三星在本周的北美國際車展上投下重磅炸彈。三星宣布，子公司三星SDI正在籌備下一代電動汽車電池，一次充電能行駛372英里(約合599公里)，并提供快速充電功能。
2017-01-11 09:54:29
906 三星電子宣布推出了業界首款符合HBM2E規范的內存。它是第二代Aquabolt的后繼產品，具有16GB的兩倍容量和3.2Gbps的更高穩定傳輸速度。
2020-02-05 13:40:231654 五代產品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。 ? 近日，三星電子也更新了HBM3E的進展。據韓媒報道
2023-10-25 18:25:244378 
明年。目前博通憑借自有半導體設計能力，正為谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。 ? 此外，三星電子也積極推進向亞馬遜云服務（AWS）供應HBM3E 12層產品，近期已在平澤園區啟動實地審核。AWS計劃明年量產搭載該存儲器的下一代AI芯
2025-07-12 00:16:003465 開始實現大規模生產。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價，傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價，三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。 ? 近日消息，S
2025-08-23 00:28:007170 電子發燒友網報道（文/吳子鵬）在半導體存儲行業的常規邏輯中，新一代產品面世前夕，前代產品降價清庫存是常規定律，但如今HBM（高帶寬內存）將打破這一行業共識。據韓媒最新報道，三星電子和SK海力士已上調
2025-12-28 09:50:111557 三星LED燈珠高亮度、色彩豐富、可智 能化控制等優點，使其成為下一代照明光源的有力競爭者，綠色節能是其對社會最重要的貢獻。
2019-09-30 09:00:46
，富士康董事長郭臺銘稱，下一代iPhone將在智能手機市場競爭中成為勝利者，讓三星(微博)Galaxy III“顏面掃地”。
2012-06-21 08:48:491522 目前電動汽車普及的一大障礙就是電池續航和過長的充電時間，但三星最新發布的下一代車用鋰電方案或許能夠消除用戶的這種顧慮。三星官方公布的數據顯示，下一代車用鋰電的續航將達到600km，即使在80%電量的情況下依舊可以行駛至少500km，充電速度將控制在20分鐘左右。
2017-01-12 14:56:201062 據悉，三星電子日前宣布與丹麥頂級音響公司Steinway Lyngdorf合作，共同開發下一代顯示器“The Wall Professional”。
2018-06-08 14:33:001216 1月27日，據外媒Wareable消息，三星內部人員＠Max J．推特發文透露之前爆料大神＠OnLeaks所爆料的三星下一代智能手表Galaxy Sport的正式名或為Galaxy Watch
2019-01-29 14:58:462952 
三星電子下一代折疊手機終于浮出水面。
2019-06-27 11:05:113366 英偉達執行副總裁Debora Shoquist在最新的一份聲明中澄清說：“有關報道是不正確的。英偉達下一代GPU會繼續在臺積電制造。英偉達已經同時使用臺積電、三星代工，下一代GPU產品也計劃繼續同時使用兩家工廠。”
2019-07-09 10:25:442918 本周早些時候，這家韓國科技和電子巨頭宣布將批量生產下一代RAM。即將上市的RAM將配備三星的高端智能手機，但不會是我們在三星Galaxy Note 10中找到的芯片。下一代芯片旨在適應AI和5G技術。
2019-07-27 09:26:134237 索尼即將推出的下一代游戲機PlayStation 5引起了很多關注，尤其是在存儲介質以及SSD如何改善下一代產品方面。那么這與三星有什么關系？事實證明三星可能是索尼PS5的SSD供應商。
2019-12-11 10:33:161065 12月31日消息，據外媒報道，三星Galaxy S系列下一代旗艦命名為Galaxy S20系列。
2019-12-31 10:55:413297 1月5日消息，據多家外媒報道，三星已經和華為成功洽談準備為下一代華為折疊手機量產折疊屏幕。
2020-01-06 09:28:463905 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:114064 三星計劃為谷歌提供定制的5納米Exynos處理器芯片，該芯片將用于下一代Pixel智能手機中。三星拒絕證實這些報道。
2020-04-13 15:49:284098 近日，三星表示正在與AMD合作，下一款旗艦處理器中將會搭載 “下一代移動 GPU”。早在2019年6月，三星和AMD就宣布，雙方將合作為三星Exynos芯片帶來移動GPU，三星系統LSI（三星電子的Exynos部門）將通過多年協議授權AMD的Radeon GPU IP。
2021-01-14 09:25:462359 和高性能計算系統提供動力。 下一代英特爾至強可擴展處理器（代號“Sapphire Rapids”）將集成高帶寬內存（HBM）。 英特爾基于X e -HPC 的 Ponte Vecchio GPU 已啟動
2021-07-01 10:05:279066 三星正在試圖奪取特斯拉下一代全自動輔助駕駛（FSD）芯片的訂單，這些訂單最初是交給臺積電代工的。之前，三星已經成功取代了臺積電，為英特爾旗下自駕技術部門Mobileye生產芯片。
2023-07-19 17:01:081555 在隨后大約1小時20分鐘的演講中，黃仁勛宣布全球首發HBM3e內存——推出下一代GH200 Grace Hopper超級芯片。黃仁勛將它稱作“加速計算和生成式AI時代的處理器”。
