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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>SK海力士推出新型DRAM 號稱創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄

SK海力士推出新型DRAM 號稱創(chuàng)下業(yè)內(nèi)單芯最大密度記錄

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海力士:DRAM下半年復(fù)蘇

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SK海力士提升為集團(tuán)子公司的“利與弊”

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SK海力士突發(fā)火災(zāi),DRAM畫風(fēng)突變?

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10納米DRAM制程競爭升溫,SK海力士、美光加速追趕三星

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DRAM價格今年下半年將下跌,SK海力士營業(yè)利潤預(yù)測下調(diào)至4.5萬億韓元

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2020-12-14 15:55:321786

三星與SK海力士同步看好DRAM后市 預(yù)測后期不排除出現(xiàn)短缺

韓國記憶體兩大廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)同步看好動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)后市,激勵DRAM制造廠南亞科(2408)與華邦電(2344)股價走揚。 三星預(yù)期,受惠5G需求
2021-02-01 12:43:001296

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

,數(shù)據(jù)傳輸速度提高了 33%,達(dá)到 1.6 Gbps。明年年中,SK 海力士推出最大讀取速度提高 70%、最大寫入速度提高 35% 的移動解決方案產(chǎn)品,并計劃推出消費者和企業(yè) SSD 產(chǎn)品,進(jìn)而擴(kuò)大該產(chǎn)品
2020-12-07 16:16:233708

SK海力士已開始安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM

據(jù)etnews報道,SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī),以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內(nèi)在M16廠建設(shè)產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM,不過并未透露
2021-01-20 18:19:202943

SK海力士將首次使用EUV光刻機(jī)生產(chǎn)芯片

31億美元)建成了這座芯片工廠,工廠長336米,寬163米,高105米,相當(dāng)于一座37層公寓的高度,是SK海力士目前最大的芯片工廠。
2021-02-02 15:00:152767

SK海力士舉行M16新廠竣工儀式

SK海力士(或“公司”,www.skhynix.com )在韓國京畿道利川總部以“We Do Technology,開啟幸福”為主題舉行M16新廠竣工儀式。為遵守防疫規(guī)定,公司縮小了本次活動規(guī)模,僅
2021-02-03 09:44:243036

SK海力士與ASML簽合同:SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機(jī)

。 據(jù)報道,SK海力士與ASML公司簽訂了一個超級大,未來5年內(nèi)將斥資4.8萬億韓元,約合43.4億美元購買EUV光刻機(jī)。 SK海力士在一份監(jiān)管文件中稱,這筆交易是為了實現(xiàn)下一代工藝芯片量產(chǎn)的目標(biāo)。 ASML及SK海力士都沒有透露這么多資金到底購買了多少臺EUV光刻機(jī),不過從之
2021-02-25 09:30:232709

SK海力士開始量產(chǎn)DDR5移動內(nèi)存

SK海力士今天宣布,已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動版內(nèi)存,存儲密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203

SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672

SK海力士將向英偉達(dá)系統(tǒng)供應(yīng)HBM3

SK海力士在業(yè)界率先開發(fā)出最新高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)產(chǎn)品HBM31,公司不僅又一次創(chuàng)造歷史,更進(jìn)一步鞏固了SK海力士DRAM市場上的領(lǐng)先地位。
2022-09-08 09:28:252219

SK海力士推出全球最快移動DRAM——LPDDR5T

SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*,將其性能提升成功開發(fā)出了LPDDR5T。本次產(chǎn)品的速度比現(xiàn)有產(chǎn)品快13%,運行速度高達(dá)9.6Gbps(Gb/s)。公司為了強(qiáng)調(diào)其超高速度特性,命名時在規(guī)格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo(渦輪增壓)”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:332449

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財報難看

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還一直聽說內(nèi)存條在不斷漲價的消息,現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄,看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟(jì)的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954

反超SK海力士,美光躍居第二大DRAM供應(yīng)商

在芯片行業(yè)持續(xù)衰退的情況下,美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據(jù)臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:061184

SK海力士將為蘋果Vision Pro MR設(shè)備提供專用DRAM

為了實現(xiàn)這一功能,還必須適合用于輔助計算的dram。現(xiàn)有智能手機(jī)使用的移動dram的速度是有限的。sk海力士根據(jù)蘋果公司的要求,提供了最適合操作r1芯片的dram。大幅增加了輸入/輸出(i/o)頻道的數(shù)量,可以將數(shù)據(jù)迅速傳送到存儲器內(nèi)外。
2023-07-12 09:39:561019

Meta、英偉達(dá)相繼拜訪SK海力士,要求額外供應(yīng)DDR5/HBM

meta是SK海力士的主要顧客之一,正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd (ssd)和服務(wù)器dram。據(jù)悉,對ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram
2023-08-30 10:03:331393

