Pcore2 34mm

基本半導體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊，該系列產品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技術，在比導通電阻、開關損耗、可靠性等方面表現更出色。

BMF80R12RA3產品與高速大電流IGBT在20kW逆變焊機應用工況中進行電力電子仿真對比。仿真數據表明，碳化硅MOSFET功率模塊可在80kHz以上的開關頻率下運行，且相較于IGBT，其總損耗還能再降低至50%左右。

此外，基本半導體針對34mm模塊在逆變焊機的應用，可提供碳化硅MOSFET驅動板整體解決方案及其零件。

產品拓撲

產品特點

基本半導體第三代碳化硅MOSFET芯片技術

性能顯著提升

低導通電阻

高溫下RDS(on)表現優異，導通損耗更低，穩定性強

低開關損耗

支持高頻運行，功率密度大幅提升

高工作結溫

Tvj=175℃

應用領域

高端工業電焊機

感應加熱設備

工業變頻器

電鍍電源

產品列表

產品性能實測數據(BMF80R12RA3)

1. 靜態參數測試

2. 動態參數測試

碳化硅MOSFET開關速度較快，常溫和高溫開關損耗較低；

BMF80R12RA3在高壓800V，大電流80A時，無論在常溫或是高溫下，碳化硅MOSFET本身以及體二極管的關斷電壓尖峰均在1200V以內，關斷電壓尖峰小。

BMF80R12RA3開關波形（Tj=150℃）

測試條件：

VDC=800V;ID=80A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。

測試條件：

VDC=800V;ID=160A; RG(on)=15Ω, RG(off)=8.2Ω, VGS(op)=-4V/+18V。

H橋硬開關拓撲電力電子仿真——焊機應用

1. H橋硬開關拓撲電力電子仿真(BMF80R12RA3)

電力電子仿真基于產品（器件或模塊）的PLECS模型，模擬用戶實際的工況條件和運行模式，根據產品的評估結果，判斷其可行性，給用戶在實戰前一個非常好的參考。

仿真80℃散熱器溫度下，電焊機功率20kW工況下，在全橋拓撲中，我司BMF80R12RA3與傳統IGBT模塊的損耗表現。

2. 仿真結果(BMF80R12RA3)

仿真結論：BMF80R12RA3與高速IGBT的仿真數據相比，即使開關頻率從傳統IGBT的20kHz提升到碳化硅MOSFET的80kHz，在同樣20kW的功率情況下，碳化硅的總損耗在B***模塊的一半左右，整機效率提高接近1.58個百分點，表現非常優異。

采用碳化硅MOSFET模塊，可提高開關頻率，并減小整臺焊機的質量、體積和噪聲，提高整機效率，同時加快動態響應速度、輸出電流及功率的控制將更加精準，使得焊接電源實施更高質量的焊接工藝控制變得更容易。

基本半導體提供碳化硅MOSFET驅動板整體解決方案及其零件——針對34mm

BSRD-2427所應用到的以下三款零件為基本半導體自主研發產品，用戶可單獨使用以下零件進行整體方案的設計。

關于基本半導體

深圳基本半導體股份有限公司是中國第三代半導體創新企業，專業從事碳化硅功率器件的研發與產業化。公司總部位于深圳，在北京、上海、無錫、香港以及日本名古屋設有研發中心和制造基地。公司擁有一支國際化的研發團隊，核心團隊由來自清華大學、中國科學院、英國劍橋大學等國內外知名高校及研究機構的博士組成。

基本半導體掌握碳化硅核心技術，研發覆蓋碳化硅功率半導體的芯片設計、晶圓制造、封裝測試、驅動應用等產業鏈關鍵環節，核心產品包括碳化硅二極管和MOSFET芯片、汽車級及工業級碳化硅功率模塊、功率器件驅動芯片等，性能達到國際先進水平，服務于電動汽車、風光儲能、軌道交通、工業控制、智能電網等領域的全球數百家客戶。

基本半導體是國家級專精特新“小巨人”企業，承擔了國家工信部、科技部及廣東省、深圳市的眾多研發及產業化項目，與深圳清華大學研究院共建第三代半導體材料與器件研發中心，是國家5G中高頻器件創新中心股東單位之一，獲批中國科協產學研融合技術創新服務體系第三代半導體協同創新中心、廣東省第三代半導體碳化硅功率器件工程技術研究中心。