2023-08-09 14:48:001821 
sk海力士表示：“以唯一批量生產hbm3的經驗為基礎，成功開發出了世界最高性能的擴展版hbm3e。“將以業界最大規模的hbm供應經驗和量產成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位。”
2023-08-21 09:21:491808 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:411676 HBM3E內存（也可以說是顯存）主要面向AI應用，是HBM3規范的擴展，它有著當前最好的性能，而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優化。
2023-08-22 16:28:071670 三星電機是韓國最大的半導體封裝基板公司，將在展會上展示大面積、高多層、超薄型的下一代半導體封裝基板，展示其技術。
2023-09-08 11:03:201505 ，skjmnft同時已經向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內存采用 eight-tier 布局，每個堆棧為24 GB，采用1β 技術生產，具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數字化管理各個業務板塊,提升
2023-10-10 10:25:461636 NVIDIA H200的一大特點就是首發新一代HBM3e高帶寬內存(疑似來自SK海力士)，單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點)，同時帶寬多達4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:132330 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:571700 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業界預測，最快將于2023年末得到部分企業對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:301601 
英偉達（NVIDIA）近日宣布，已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內存，為其AI領域的下一代產品做準備。也預示著內存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:501622 據最新傳聞，英偉達正在籌劃發布兩款搭載HBM3E內存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片，這也進一步說明了對于HBM內存的大量需求。
2024-01-02 09:27:041445 美國IT企業投資規模的加大使得HBM市場迅速成長。預計至2024年，HBM供應緊缺問題將愈發嚴重。對此，三星計劃于2023年末和2024年初供應第四代HBM產品HBM3，并計劃啟動第五代HBM產品HBM3E的量產。在此
2024-01-03 13:41:022230 近日，三星電子宣布在硅谷設立下一代3D DRAM研發實驗室，以加強其在存儲技術領域的領先地位。該實驗室的成立將專注于開發具有更高性能和更低功耗的3D DRAM，以滿足不斷增長的數據存儲需求。
2024-01-31 11:42:011285 三星方面確認，此舉目的在于提升無晶圓廠商使用尖端GAA工藝的可能性，并縮減新品開發周期及費用。GAA被譽為下一代半導體核心技術，使晶體管性能得以提升，被譽為代工產業“變革者”。
2024-02-21 16:35:551419 長達半年的嚴格性能評估。據此，SK海力士計劃在今年3月開始量產這款高頻寬記憶體，以供應給英偉達作為他們下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產品B100的首選存儲器。
2024-02-25 11:22:211656 目前，只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內存。與現有的HBM3相比，HBM3e的速度提升了50%，單個平臺可以達到10TB/s的帶寬，單顆芯片能夠實現5TB/s的傳輸速率，內存容量高達141GB。
2024-02-25 11:22:421391 美光執行副總裁兼首席商務官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現HBM3E的市場首發和卓越性能，同時能耗具有顯著優勢，使公司在AI加速領域穩占先機。他還強調，美光擁有業界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術相結合
2024-02-27 09:38:42841 “隨著AI行業對大容量HBM的需求日益增大，我們的新產品HBM3E 12H應運而生，”三星電子內存規劃部門Yongcheol Bae解釋道，“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術、以及創新堆疊技術的成果展示。”
2024-02-27 10:36:251877 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:001583 近日，三星電子宣布，已成功發布其首款12層堆疊的高帶寬內存（HBM3E）產品——HBM3E 12H，再次鞏固了其在半導體技術領域的領先地位。據了解，HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產品，其性能也實現了質的飛躍。
