近年來，SK海力士屢獲創新成果，這些成就皆得益于“一個團隊”協作精神（One Team Spirit）”。無論是創下歷史最佳業績、開發出全球領先產品，還是躍升成為全球頂級面向AI的存儲器供應商，這些輝煌成就無一不是全體成員齊心協力的結果。本系列文章將回顧鑄就SK海力士成功神話背后的驅動力——“一個團隊”協作精神的閃耀時刻。

本系列第一篇文章將聚焦于SK海力士自創立以來所面臨的危機與挑戰，并剖析在這些關鍵時刻，其“一個團隊”協作精神所展現出的強大力量。

克服后進劣勢，成功扭虧為盈

公司初創階段全體成員齊心協力克服后進劣勢，成功扭虧為盈

1983年，SK海力士正式進軍半導體產業。當時，全球半導體市場幾乎由美國和日本主導。在半導體產業幾乎空白的韓國，作為后來者踏入這一領域無疑極為艱難，但SK海力士仍毅然選擇了勇敢挑戰。

但現實并不樂觀。盡管創業初期公司雄心勃勃，但始終未能縮小與行業先行者的技術差距。工廠建設屢次延誤，最終艱難地建成了利川工廠，并成功試產了16K SRAM。然而，隨之而來的產品研發滯后、良率不足等問題，使公司的各個部門都拉響了警報。

公司創立僅兩年便遭遇危機，但此時放棄為時尚早。為此，公司決定集中力量擴充人才隊伍，并提升技術實力。這一戰略最終奏效——SK海力士通過增聘研發人員、擴建基礎設施，夯實了技術根基，并于1987年成功自主開發出256K DRAM。

這樣的發展勢頭延續到了1988年，行業復蘇的東風進一步助推了公司的發展。公司相繼自主研發成功了1M DRAM、4M DRAM。1988年，憑借256K DRAM的熱銷，公司實現盈利，此時距離公司成立僅五年。

當時，員工們以在100天內實現良率50%為目標，發起了“150行動”，齊心協力，以彌補后進者所帶來的劣勢。倘若沒有公司堅定的發展意志與全體成員團結一致的堅決態度，這一切都難以實現。“一個團隊”精神不僅為SK海力士在半導體行業深耕奠定了基礎，更成為未來其克服危機、迎接挑戰的核心DNA。

以“一個團隊”協作精神為DNA，實現絕地重生

上世紀九十年代到本世紀初，“一個團隊”精神助力公司在危機中屢次渡過難關

在20世紀90年代初的經濟衰退期間，SK海力士的“一個團隊”精神再次閃耀光芒。基于對行業即將回升的預判，SK海力士以“擴大投資”為應對策略，在行業低谷期果斷投入數千億韓元，用于16M和64M DRAM的量產以及未來技術布局。

1995年，正如公司所預測的那樣，半導體行業迎來空前繁榮。SK海力士憑借對16M和64M DRAM的核心投資策略，獲得了豐厚的回報。這一次，“一個團隊”精神再次為公司的重大成就提供了強有力的支持。而在繁榮達到頂峰之后，面對行業競爭迅速加劇帶來的挑戰，全體成員通過宣布“勞資一體”1化，繼續攜手共進，再次展現了 ‘一個團隊’精神。”

1勞資一體：對應當時由韓文“身土不二”演變而來的新造詞“勞使不二”，意為勞動者與企業是一體的。

2001年，經濟危機到達頂峰，再次襲來的經濟蕭條比往年更加嚴重。更為嚴峻的是，公司面臨債務疊加與互聯網泡沫破裂的雙重困境，不得不進行重組（債權人共同管理），甚至傳出“低價拋售公司”的謠言。

盡管面臨困難，但成員們依然堅定不移，他們喊著“能省一分是一分”的口號，自愿退還薪資，并積極參與無薪休假。同時，利川市民也紛紛挺身而出，發起了“拯救海力士”，“認購海力士股票”等活動，為企業復蘇貢獻自己的力量。

研究人員們夜以繼日地攻克技術難關，通過對舊設備改造，實現了0.15微米2工藝的重大突破——這正是至今仍廣為人知的“藍芯計劃”。隨后，1Gb DDR2和512M NAND的研發，以及300mm晶圓相繼實現量產。2005年初，SK海力士提前結束了債務重組，這標志著“勞資一體”與“一個團隊”精神的終極勝利。

2微米：百萬分之一米（10?? m）。數值越小，表明工藝精細化程度越高。

登頂面向AI的存儲器市場，

“一個團隊”精神再創輝煌

SK海力士持續擴張產業版圖，以“一個團隊”協作精神續寫新的輝煌篇章

SK海力士的“一個團隊”精神在企業上升期愈顯光芒。2012年，SK海力士正式成為SK集團的一員，公司發展步入快車道。SK集團曾表示，之所以敢于進行大規模投資，是基于對其增長潛力的高度認可。

得到數萬億韓元支持的SK海力士，憑借全球戰略合作，積極加大投資與研發力度，以及擴建晶圓廠，為未來的發展奠定堅實基礎。公司在提升技術實力的同時，更致力于重塑企業文化：不僅推出助力員工成長的多元發展計劃，更將“一個團隊”協作精神深度融入企業基因，從而構建起成員和組織之間協同創新、融合共進的生態系統。

在“一個團隊”協作精神的凝聚下，全體成員們持續推出契合客戶與市場需求的多款創新產品——涵蓋了10納米級DDR5 DRAM、超高堆疊4D NAND以及大容量SSD等，刷新了公司年度最高業績紀錄。

其中，HBM無疑是核心所在。自2009年以來，SK海力士便前瞻性地布局HBM3技術，隨著AI時代的到來，這一領域迎來了爆發式增長。這一成就的背后，充分體現了SK海力士“一個團隊”協作精神——從負責產品設計和元件開發的前道工序團隊，到實現芯片電氣互聯的后道封裝團隊，全體成員通力協作，共同專注于性能提升。正是因為硅通孔4（TSV）、批量回流模制底部填充5（MR-MUF）及先進MR-MUF6技術等創新技術的不斷迭代，才成就了如今HBM在行業中的領先地位。

3高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲器，通過垂直互聯多個DRAM芯片, 與DRAM相比可顯著提升數據處理速度。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）、HBM4（第六代）的順序開發。

4硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）：一種在DRAM上打數千個微孔使其垂直互連至電極的技術。

5批量回流模制底部填充(MR-MUF, Mass Reflow Molded Underfill)：在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。

6先進MR-MUF：先進 MR-MUF 技術具有翹曲控制功能（Warpage Control），可實現無翹曲堆疊，芯片厚度比傳統芯片薄 40%，此技術采用新型保護材料，可有效改善散熱性能。

這種發展趨勢持續延伸至HBM4——公司于今年3月率先向客戶交付了12層HBM4樣品 [相關報道]。由此SK海力士不僅在面向AI的存儲器市場中穩居榜首，更實現了從1983年作為半導體行業“新進者”到如今成為“資深專家”的華麗蛻變。

正處于高速增長期的SK海力士，目前正投入120萬億韓元打造龍仁半導體集群，并積極推進M15X工廠、美國印第安納州工廠等新生產基地的建設，持續擴大產業規模。

以“全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）”為目標，SK海力士全體成員正秉持“一個團隊”協作精神，攜手共進，開啟嶄新的征程。