近日,據韓媒報道稱,三星的研發人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開發的命令,要求直接研發1c工藝DRAM芯片,也就是跳過12nm工藝直接研發11nm工藝。
在此之前,三星也做出過類似的決定。曾經各大廠商都專心研究28nm DRAM芯片時,三星同樣跨過了28nm,直接開始研發25nm工藝,最終取得了成功。
這次三星同樣想靠彎道超車來與其他廠商拉開差距,占據行業領先地位。三星計劃在6月完成11nm DRAM芯片的開發工作。
綜合整理自 比特網 萬仟網 中文科技資訊
審核編輯 黃昊宇
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