負載LED和BUZZERLED的問題主要在于在漏電流的情況下，它會微亮，而且只需要很短的時間就能導通，因此會導致很多的問題。如圖所示，高邊驅動LED（可能并不是主負載，
2009-11-21 13:55:07
3184 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP
2011-04-01 10:41:591850 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出具有高電流密度的新款45V TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:433267 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率
2013-04-23 11:47:112875 首先什么是高低邊開關？ 關于高低邊開關在汽車中應用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅動、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開關即高低邊驅動，其中高邊或者低邊均相對于負載來說，如圖1負載在
2022-12-09 14:13:3219850 
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍
2011-10-13 09:09:311541 2022年2月14日，中國 – 意法半導體最新的智能驅動高邊開關IPS2050H和IPS2050H-32可設置兩個限流值，適用于啟動電流很大的容性負載。
2022-02-14 15:06:421261 
? 2023 年 7 月 5 日，中國 – 意法半導體發(fā)布一個八路輸出高邊開關產品系列。新產品具有電流隔離和保護診斷功能，導通電阻RDS(on)低于 260mΩ ，可提高應用的耐變性、能效、可靠性
2023-07-07 15:17:49933 
了保護功能的半導體開關，迎來了樂觀的市場發(fā)展機會。 高邊開關也叫高邊驅動（HSD），位于電源和負載之間，主要作用是調整功率、驅動負載。與高邊開關相對應的還有低邊開關，也就是低邊驅動（LSD），位于負載和地之間，設計相對簡單
2024-06-03 07:20:006899 
電子發(fā)燒友網綜合報道 近日，類比半導體宣布推出全新第二代高邊開關芯片HD80012，單通道內阻低至1.2mΩ。HD80012還內置電池反接保護和輸入電源過壓保護電路，無需外圍增加TVS和防反二極管
2025-07-06 05:46:005655 （on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產品●表面安裝包。HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道MOS管
2021-03-11 11:14:52
MOSFET提供高電流時，它就會變熱。散熱不良也會因極端溫度而損壞MOSFET。電池故障雪崩失敗dV/dt故障電機阻塞或卡住快速加速或減速功耗過大過電流負載短路卡有異物主要特點P溝道MOSFET的主要特點包括
2022-09-27 08:00:00
是主開關晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
反激式轉換器。在同步整流器應用以及以太網供電（PoE）輸入整流器中，低側開關也被用來代替二極管作為整流器。P溝道MOSFET最常用作輸入電壓低于15VDC的降壓穩(wěn)壓器中的高側開關。根據(jù)應用的不同，N
2021-04-09 09:20:10
出線圈電流，一般再使用其信息。圖4表示使用了這種方法的斜率波形。圖4與“電壓模式”項的圖2相同，Vc > Vslope時導通高邊開關進行控制。導通時，會產生符合線圈電流IL的DC成分和Rs積的偏置
2018-12-03 14:32:13
概述：FPF1006是一款負載管理產品它內部采用低導通闡值電壓-Vgs(th)及低導通電阻Rds(on)的P溝道功率MOSFET，并采用導通斜率上升控制，可減小沖擊電流，F(xiàn)PF1006內部有75-120Ω下拉電
2021-04-06 09:56:02
輸入電壓和最大負載電流。負載開關的導通電阻是導通FET 的特性，將用于計算負載開關的功耗。導通FET 既可以是N 溝道FET，也可以是P 溝道FET，這將決定負載開關的架構。2. 柵極驅動器以控制方式
2016-01-11 16:39:00
采用TOPSwitch的TNY268p控制芯片,當負載加大時，開關電源處于工作和不工作的狀態(tài)，反饋5V一會是穩(wěn)住的，一會就直接為0，變壓器原邊繞組和其他路負載輸出也一樣，而且副邊加的負載也并不大
2014-01-07 12:55:51
本帖最后由 daxinba 于 2021-11-24 22:14 編輯
我設計了一個測試電路，其中有一個用來驅動MOS開關的芯片UCC21530（用于高邊驅動），兩路輸出都用來作高邊驅動，接上
2021-11-16 16:06:40
在工業(yè)控制及汽車電子行業(yè)中電磁閥、功率繼電器等帶電感線圈的負載大量使用。為了安全及便于維修，這類負載往往一端通過開關接在電源正極上，一端接在電源負極上，這種開關接在負載高側，稱之為高側開關，如
2022-03-01 22:23:42
鎖定保護（UVLO）和帶自動重啟功能的過溫保護（OTP）。
特性
? 無需副邊反饋電路的實時電流控制
? 線性和負載調整率<2%
? 通用輸入電壓上的高功率因數(shù)(=0.9)
? 臨界導
2023-10-20 15:46:09
