韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況，因為受到存儲器價格持續低迷，以及日韓貿易摩擦等因素的沖擊，凈獲利較2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產線的投資之后，也宣布該公司的生產調整計劃。

根據SK海力士所公布的資料顯示，2019年第2季的營收為6.5萬億韓元，較2018年下滑38%。營業利益則是來到6，380億韓元，較2018年同期大幅下滑了89%。凈利則是來到5，370億韓元，較2018年同期的4.3萬億韓元大跌了88%，也低于市場原本預估的8，280億韓元的金額。

Source：SK海力士

面對2019年第2季成績單，再加上接下來市場有更多不確定因素圍繞之下，SK海力士也宣布，2020年的資本支出將會明顯低于2019年。

除此之外，在DRAM產能部分，將自2019年第4季開始下調，至于NAND Flash快閃存儲器方面，產能的減幅也會從之前宣布的10%，擴大至15%的比率。而SK海力士的調整產能計劃，也將連帶重新審視韓國兩座晶圓廠的擴產時間。

SK海力士表示，在DRAM方面，由于SK海力士積極的因應行動和PC市場對大容量產品日益增加的需求，DRAM bit出貨較上季增加了13%，但是在市場價格持續疲軟的情況之下，平均銷售價格下降了24%。

另外，2019下半年服務器DRAM需求依然低迷，行動型DRAM市場的不確定性增加。然而，PC對圖形DRAM的需求從2019年第2季末開始恢復，預計這種趨勢將延續到下半年。

而在NAND Flash快閃存儲器方面，因為NAND Flash快閃存儲器價格下跌后，刺激需求復蘇，bit出貨量較第1季成長40%，但平均銷售價格下降了25%。預計到2019下半年，隨著市場需求的復蘇，將加快原廠庫存消耗，有助于平衡供需失衡的市況，同時也將減緩價格下滑的速度。

至于，在存儲器的技術發展上，SK海力士指出，計劃繼續開發下一代技術，并大量銷售高附加值的產品。其中，DRAM將由10納米級第一代的1x納米，向第二代的1y納米技術精進，到2019年底前生產比例將增加到80%，并開始在下半年銷售PC市場所需的10納米級第二代1y納米DRAM。

而NAND Flash方面，目前主要技術是72層堆疊的3D NAND Flash，計劃在2019下半年透過增加96層4D NAND Flash的比例，專注于高端智能手機和SSD市場需求。此外，128GB（1Tb）TLC 4D NAND將開始大規模生產和銷售。