仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款 N 溝道超級結功率 MOSFET，憑借 700V 耐壓、超低導通電阻及高頻開關特性，適用于功率因數校正、開關模式電源、不間斷電源等領域。

一、產品基本信息

• 器件類型：N 溝道超級結功率 MOSFET
• 核心參數：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓功率轉換場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.28Ω，高壓場景下導通損耗極低；
  • 柵極電荷（\(Q_g\)）：典型值27nC，降低驅動電路功耗，提升開關頻率適配性；
  • 連續漏極電流（\(I_D\)）：15A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達38A，滿足負載瞬時功率需求。

二、核心特性

• 超低導通電阻與柵極電荷：0.28Ω 導通電阻與 27nC 柵極電荷的組合，大幅降低導通損耗與開關損耗，適配高頻功率轉換（如 PFC 拓撲、SMPS 拓撲）；
• 100% UIS 測試驗證：通過單向雪崩耐量（UIS）測試，單脈沖雪崩能量達280mJ，在感性負載開關、異常過壓工況下可靠性強；
• 高 dv/dt 魯棒性：峰值反向恢復 dv/dt 達50V/ns，適應高壓高頻環境的嚴苛工作條件；
• RoHS 合規：采用無鉛工藝，符合環保制造要求，適配綠色電子產業需求。

三、關鍵電氣參數（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，柵極驅動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：104W，實際應用需搭配散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長期可靠工作；
• 雪崩電流（\(I_{AR}\)）：24A；
• 結溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結溫區間一致；
• 熱阻（\(R_{thJA}\)）：62℃/W，需通過封裝與 PCB 設計優化熱管理。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：
  • TO-251 直插封裝，包裝規格 70 片 / 管，適配傳統插裝式高壓電路設計；
  • TO-252 貼片封裝，包裝規格 2500 片 / 卷，滿足高密度電路板的高頻設計需求；
• 典型應用：
  • 功率因數校正（PFC）：在 AC-DC 電源的 PFC 拓撲中作為主開關管，超低損耗特性提升功率因數與能量轉換效率；
  • 開關模式電源（SMPS）：適配反激、LLC 等高頻拓撲，實現 700V 級高壓功率轉換；
  • 不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統的功率回路中，兼顧高壓耐壓與大電流承載需求，保障供電穩定性。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產品手冊（注：以上參數基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數據為準。）