為正時，它充當增強型MOSFET。N溝道場效應管與P溝道場效應管介紹N溝道MOSFET的源極接地，漏極連接到負載，當柵極施加正電壓時，F(xiàn)ET導通。N 溝道 MOSFET是最常用且最容易使用的。它們
2023-02-02 16:26:45
的兩種結構：N溝道型和P溝道型由于制造工藝的原因，P溝的MOS管通常比N溝的MOS管具有更大的導通電阻，這意味著導通功耗會更大。這是選擇時需要注意的地方。一般而言，如果是低邊開關應用，使用N溝MOS管
2023-02-17 14:12:55
PMOS高邊開關控制電路如下圖：
輸入側使用15KW整流模塊，輸出側固定8歐姆負載電阻。
整流模塊設置為40V/5A，模塊空載情況下輸出為100V/0A。此時PMOS可以正常開關，波形紅色為VGS
2024-02-05 15:54:27
二極管的方向判斷：它的判斷規(guī)則就是：N溝道，由S極指向D極；P溝道，由D極指向S極。4、簡單的判斷方法上面方法不太好記，一個簡單的識別方法是：（想像DS邊的三節(jié)斷續(xù)線是連通的）不論N溝道還是P溝道
2019-09-11 07:30:00
產品描述:(替代UCC29002)PC5502是一款先進、高性能、低成本的負載均流控制芯片，可以實現(xiàn)多個獨立電源或DC-DC電源模塊的并聯(lián)。該芯片適用于服務器、工作站、通訊和其他分布式電源系統(tǒng)中，也
2025-07-31 10:20:44
首先什么是高低邊開關？關于高低邊開關在汽車中應用非常廣泛，例如車燈控制、氣囊驅動、繼電器控制等，代表性的廠家有ST、英飛凌等，高低邊開關即高低邊驅動，其中高邊或者低邊均相對于負載來說，如圖1負載在
2022-12-22 18:48:54
高邊開關的熱分析
首先定義一下高邊開關:[high side switch]HSD，剛開始接觸這個東西覺得不太明白，其實就是一個帶Logic驅動的Mosfet。 高邊開關的作用在于
2009-11-21 10:53:111450 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 MAX15054 高邊MOSFET驅動器，用于HB LED驅動器和DC-DC應用
概述
MAX15054是高邊、n溝道MOSFET驅動器，高壓應用中可工作在較高的開關頻率
2010-01-28 08:43:042216 
Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 P溝道TrenchFET功率MOSFET管Si8499DB
Vishay推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占
2010-04-29 11:27:351818 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關，以及直流應用的系統(tǒng)/負載開關。新款 P 溝道器件的導通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301776 Vishay宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141737 Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款IHLP?小尺寸、高電流電感器- IHLP-3232CZ-01
2011-08-10 09:09:572312 日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。
2011-08-18 09:42:402991 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計---Sfernice P13L，這種電位計的壽命長達2百萬次，全IP67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作
2011-11-05 01:11:001113 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導通電阻上設立了新的行業(yè)基準的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 ? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出可編程開關頻率高達4MHz的新款5A器件---SiP12108，擴大其microBUCK?集成式同步降壓穩(wěn)壓器系列。
2013-12-23 09:19:371445 Vishay發(fā)布HML新款微型軸向引線的厚膜電阻——1.85 mm x 0.91 mm的器件采用結實耐用的塑料外殼，可用于助聽器和工業(yè)高頻探頭。
2014-01-21 11:39:25937 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝，使用TrenchFET? Gen IV技術的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功率MOSFET---SiZ340DT
2014-02-10 15:16:511504 開關電源驅動ic LNK308P離線式小功率原邊反饋控制芯片規(guī)格書
2015-11-30 15:40:50
39 SM7515P 18V0.3A原邊控制開關電源芯片方案，SM7515P是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能的原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現(xiàn)高精度恒流輸出，精度小于±5%，無需環(huán)路補償，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦，TL431以及變壓器輔助繞組等元件，降低成本。