香農(nóng)創(chuàng):與華為沒有業(yè)務(wù)往來,與SK海力士合作關(guān)系正常

sk海力士最近就華為mate 60 pro可能使用sk海力士存儲芯片的半導(dǎo)體解體疑惑表示,美國政府對華為采取限制措施后,沒有與華為進(jìn)行交易,目前正在展開調(diào)查。
2023-09-14 09:28:012826

SK海力士全面推進(jìn)全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

據(jù)sk海力士透露,LPDDR5T是迄今為止最能大幅提高智能手機(jī)性能的存儲產(chǎn)品中速度最快的產(chǎn)品。公司方面強(qiáng)調(diào)說,將繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品適用范圍,引領(lǐng)移動dram領(lǐng)域的升級。
2023-11-13 10:32:311819

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌,SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機(jī)群工藝和HBM相關(guān)設(shè)備

數(shù)據(jù)顯示,首爾半導(dǎo)體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴(kuò)大其HBM生產(chǎn)能力,并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購;此外,三星和SK海力士計劃加強(qiáng)DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移,進(jìn)一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:221580

SK海力士計劃提升中國無錫工廠技術(shù)水平,推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

隨著全球半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇,SK海力士認(rèn)識到,為了保持市場地位,推出更高性能的DRAM產(chǎn)品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080

SK海力士:挑戰(zhàn)美國限制,推進(jìn)中國半導(dǎo)體技術(shù)升級

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10納米DRAM
2024-01-16 10:45:25865

SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM
2024-01-31 11:23:051539

SK海力士擴(kuò)大對芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10億美元,以擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士重組中國業(yè)務(wù)

SK海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體公司,近期在中國業(yè)務(wù)方面進(jìn)行了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)相關(guān)報道,SK海力士正在全面重組其在中國的業(yè)務(wù)布局,計劃關(guān)閉運營了長達(dá)17年的上海銷售公司,并將其業(yè)務(wù)重心全面轉(zhuǎn)移到無錫。這一決策的背后,反映了SK海力士對于中國市場發(fā)展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163

SK海力士成功量產(chǎn)超高性能AI存儲器HBM3E

HBM3E的推出,標(biāo)志著SK海力士在高性能存儲器領(lǐng)域取得了重大突破,將現(xiàn)有DRAM技術(shù)推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844

剛剛!SK海力士出局!

來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知視界 Link 3月25日消息,據(jù)報道,由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題,英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存,將由三星獨家供貨,SK海力士出局! 據(jù)了解,HBM需要
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士考慮新建DRAM工廠

SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計劃的推遲,以及對今年內(nèi)存芯片需求大幅增長的預(yù)測。
2024-05-06 10:52:02982

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案

在智能手機(jī)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流,成功推出新一代移動端NAND閃存解決方案——ZUFS 4.0。這款專為端側(cè)AI手機(jī)優(yōu)化的閃存產(chǎn)品,無疑將為用戶帶來前所未有的使用體驗。
2024-05-11 10:14:191068

三星和SK海力士未恢復(fù)增產(chǎn)并計劃限制DRAM產(chǎn)量

 根據(jù)行業(yè)預(yù)估,三星和SK海力士有望在今年擴(kuò)展產(chǎn)量以應(yīng)對逐步好轉(zhuǎn)的半導(dǎo)體市場環(huán)境。然而,他們在今年一季度財政報告會上均表示,DRAM產(chǎn)量可能會受到制約。
2024-05-22 14:49:59971

三星、SK海力士DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士引入創(chuàng)新MOR技術(shù)于DRAM生產(chǎn)

SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域再次邁出創(chuàng)新步伐,計劃在其第6代(1c工藝,約10nm)DRAM的生產(chǎn)中,首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠(MOR)。這一突破性的應(yīng)用標(biāo)志著MOR技術(shù)正式進(jìn)入DRAM量產(chǎn)工藝。
2024-05-30 11:02:581506

SK海力士加大1b DRAM產(chǎn)能以滿足市場需求

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)風(fēng)起云涌的當(dāng)下,SK海力士再次展現(xiàn)出其前瞻性和決斷力。據(jù)行業(yè)內(nèi)部消息透露,該公司正積極擴(kuò)大其第5代1b DRAM的生產(chǎn)規(guī)模,以應(yīng)對當(dāng)前市場對HBM(高帶寬內(nèi)存)及DDR5 DRAM不斷增長的需求。
2024-06-17 16:30:501183

