技術的超結結構＞

　　采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術。

　　不僅可簡化工序，而且適合微細化。

　　＜導通電阻降低47％＞