2016-06-08 17:29:369 SM7505P 12V500mA原邊反饋小功率開關電源控制芯片方案，SM7505是應用于離線式小功率AC/DC開關電源的高性能原邊反饋控制功率開關芯片，在全電壓輸入范圍內實現(xiàn)高精度恒壓/恒流輸出，精度均小于±3%，并可使系統(tǒng)節(jié)省光耦和TL431等元件，降低成本。
2016-07-04 17:57:5045 的電源電壓僅為高邊柵極驅動器。雖然P溝道器件的柵極驅動簡單起見，一個可行的選擇，其相關的成本和更高的性能限制了應用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在
2017-07-02 09:18:5120 的電源電壓僅為高邊柵極驅動器。雖然P溝道器件的柵極驅動簡單起見，一個可行的選擇，其相關的成本和更高的性能限制了應用程序的數(shù)量。通常，P溝道FET用于Buck穩(wěn)壓器輸出電流小于4安培，左右。然而，許多1.8伏通過3.3伏邏輯系統(tǒng)的需求往往在
2017-07-04 15:46:2016 MOSFET多數(shù)是載流子器件， N溝道MOSFET在導電過程中有電子流動。 P溝道在導電期間使用被稱為空穴的正電荷。電子的流動性是空穴的三倍。盡管沒有直接的相關性，就RDS(on)而言，為得到相等的值，P溝道的管芯尺寸大約是N溝道的三倍。因此N溝道的管芯尺寸更小。
2018-03-09 14:28:1523171 
最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 綜上所述，我們介紹了智能高邊開關的檢查清單，以及對應這些檢查點的設計推薦及應用提示。希望以上內容能夠對大家使用高邊開關進行方案設計時有所幫助。
2019-09-23 10:54:476272 
在不斷縮小的車身控制模塊當中，比如中央車身控制模塊 (BCM) 中正在容納越來越多的功能（如，車外和車內照明、繼電器控制和多種舒適功能）需要精確設計的產品。來支持高集成度并且具備滿足廣泛需求的可擴展性和靈活性的產品。因此智能高邊開關更適合驅動車燈負載。
2019-09-23 11:02:527354 因為 Vbb ≥ VOUT，MOSFET 本征二極管反向偏壓,因此不導通。此時，如果微處理器斷開高邊開關,沒有電流經MOSFET 流向任何方向。如果微處理器閉合高邊開關，電流則從電池流經(傳統(tǒng)意義上)MOSFET,然后到達負載。
2019-09-23 11:28:3111561 
Maxim八通道高邊開關/驅動器可對任意感性負載安全消磁，大幅提升工業(yè)4.0應用體驗 。 Maxim針對工業(yè)4.0應用聯(lián)合硅天下科技推出MAX14913八通道高邊開關和驅動器，幫助工業(yè)控制器設計者
2020-07-11 10:18:221311 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141555 意法半導體發(fā)布了IPS1025H和IPS1025H-32單通道可編程高邊開關。這兩款開關內置欠壓保護、過壓保護、過載保護、過熱保護功能，能夠智能驅動高啟動電流的容性負責、阻性負責或感性負載。
2022-05-27 17:20:193635 由于具有較低的導通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開關。
2022-11-18 11:28:214033 本應用筆記解釋了如何在高邊工業(yè)負載開關應用中選擇與MAX14922配合使用的合適的外部n溝道MOSFET。
2022-12-15 20:11:442956 
顯示如何使用高邊開關連接/斷開電池與負載以降低功耗的應用程序。通過在電路中使用運算放大器，可提供短路保護。
2023-02-13 16:01:112288 
本項目是一個電機電源控制板，主要功能是控制4個200W的大功率直流電機的供電電源，電機供電電源24V，4個電機的工作電流大約30A左右。由于是在電源正極對電機負載進行開關控制，所以最適合的就是選擇P
2022-05-06 17:04:402483 
限流開關在系統(tǒng)控制中幾乎無處不在。它們?yōu)檎{節(jié)輸送到負載電路的電流提供了一種安全的方法。開關允許負載電流增加到編程的限值，但不會增加。本應用筆記舉例說明了使用MAX890L、限流、高邊P溝道開關和MAX5160數(shù)字電位器實現(xiàn)數(shù)字可編程限流開關。
2023-06-25 14:18:401533 
相對于外部負載，將半導體開關配置在上側電路（電源側）的叫作高邊驅動，配置在下側電路（GND側）的叫作低邊驅動。 【高邊驅動/低邊驅動】 高邊開關與低邊開關的區(qū)分使用 相對于外部負載，IPD有適用于上
2023-07-05 17:05:317462 
2023 年 7 月 5 日，意法半導體發(fā)布一個八路輸出高邊開關產品系列。新產品具有電流隔離和保護診斷功能，導通電阻RDS(on)低于 260mΩ ，可提高應用的耐變性、能效、可靠性和故障恢復能力
2023-07-11 08:40:091132 
場效應管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場效應管是一種常見的半導體器件，可以用于電子器件中的信號放大、開關等應用。場效應管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們