2024-02-27 14:28:211820 據手機資訊網站IT之家了解，MI300加速器配備了HBM3內存模塊，并面向HBM3E進行了重新設計。另外，該公司在供應鏈交付合作方面頗為深入，不僅與主要的存儲器供應商建立了穩固的聯系，同時也與如臺積電等重要的基板供應商以及OSAT社區保持著緊密的合作關系。
2024-02-27 15:45:051327 其 HBM3E 高帶寬內存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內存，并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:511493 
內存解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU 將采用美光 8 層堆疊的 24GB 容量 HBM3E 內存，并于 2024 年第二季度開始出貨。美光通過這一里程碑式進展持續保持行業
2024-03-04 18:51:411886 
美光科技股份有限公司（Micron Technology, Inc.）是全球內存與存儲解決方案的領先供應商，近日宣布已經開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。這一重要的里程碑式進展再次證明了美光在內存技術領域的行業領先地位。
2024-03-05 09:16:281608 三星電子近期研發的這款36GB HBM3E 12H DRAM確實在業界引起了廣泛關注。其宣稱的帶寬新紀錄，不僅展現了三星在半導體技術領域的持續創新能力，也為整個存儲行業樹立了新的性能標桿。
2024-03-08 10:04:421516 三星電子近日宣布，公司成功研發并發布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產品在帶寬和容量上均實現了顯著的提升，這也意味著三星已開發出業界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲器（HBM）。
2024-03-08 10:10:511277 就此，知情人士指出，三星此舉體現出該公司提升HBM良率的決心。對此，一家行業分析機構表示，考慮到AI行業對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長，三星有必要作出調整。
2024-03-13 13:35:191095 同日，SK海力士宣布啟動 HBM3E 內存的量產工作，并在本月下旬開始供貨。自去年宣布研發僅過了七個月。據稱，該公司成為全球首家量產出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達 1.18TB 的數據。此項數據處理能力足以支持在一小時內處理多達約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 Rambus HBM3E/3 內存控制器內核針對高帶寬和低延遲進行了優化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:374681 
HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內存，黃仁勛在會上直接認可三星實力，稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內存進行測試，未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:241406 英偉達正在尋求與三星建立合作伙伴關系，計劃從后者采購高帶寬存儲（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時，三星正努力追趕業內領頭羊SK海力士，后者已率先實現下一代HBM3E芯片的大規模量產。
2024-03-25 11:42:041287 據悉，HBM3E 12H內存具備高達1280GB/s的寬帶速率以及36GB的超大存儲容量，較8層堆疊的HBM3 8H，分別提升了50%以上的帶寬及容量。
2024-03-25 15:36:11989 據最新消息透露，英偉達即將從今年9月開始大規模采購12層HBM3E內存，而這次供貨的重任將完全由三星電子承擔。這一消息無疑為業內帶來了不小的震動。
2024-03-26 10:59:061180 據業內透露，三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:091917 12層HBM3e將每個堆棧可用的總帶寬提高到驚人的1,280GB/s，這比單個堆棧上RTX 4090可用的全部帶寬還要高。
2024-03-29 10:47:091352 
三星方面表示，預計今年上半年將正式生產出HBM3E 12H內存，而AMD則計劃于下半年開始生產相應的AI加速卡。值得注意的是，三星HBM3E 12H內存的全天候最大帶寬可達到驚人的1280GB/s，產品容量更是高達36GB。
2024-04-24 14:44:381196 具體而言，現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發，而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。
2024-05-10 14:44:391199 據此，現有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內存的開發和優化，而今年三月份新設立的HBM產能與質量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