三星、SK海力士通用DRAM產(chǎn)線開工率維持80%~90%

在半導(dǎo)體存儲行業(yè),三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術(shù)和產(chǎn)能占據(jù)市場的重要地位。然而,近期韓媒援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱,這兩大巨頭的通用DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)產(chǎn)線開工率目前維持在80%~90%的水平,顯示出市場供需之間的微妙平衡。
2024-06-24 11:26:301244

SK海力士五層堆疊的3D DRAM生產(chǎn)良率達(dá)到56.1%

)提交了一份關(guān)于3D DRAM(三維動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展,更向世界展示了其在這一未來存儲技術(shù)上的堅定決心與卓越實力。
2024-06-24 15:35:291746

SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達(dá)56.1%

在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中,SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日,在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果,其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士HBM營收暴漲250%

韓國存儲芯片巨頭SK海力士近日發(fā)布了其截至2024年6月30日的2024財年第二季度財務(wù)報告,這份報告展現(xiàn)出了公司在復(fù)雜市場環(huán)境下的強(qiáng)勁韌性與增長潛力。盡管全球股市,尤其是美股科技板塊遭遇劇烈波動,導(dǎo)致SK海力士的股價應(yīng)聲下跌8.87%,但其財務(wù)表現(xiàn)卻創(chuàng)下了多項歷史新高,成為行業(yè)關(guān)注的焦點。
2024-08-05 11:25:151313

SK海力士轉(zhuǎn)向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一項重要計劃,即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)(垂直柵)的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐,標(biāo)志著SK海力士DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示,隨著極紫外(EUV
2024-08-14 17:06:431670

SK海力士M16晶圓廠擴(kuò)產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項重要的擴(kuò)產(chǎn)計劃,旨在通過擴(kuò)大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作,訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241920

SK海力士開發(fā)出第六代10納米級DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一項重大技術(shù)突破,成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(1c)工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255

SK海力士開始先進(jìn)人工智能芯片生產(chǎn)

SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段,批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄,為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動力。
2024-09-26 14:24:41878

SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略,聚焦高端存儲技術(shù)

限的產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高端的產(chǎn)品線,如人工智能用存儲器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。 SK海力士的這一決策可能與其重點發(fā)展高端存儲技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)有關(guān)。近日,該公司對外展示了全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品,該產(chǎn)品在容量和層數(shù)上均達(dá)到了業(yè)界最高水平。這一成果不僅彰顯了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277

SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬片

? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報道,韓國存儲芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大,但具體額度未知。 ? 消息人士稱,博通計劃從 SK 海力士采購
2024-12-21 15:16:46915

SK海力士增產(chǎn)HBM DRAM,應(yīng)對AI芯片市場旺盛需求

SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內(nèi)存(HBM)的DRAM產(chǎn)能,目標(biāo)是將每月產(chǎn)能從去年的10萬片增加至17萬片,這一增幅達(dá)到了70%。此舉被視為該公司對除最大客戶英偉達(dá)外,其他領(lǐng)先人工智能(AI)芯片公司需求激增的積極回應(yīng)。
2025-01-07 16:39:091310

SK海力士創(chuàng)歷史最佳年度業(yè)績

SK海力士近日發(fā)布了截至2024年12月31日的2024財年及第四季度財務(wù)報告,數(shù)據(jù)顯示公司再創(chuàng)佳績。2024財年,SK海力士的營業(yè)收入高達(dá)66.1930萬億韓元,營業(yè)利潤達(dá)到23.4673萬億韓元,凈利潤更是攀升至19.7969萬億韓元,這一成績刷新了公司歷史上的最佳年度業(yè)績記錄
2025-01-23 15:49:102056

SK海力士強(qiáng)化HBM業(yè)務(wù)實力的戰(zhàn)略規(guī)劃

隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展,作為其核心支撐技術(shù)的高帶寬存儲器(以下簡稱HBM)實現(xiàn)了顯著的增長,為SK海力士在去年實創(chuàng)下歷史最佳業(yè)績做出了不可或缺的重要貢獻(xiàn)。業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為,SK海力士的成長不僅體現(xiàn)在銷售額的大幅提升上,更彰顯了其在引領(lǐng)AI時代技術(shù)變革方面所發(fā)揮的重要作用。
2025-04-18 09:25:59993

英偉達(dá)供應(yīng)商SK海力士盈利大增158%

17.64萬億韓元(換算下來約人民幣899.10億),營業(yè)利潤達(dá)到7.44萬億韓元(換算下來52億美元),這個亮眼業(yè)績創(chuàng)下公司第二高季度業(yè)績的成績。而且SK海力士在第一季度的利潤更是同比增長高達(dá)158%,超出市場普遍預(yù)期。此前預(yù)期值在6.62萬億韓元。 有分析師認(rèn)為SK海力士
2025-04-24 10:44:261232

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