2023-09-02 10:05:1714757 解一下什么是溝道。溝道是在半導體材料中形成的電子流的通道。通過在材料中創(chuàng)建和控制溝道，我們能夠控制電流的流動，從而實現(xiàn)半導體器件的功能。在常見的場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET）中，溝道是連接源極和漏極的部分。 p溝道和
2023-11-23 09:13:426066 高邊開關，顧名思義，就是放在高側的開關，置于電源和負載之間，通過控制功率MOSFET的開關狀態(tài)來控制高側負載的通斷。
2023-12-27 18:15:362588 
場效應晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據(jù)導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為N溝道和P溝道兩種類型。本文將對N溝道和P溝道
2023-12-28 15:47:1515366 
近日，全球知名的半導體解決方案供應商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 在H橋電路中，高邊和低邊的概念描述了開關器件相對于負載或地的連接方式。這兩個術語通常用于描述開關器件（如晶體管、MOSFET等）在電路中的位置以及它們如何控制電流流向。
2024-05-11 17:23:265569 穩(wěn)先微在國產高邊開關領域現(xiàn)推出DFN5x6-14L的車規(guī)級單通道高邊智能開關WS7010AF。WS7010AF用于驅動12V汽車接地負載，具有12mΩ低導通阻抗，具備配置閉鎖功能的過熱關斷保護、動態(tài)
2024-07-08 14:46:471831 
隨著新能源汽車市場的擴大，汽車驅動芯片尤其是高邊開關深受大批汽車制造商的青睞，以高邊開關代替?zhèn)鹘y(tǒng)的、不穩(wěn)定的繼電器與保險絲，幫助軟件定義汽車，控制汽車的電機系統(tǒng)、LED燈光、揚聲器等關鍵負載，發(fā)揮先進的保護與診斷功能。
2024-08-19 09:54:571433 
電子發(fā)燒友網站提供《使用TI高邊開關控制器實現(xiàn)電池反向保護.pdf》資料免費下載
2024-09-06 11:24:501 電子發(fā)燒友網站提供《高邊開關主板評估模塊.pdf》資料免費下載
2024-12-04 15:31:140 ~ = +125°C時，具有165mΩ (最大)低導通電阻。驅動電阻負載時，高邊開關的輸入至輸出傳輸延遲為2μs (最大)。推挽式操作的PWM/PPO控制中，開關頻率達100kHz，可驅動長電纜。可將多個高邊開關并聯(lián)，實現(xiàn)較高驅動電流。器件具有較寬的10V至36V電源輸入范圍。
2025-05-21 14:12:19830 
隨著汽車電氣化水平及安全要求的提升，高邊開關已成為車身控制等關鍵系統(tǒng)中不可或缺的核心組件。高邊開關可實現(xiàn)車內負載的驅動與開關、保護與診斷，憑借其高可靠、低功耗、小型化、靈活易用等特點，逐漸替代傳統(tǒng)
2025-05-28 17:59:231172 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）正式發(fā)布第二代車規(guī)級高邊開關 (HSD) SC77450CQ，基于國內自主研發(fā)的垂直溝道 BCD 集成工藝和全國產化封測供應鏈，在 N 型襯底單晶圓上實現(xiàn)了
2025-08-05 15:17:141221 
中科微電深耕功率器件領域，針對P溝道器件的應用痛點，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標準。
2025-11-06 14:35:45245 
在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，穩(wěn)定、可靠的功率開關控制是保障設備連續(xù)運行的重要基礎。高邊驅動IC作為關鍵功率開關元件，廣泛應用于電機控制、電磁閥驅動、加熱模塊以及照明系統(tǒng)等高邊接地負載場景。隨著工業(yè)4.0
2025-11-12 16:14:40296 威兆半導體推出的VSP007P06MS是一款面向-60V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借超低導通電阻與高電流承載能力，適用于負載開關、DC/DC轉換器、電源管理系統(tǒng)
2025-11-26 15:18:29293 
威兆半導體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型
2025-12-16 11:50:07171 
威兆半導體推出的VS4518AD是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用TO-252封裝，適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型功率
2025-12-23 11:39:03236 
威兆半導體推出的VS3508AS是一款面向-30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型：P
2025-12-24 13:01:21133 
威兆半導體推出的VSP020P06MS是一款面向-40V中壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配中壓電源的高側開關、負載控制等領域。一、產品基本信息器件類型：P溝道增強型
2025-12-26 12:01:16110 
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