2024-05-11 18:01:151993 業內評論指出，三星HBM之所以出現問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產方式與三星有所差異，導致三星產品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201863 據行業觀察者透露，三星HBM3E面臨的問題源于臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準，而這與三星自身的生產方式有所出入，從而影響了產品的認證進程。
2024-05-17 09:30:53892 三星電子近期正積極投入驗證工作，以確保其HBM3E產品能夠順利供應給英偉達。然而，業界傳出消息，因臺積電在采用標準上存在的某些問題，導致8層HBM3E產品目前仍需要進一步的檢驗。
2024-05-17 11:10:13918 近日，SK海力士與臺積電宣布達成合作，計劃量產下一代HBM（高帶寬內存）。在這項合作中，臺積電將主導基礎芯片的前端工藝（FEOL）和后續布線工藝（BEOL），確保基礎芯片的質量與性能。而SK海力士則負責晶圓測試和HBM的堆疊工作，確保產品的最終品質與可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 近日，三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據知情人士透露，芯片因發熱和功耗問題未能達標，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。
2024-05-24 14:10:011108 據報道，SK海力士宣布第五代高帶寬存儲（HBM）—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:171888 據DigiTimes報道，三星HBM3E未能通過英偉達測試可能源于臺積電審批環節出現問題。三星與臺積電在晶圓代工領域長期競爭，但在英偉達主導的HBM市場，三星不得不尋求與臺積電合作。臺積電作為英偉達GPU芯片的制造商和封裝商
2024-05-27 16:53:211264 美光近期發布的內存和存儲產品組合創新備受矚目，這些成就加速了 AI 的發展。美光 8 層堆疊和 12 層堆疊 HBM3E 解決方案提供業界前沿性能，功耗比競品1低 30%。
2024-05-28 14:08:131659 英偉達公司CEO黃仁勛近日就有關三星HBM（高帶寬內存）的傳聞進行了澄清。他明確表示，英偉達仍在認證三星提供的HBM內存，并否認了三星HBM未通過英偉達任何測試的傳聞。
2024-06-06 10:06:531101 在科技界的密切關注下，三星電子與英偉達之間的合作再次傳來振奮人心的消息。據韓國主流媒體NewDaily最新報道，三星電子已成功通過英偉達的HBM3e（高帶寬內存）質量測試，標志著這家科技巨頭在高端
2024-07-04 15:24:561151 在科技界與金融市場的交匯點，一則關于三星電子HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）芯片通過英偉達嚴格質量測試的消息于7月4日悄然傳開，瞬間點燃了業界內外對于高性能存儲技術未來
2024-07-04 16:22:511195 近日，韓國媒體的一則報道引發了業界廣泛關注，稱三星電子的新一代高帶寬內存HBM3E已經順利通過了GPU巨頭英偉達（NVIDIA）的質量認證，即Qualtest PRA（產品準備批準），并預示著該產品
2024-07-05 10:37:031118 近期，有媒體報道稱三星電子已成功通過英偉達（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內存）質量測試，并預計很快將啟動量產流程，以滿足市場對高性能存儲解決方案的迫切需求。然而，這一消息迅速遭到了三星電子的官方否認。
2024-07-05 15:08:181268 韓國新聞源NewDaily近日發布了一則報道，聲稱三星電子的HBM3e芯片已成功通過英偉達的產品測試，預示著即將開啟大規模生產并向英偉達供貨的序幕。然而，三星電子方面迅速對此消息進行了否認，表示并未收到官方確認。
2024-07-05 16:09:581392 在半導體存儲領域，三星電子的每一次技術突破與產能調整都牽動著市場的神經。近期，業內傳出消息，三星電子的HBM3E（High Bandwidth Memory 3E）存儲器即將完成批量出貨驗證，這一
2024-07-17 15:19:411221 近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內存（HBM）產品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產品即將進入規模化生產階段，預計在本季度內正式向
2024-07-18 09:36:591401 近日，韓媒ZDNet Korea報道，三星電子正全力投入到低延遲寬I/O（LLW DRAM）內存的研發中，旨在為未來蘋果Vision Pro之后的下一代頭戴式顯示器（XR設備）訂單做好充分準備。這一舉措標志著三星在高端智能設備內存領域的雄心壯志，以及其對市場格局重塑的堅定決心。
2024-07-18 15:19:241453 1. 三星：HBM3e 先進芯片今年量產，營收貢獻將增長至60% ? 三星電子公司計劃今年開始量產其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e，并迅速提高其對營收的貢獻。三星電子表示，該公司預計其
2024-08-01 11:08:111376 三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產工作，并預期這一先進產品將顯著提升公司的營收貢獻。據三星電子透露，隨著HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:371053 8月7日，市場上關于三星電子第五代高頻寬記憶體芯片HBM3E已通過英偉達（Nvidia）測試的消息引起了廣泛關注。然而，三星電子對此事態的反應卻顯得較為謹慎。三星電子官方表示：“我們無法證實與我
