功率器件
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Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓
球碳化硅技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項重大行業(yè)里程碑：成功制造出單晶 300 mm（12英寸）碳化硅晶圓。憑借著業(yè)內(nèi)最為龐大、最具基礎(chǔ)性的碳化硅...
AI數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)、車用疲軟！三大國際功率半導(dǎo)體廠商Q3業(yè)績分化
截止11月12日，國際功率半導(dǎo)體三家大廠陸續(xù)發(fā)布2025年第三季度財報，英飛凌、意法半導(dǎo)體和安森美。當(dāng)前功率半導(dǎo)體市場發(fā)生了怎樣的變化？哪些業(yè)務(wù)有明顯改善？大廠如何看未來的走勢？本...
2025-11-13 標(biāo)簽：英飛凌安森美意法半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體 11331
analog devices方案：在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關(guān)頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)...
2025-10-15 標(biāo)簽：ADI仿真GaNLTspiceAnalog DevicesGaN FET 23511
超越國際巨頭：微碧半導(dǎo)體VBGQTA1101以頂尖TOLT封裝重塑功率密度標(biāo)桿
近日，國內(nèi)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域迎來突破性進(jìn)展——微碧半導(dǎo)體（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用創(chuàng)新TOLT-16封裝。這不僅是中國首款采用頂部散熱技術(shù)的功率MOSFET，更以"熱傳導(dǎo)與電流路徑解耦...
2025-10-11 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體功率密度VBsemiVBsemi功率半導(dǎo)體功率密度 21952
面向AI服務(wù)器總線 圣邦微電子推出 85V、16 位、帶 I2C 接口的高精度功率監(jiān)控器
圣邦微電子推出面向 AI 服務(wù)器總線的功率監(jiān)控器 SGM838，一款具有報警功能的 85V、16 位、帶 I2C 兼容接口的高精度功率監(jiān)控器。 除 48V AI 服務(wù)器外，器件適用范圍還包括：企業(yè)級服務(wù)器、電信設(shè)...
2025-09-04 標(biāo)簽：圣邦微電子AI服務(wù)器AI服務(wù)器圣邦微電子高精度功率監(jiān)控 42438
華為海思入局碳化硅！推出1200V工規(guī)級SiC單管
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導(dǎo)通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思表示，兩款SiC單管器件憑借優(yōu)良的導(dǎo)通特性，快...
納微車規(guī)級第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器
GeneSiC MOSFET技術(shù)為燃料電池和重型運輸領(lǐng)域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度 日前；納微半導(dǎo)體宣布與法國知名電力電子制造商——Brightloop達(dá)成合作： 納微的車規(guī)級第三代“...
2025-06-16 標(biāo)簽：電池充電氫燃料電池納微半導(dǎo)體 48696
Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D...
2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅MOSFET安世半導(dǎo)體 53733
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15日訊—...
2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片納微半導(dǎo)體 4416
意法半導(dǎo)體：推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略，引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展
???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年，行業(yè)也將面...
2025-04-10 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體SiC第三代半導(dǎo)體 3773
兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進(jìn)行優(yōu)勢整合，打造智能、...
2025-04-08 標(biāo)簽：mcu功率半導(dǎo)體兆易創(chuàng)新納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 4007
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意...
2025-04-01 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵英諾賽科 3943
第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號
? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”）憑借領(lǐng)先的第三代功率半...
2025-03-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 4018
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案...
東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”，具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提...
2025-03-06 標(biāo)簽：MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動碳化硅東芝半導(dǎo)體 4138
三安意法重慶8英寸碳化硅項目正式通線 將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)
2月27日，三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠正式通線。預(yù)計項目將在2025年四季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)，這將成為國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級碳化硅功率芯片規(guī)模化量產(chǎn)線，...
2025-02-27 標(biāo)簽：晶圓襯底碳化硅三安光電意法半導(dǎo)件 4807
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔詳解
GaN Systems易于驅(qū)動的GaN功率器件技術(shù)文檔...
CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的增長
2025 年 2 月 19 日 英國劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者...
2025-02-19 標(biāo)簽：CGD 371
英飛凌達(dá)成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品
2月18日，英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進(jìn)展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進(jìn)的200 mm SiC技術(shù)的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為...
第四代半導(dǎo)體新進(jìn)展：4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進(jìn)展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶...
2025-02-17 標(biāo)簽：氧化鎵 1387
低降電壓變換器如何判斷好壞呢
在電子系統(tǒng)設(shè)計中，低降電壓變換器（Low-Dropout Regulator, LDO）扮演著至關(guān)重要的角色。它們能夠在輸入電壓接近輸出電壓的微小壓差下，提供穩(wěn)定且干凈的輸出電壓，這對于許多精密電子設(shè)備而...
2025-01-30 標(biāo)簽：ldo變換器電子系統(tǒng)設(shè)計 4481
低降電壓變換器的作用，降低變壓器輸出電壓的方法
在電力電子領(lǐng)域，低降電壓變換器（Low-Voltage Dropout Regulator, LDO）和變壓器輸出電壓的調(diào)節(jié)是兩項至關(guān)重要的技術(shù)。本文旨在深入探討低降電壓變換器的作用，以及降低變壓器輸出電壓的多種方...
聞泰科技榮獲“2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”
7月23日至24日，第十八屆中國半導(dǎo)體協(xié)會半導(dǎo)體分立器件年會暨2024年中國半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在四川成都盛大召開。本次大會期間，聞泰科技憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表...
PMOS管如何作開關(guān)使用
PMOS管常作開關(guān)使用，如果負(fù)載是較大的容性負(fù)載，則在PMOS管開通瞬間，造成前級電源電壓跌落。如下面的示例： 圖1 PMOS作電源開關(guān)，開通瞬間前級電源電壓跌落 現(xiàn)象描述： PMOS管打開時，會使...
2024-06-04 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻電流電源電壓PMOS管 11988
鈞敏科技三相全橋智能功率模塊（IPM）-CS5755MTP/CS5755MTO解讀
? ? 三相全橋智能功率模塊（IPM） CS5755MTP/CS5755MTO ? 產(chǎn)品概述 ? CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動電路，主要應(yīng)用于較低功率電機(jī)驅(qū)動，如風(fēng)扇電機(jī)。 其內(nèi)置了6 個快...
如何選擇開關(guān)電源的MOSFET
DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。...
2024-04-25 標(biāo)簽：MOSFET開關(guān)電源控制電路DCDC開關(guān)控制器 7525
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