2024-08-07 15:23:26968 近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
2024-08-08 10:06:021161 進入八月，市場傳言四起，韓國存儲芯片巨頭三星電子（簡稱“三星”）的8層HBM3E內存（新一代高帶寬內存產品）已順利通過英偉達嚴格測試。然而，三星迅速澄清，表示這一報道與事實相去甚遠，強調目前質量測試
2024-08-23 15:02:561635 9月4日最新資訊，據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產品主要面向英偉達H200系列應用。同時，三星電子還積極推進Blackwell系列的驗證工作，預示著更先進技術的穩步前行。
2024-09-04 15:57:091772 HBM市場全球最高市占率的地位，也標志著HBM3E技術再次引領行業潮流，特別是在滿足日益增長的人工智能服務器對高性能內存需求的背景下。
2024-09-05 16:31:361645 近日，知名市場研究機構TrendForce在最新發布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM3E 8Hi版本已被確認
2024-09-05 17:15:281404 美光科技近期宣布，其“生產可用”的12層堆疊HBM3E 36GB內存已成功啟動交付，標志著AI計算領域的一大飛躍。這款先進內存正陸續送達主要行業合作伙伴手中，以全面融入并驗證其在整個AI生態系統中的效能。
2024-09-09 17:42:371553 近日，三星電子因向英偉達供應HBM3E內存的延遲，對其HBM內存的產能規劃進行了調整。據韓媒報道，三星已將2025年底的產能預估下調至每月17萬片晶圓，這一調整反映了半導體行業當前緊張的供需關系和激烈的市場競爭。
2024-10-11 17:37:121554 近日，業界傳出三星電子HBM3E商業化進程遲緩的消息，據稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關。具體而言，1a DRAM的性能問題成為了三星電子向英偉達提供HBM3E量產供應的絆腳石。
2024-10-23 17:15:101255 方式獲得三星顯示的一座大樓，并計劃在三年內完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是，三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，對高性能內存有著迫切需求，而三星的定制化HBM4內
2024-11-13 11:36:161756 近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于三星的HBM3E內存
2024-11-25 14:34:171028 近日，SK海力士正全力加速其全球首創的16層堆疊(16Hi)HBM3E內存的量產準備工作。這一創新產品的全面生產測試已經正式啟動，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規模量產與供應奠定了
2024-12-26 14:46:241050 近日，全球DRAM內存巨頭之一的美光科技公司宣布，將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內存市場。目前，美光正在對最終設備進行評估，并計劃在今年內實現量產。 這一消息標志著美光在高性能內存
2025-01-17 14:14:12914 三星電子在近期舉行的業績電話會議中，透露了其高帶寬內存（HBM）的最新發展動態。據悉，該公司的第五代HBM3E產品已在2024年第三季度實現大規模生產和銷售，并在第四季度成功向多家GPU廠商及數據中心供貨。與上一代HBM3相比，HBM3E的銷售額實現了顯著增長。
2025-02-06 17:59:001106 其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測，三星8層HBM3E產品的質量認證工作已接近尾聲，這標志著三星即將正式邁入英偉達的HBM供應鏈。對于三星而言
2025-02-18 11:00:38979 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品，SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:313695 
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）根據韓媒sedaily 的最新報道，三星華城17號產線已開始量產并向英偉達供應HBM3內存。同時，美光已經為英偉達供應HBM3E。至此，高端HBM內存的供應由SK海力士
2024-07-23 00:04:005534 有消息說提前到2025年。其他兩家三星電子和美光科技的HBM4的量產時間在2026年。英偉達、AMD等處理器大廠都規劃了HBM4與自家GPU結合的產品，HBM4將成為未來AI、HPC、數據中心等高性能應用至關重要的芯片。 行業標準制定中 近日，JEDEC固態技術協會發布的新聞稿表示，
2024-07-28 00:58:136874 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）在早前的報道中，對于HBM產能是否即將過剩，業界有不同的聲音，但絲毫未影響存儲芯片廠商對HBM產品升級的步伐。 ? 三大廠商12 層HBM3E 進展 ? 9月26日SK
2024-10-06 01:03:005496 
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